哈工大微电子器件课堂问题摘要.ppt

* p-n结是什么？ p-n结空间电荷区是如何形成的？p-n结空间电荷区自建电场是如何建立起来的？ 根据不同制造工艺，p-n结的杂质分布有哪几种典型情况？ 什么是导带？什么是价带？费米能级有何物理意义？ 什么是平衡p-n结？什么是p-n结平衡状态？ 平衡p-n结的能带图是怎样的？有何特点？ 平衡p-n结势垒区中电场强度有何规律？ 平衡p-n结势垒高度与哪些因素有怎样的关系？ 平衡p-n结两侧载流子浓度有怎样的关系？ 9月18日 非平衡载流子在扩散区中是如何分布的？（小注入） 正向p-n结中电流成分是如何转换的？ 正向p-n结电流电压公式是如何导出的？ 什么是p-n结的正向阈值电压？ p-n结正向电流公式是怎样与实验结果偏离的？为什么？ 什么是p-n结大注入效应？ 大注入自建电场是怎样形成的？ 什么是大注入自建电场？它起怎样的作用？ p-n结正、反向特性是怎样辩证统一的？ 9月18日 什么是耗尽层近似？ p-n结空间电荷区电场强度和电位分布是如何计算的？ 突变结和线性缓变结空间电荷区电场和电势分布各自有何规律？为什么？ 什么是p-n结势垒电容？ 什么是p-n结扩散电容？ 超突变结应该是怎样的杂质分布？ 什么是p-n结击穿？有哪几种击穿机制？ p-n结雪崩击穿条件是什么？ 影响雪崩击穿电压的因素有哪些？ 9月22-25日 9月29日 怎样理解双极型晶体管的(电流)放大作用？ 晶体管中杂质分布有哪几种典型形式？ 在放大状态晶体管中载流子是如何传输的？ 为什么要求发射区杂质浓度尽量高？为什么基区宽度不能太大(两个p-n结靠得很近)？ 晶体管中载流子输运过程可分为那几个中间过程？ 上述中间过程对应的中间参量是什么？ 放大状态的晶体管中载流子是如何分布的？ 分析晶体管直流I-V特性及电流增益的思路是怎样的？ 缓变基区自建电场是如何形成的？有何影响与作用？ 10月9日 晶体管的反向电流是如何定义的？ 晶体管的击穿电压是如何定义的？ 怎样理解BVceo与BVcbo关系？ 怎样理解Icbo与Iceo之间的关系？ 什么是势垒穿通？ 晶体管共基极和共发射极输入特性有何联系与区别？ 晶体管共基极输出特性曲线有何特征？ 晶体管共发射极输出特性曲线有何特征？ 什么是双极型晶体管的基极电阻?有何影响与作用？ 10月13日 什么是双极型晶体管的频率特性？ 双极型晶体管有哪些频率参数？ 那些频率参数是如何定义的？ 晶体管交流电流－电压方程是如何获得的？ 什么是基区宽变效应？ 什么是晶体管的高频Y参数及其等效电路？ 什么是晶体管的h参数及其等效电路？ 对于双极型晶体管来说，h参数和Y参数各自有何方便之处？ 影响频率特性的根本原因是什么？ 第1章 1、一个pn结（二极管）内有自建电场和电势差，能否用电压表测量该电势差？为什么？ 2、比较pn结势垒电容和扩散电容大小随外加电压的变化 3、比较曲面结和结端面的电场集中 第2章 1、从两pn结关系及载流子输运过程说明双极型晶体管是如何实现电流的放大的。 2、试区分单发射极双基极梳状结构晶体管和多发射极梳状晶体管及其单元的基极电阻表达式的差别。 第3章 1、试描述双极晶体管交流工作状态下内部载流子运动状态、参数及其变化，以及均匀和缓变基区中的差别。 2、试描述高频下载流子的输运过程及其产生的效应 课后思考题 10月16-20日 双极型晶体管Y参数等效电路与h参数等效电路有何不同之处？为什么？ 高频下晶体管中载流子输运过程是怎样的？ 发射结延迟是怎样产生的？ 发射极截止角频率和发射结延迟时间具有怎样的物理意义？ 基区渡越延迟是如何产生的？ 集电结势垒渡越延迟有何特点？ 集电极延迟具有怎样的物理意义？ 影响晶体管频率特性的根本原因是什么？？ 10月23日 什么是晶体管的最佳高频功率增益？ 什么是晶体管的高频优值？ 提高功率增益或最高振荡频率的途径有哪些？ 工作条件如何影响晶体管的频率特性？ 工作条件通过哪些结构参数影响频率特性？ 10月23-27日 什么是晶体管的功率特性？ 晶体管功率特性讨论研究哪些问题？ 什么是晶体管最大允许集电极电流？ 双极型晶体管安全工作区由哪些参数限制？ 基区大注入自建电场是如何现成的？有何作用和影响？ 什么是基区电导调制效应？ 基区大注入如何影响电流放大系数？ 10月27日 什么是有效基区扩展效应？ 均匀基区晶体管的有效基区扩展有何规律？ 缓变基区晶体管的有效基区扩展有何规律？ 什么是发射极电流集边效应？ 发射极有效宽度是如何定义的？ 什么是发射极有效半宽度？ 发射极有效长度是如何定义的？ 10月30日 发射极单位周长电流容量——线电流密度有何实际意义？ 何谓“改善大电流特性”？ 何谓晶体管耗散功率？何谓最大耗散功率？ 晶体管的最高结温是如何确定的？ 晶体管热阻由哪些部分组成？其大小对晶体管工作有何