第六章--光电子技术解析.ppt

典型光电二极管--滨松(HAMAMATSU)公司产品: Si—Photodiode S1087/S1133 Series 三、ＰＩＮ光电二极管 (1)本征层厚度近似等于反偏压下耗尽层的厚度，厚度为500um左右 (2)本征层相对于n区和p区是高阻区，高电阻使暗电流明显减小。反向偏电主要集中于这个区域，形成高电场区，由于p区很薄，光电变换主要集中在本征层，强电场使光生载流子渡越时间变短，改善了频率响应 (3)本征层的引入使得耗尽层加宽，减少了结电容，使电容时间常数变小，响应时间更快； 引入本征层对提高器件灵敏度和频率响应起非常重要的作用。 现有产品的PIN光电二极管性能参数 滨松Si PIN Photodiode 大光敏面的PIN光电二极管 噪 声： 硅PIN中，热噪声占优势。 锗PIN中，暗电流散粒噪声相比较大 四、雪崩光电二极管（APD） 雪崩二极管是具有内增益的光伏探测器，利用光生载流子在高电场区内的雪崩效应获得光电流增益，具有高灵敏度，响应快等优点。 工作原理-雪崩效应 p-n结 光生载流子产生 获得高能量，与晶格原子碰撞，晶格原子电离产生电子-空穴对 获得高能量，再次与晶格原子碰撞 产生新的电子-空穴对。上述过程不断重复，使p-n结内电流急剧倍增放大，这就是雪崩效应。 强电场作用下 加强反偏电压和光照 强电场作用下 2、雪崩光电二极管结构 n+ n+ p SiO2 电极 特点：（1）基片杂质浓度高（电阻率低），容易产生碰撞电离；（2）基片厚度比较薄，保证有高的电场强度，以便于电子获得足够的能量产生雪崩效应；（3）结边缘做成环状，其作用是减小表面漏电，避免边缘出现局部击穿。 材料：通常采用硅或锗材料，也可用III-V族化合物半导体制作。 3、雪崩二极管的特征参数 (1)倍增系数M IR：为无雪崩倍增时的p-n结 的反向电流； IM：有雪崩增益时的反向电流； M与p-n结上所加的反向偏压、p-n结材料和结构有关，可用经验公式表示： VBR：p-n结击穿电压，与器件工作温度有关，温度升高 时增大； n：与p-n结的材料和结构有关的常数，对于硅器件， n=1.5-4，锗，n=2.5-8。 雪崩倍增系数M、暗电流ID与所加偏压之间的关系 ： 180 140 100 60 20 18 16 14 12 10 ID M 0 154 156 158 160 162 164 VA(V) ▽反偏电压低时，无雪崩效应，M=1，VA增加，倍增系数增大。 ▽反偏电压接近击穿电压时（最佳工作偏压：一般为几十伏到几百伏之间），倍增系数增加很快，暗电流增加也很快，这时雪崩增益系数为102-103。 (2)雪崩光电二极管的噪声 同倍增管相似，除普通光电二极管的散粒噪声之外还包含倍增过程引入的噪声，雪崩过程的散粒噪声为： 对于硅，k=2.3-2.5；对于锗，k=3）。上式可以写成： 其中 （过量噪声因子） r：电子与空穴电离之比。对于硅材料，r=50左右，锗材料，r=1左右。 硅光电二极管噪声小于锗二极管 (3)现有产品的雪崩光电二极管性能参数 (1)体积小，有较高的灵敏度，结构紧凑，工作电 压低，使用方便; (2)性能与入射光功率有关：通常当入射光功率在 1nW到几uW时，倍增电流与入射光具有较好的 线性关系，适合弱光探测。 (3)同PIN光电二极管相比，具有更高的灵敏度， 由于有内增益，可大大降低对前置放大器的要 求。 (4)由于偏压较高，载流子在结区的渡越时间短， 结电容很小，所以雪崩光电二极管的响应速度 很快 雪崩光电二极管的特点 五、光电三极管 特点：是有电流内增益的光伏探测器; (1)、光电三极管基本结构 工作电压：发射结正向电压，集电结反向电压 材料：硅npn型居多，锗pnp型居多 功能：1、光电转换，在集-基结内进行，与一般二极管相同； 2、光电放大：共发射极放大。 e：发射结 b：基极 c：集电极 电位最高 电位较高 电位最低 （2）光电三极管工作原理 光照时：基区产生电子-空穴对，光生电子在电场作用下漂移到集电极，形成光电流，空穴则留在基区，使基极电位升高，发射极便有大量电子经基极流向集电极，对于共发射极的三极管，形成的集电极电流Ic为 ： 因此，光电三极管主要有两方面的作用：把光信号转换成电信号，光电流放大。 （β为共发射极电流放大倍数） （3）光电三极管特性 A、伏安特性