2.第14章二极管和晶体管解读.pptVIP

晶体管参数与温度的关系 1、温度每增加10?C，ICBO增大一倍。硅管优 于锗管。 2、温度每升高 1?C，UBE将减小——（2～2.5)mV， 即晶体管具有负温度系数。 3、温度每升高 1?C，? 增加 0.5%~1.0%。 晶体管的发射极和集电极是不能互换使用的。因为发射区和集电区的掺杂质浓度差别较大，如果把两个极互换使用，则严重影响晶体管的电流放大能力，甚至造成放大能力丧失。 晶体管的发射极 和集电极能否互 换使用？为什么? 晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时，UCEUBE，集电结也处于正偏，这时内电场被大大削弱，因此极不利于集电区收集从发射区到达集电结边缘的电子，这种情况下，集电极电流IC与基极电流IB不再是β倍的关系，因此，晶体管的电流放大能力大大下降。 晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时，其电流放大系数是否也等于β？ 为了使发射区扩散电子的绝大多数无法在基区和空穴复合，由于基区掺杂深度很低且很薄，因此只能有极小一部分扩散电子与基区空穴相复合形成基极电流，剩余大部分扩散电子继续向集电结扩散，由于集成电结反偏，这些集结到集电结边缘的自由电子被集电极收集后形成集电极电流。 为什么晶体管基区掺杂质浓度小？而且还要做得很薄？ 学习与讨论 用万用表测试三极管好坏及极性的方法 用指针式万用表检测三极管的基极和管型： 指针不动，说明管子反偏截止，因此为NPN型。 先将万用表置于R×lk?欧姆档，将红表棒接假定的基极B，黑表棒分别与另两个极相接触，观测到指针不动(或近满偏)时，则假定的基极是正确的;且晶体管类型为NPN型（或PNP型）。 如果把红黑两表棒对调后，指针仍不动(或仍偏转)，则说明管子已经老化(或已被击穿)损坏。 想一想，这种检测方法依据的是什么？ 指针偏转，说明管子正向导通，因此为PNP型。 PN结的 单向导电性 若被测管为NPN三极管，让黑表棒接假定的集电极C ，红表棒接假定的发射极E 。两手分别捏住B、C两极充当基极电阻RB(两手不能相接触)。注意观察电表指针偏转的大小；?之后，再将两检测极反过来假定，仍然注意观察电表指针偏转的大小。 c b e 人体电阻 c b e 人体电阻 假定极正确 假定极错误 用万用表R×1k欧姆档判别发射极E和集电极C 偏转较大的假定极是正确的！偏转小的反映其放大能力下降，即集电极和发射极接反了。 如果两次检测时电阻相差不大，则说明管子的性能较差。 例1：由三极管各管脚电位判定三极管属性 （1）? A: 1V B：0. 3V C: 3V （2 ）A: －0. 2V B: 0V C: －3V 如何区分硅管和锗管 如何区分NPN、PNP管 如何区分三个极 A. ︱UBE ︳≈0. 2V(锗管） ︱UBE ︳≈0. 7V(硅管） B. 步骤：1. 区分硅管、锗管，并确定C极（以 相近两个电极的电压差为依据， UBE硅＝0.7 ／UBE锗＝0.2～0.3 ） 2. 区分NPN、PNP管 （NPN：UC最高 ， PNP： UC最低 ） 3. 区分三极 （ NPN： UC UB UE PNP： UC UB UE） 解： （1） 硅管 、NPN管 A：基极 ；B: 发射极； C: 集电极 （2） 锗管 、 PNP管 A: 基极； B: 发射极 ； C: 集电极 例2：有三只三极管，分别为? 锗管β＝150，ICBO＝2μA；? 硅管β＝100，ICBO＝1μA； ?硅管β＝40，ICEO＝41μA；试从β和温度稳定性选择一只最佳的管子。 解： β 值大，但ICBO也大，温度稳定性较差； ? β 值较大，ICBO＝1μA，ICEO＝101 μA ； ? β 值较小，ICEO＝41μA， ICBO＝1μA。 ? 、? ICBO相等，但? 的β 较大，故? 较好。 发光二极管是一种能把电能直接转换成光能的固体发光元件。发光二极管和普通二极管一样，管芯由PN结构成，具有单向导电性。 单个发光二极管常作为电子设 备通断指示灯或快速光源及光电耦 合器中的发光元件等。 发光二极管一般使用砷化镓、磷化