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《模拟电子技术基础》习题及参考答案 填空题： 半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。 半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。 PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。 PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。 晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。 晶体三极管的集电极电流Ic=βIB所以它是电流控制元件。 工作在放大区的晶体管，当IB从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。 通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。 测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。 一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。 稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。 稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。 晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。共基极电路比共射极电路高频特性好。 场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。 电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。 通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。 某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。 为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用直流负反馈。为稳定交流输出电压，采用电压负反馈，为了提高输入电阻采用串联负反馈。 负反馈使放大电路增益下降，但它可以扩展通频带，减少失真。 负反馈放大电路产生自激振荡的幅值平衡条件是， 相位平衡条件是△фAF=±（2n+1）π 其中n=整数。 反馈系数F= Xf/Xo；反馈深度是1+AF。 在差动放大电路中，若Ui1=20mV,Ui2=0mV，则电路的差模输入电压为 20mV，共模输入电压为10mV。 差分放大电路能够抑制共模信号，放大差模信号。 衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最主要指标是共模抑制比（KCMR）。 按照通带与阻带的相相互位置不同，有源滤波电路通常可分为以下几类低通滤波器(LPF)、高通滤波器(HPF)、带通滤波器(BPF)、带阻滤波器(BEF)和全通滤波器(APF)。 乙类功率放大器在理论上最高效率为78.5%，它存在的主要问题是交越失真。 低频功率放大电路常采用乙类工作状态来降低管耗，提高输出功率和效率。 整流电路的目是将交流变为直流。 OCL电路是双电源互补功放，OTL是单电源互补功放。 在桥式整流电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是√2U2。 选择题： 1．P型半导体中的多子是( B )。 A．负离子 B． 空穴 C． 正离子 D． 电子 2. N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的（ D ）。 A. 电子 B． 空穴 C． 三价硼元素 D． 五价磷元素 3. P型半导体是在本征半导体中加入（ C ）物质后形成的 A．电子 B.空穴 C.三价硼元素 D.五价磷元素 4. PN结加正向电压时，其正向电流是由（ A ）的。 A．多数载流子扩散而成 B．多数载流子漂移而成 C．少数载流子扩散而成 D．少数载流子漂移而成 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为( B )。 前者反偏、后者也反偏 B．前者正偏、后者反偏 前者正偏、后者也正偏 D．前者反偏、后者正偏 在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为UBQ= -3.3V， UCQ= -6V，UEQ= -3.1V，则这只三极管是( D )。 NPN型硅管 B．NPN型锗管 C．PNP型硅管 D．PNP型锗管 7. 测得三极管各电极对地的电位分别为VC=6V，VB=-0.6V，VE=0V,该三极管工作 状态为( B )。 A.放大状态 B.截止状态 C.饱和状态 D.击穿状态 8. 某放大电路中，测得三极管的三个极静态电位分别为