第7章_扩散与固态相变报告.ppt

晶体缺陷 1：晶界和表面处原子排列不紧密，不规则，能量较高，扩散激活能低，即QLQgbQs，故扩散系数关系为DsDgbDl。 晶界扩散与体扩散的相对贡献 原因：晶界处的晶格畸变较大，能量较高，所以其扩散激活能要比晶内的小，原子易于扩散迁移（测量结果是晶内的0.6～0.7)金属外表面的扩散激活能比晶界的还要小。 2、位错、空位等缺陷处比完整晶体内部扩散容易。 原因:位错线是晶格畸变的管道，互相联通，形成网络。位错密度增加，晶体中扩散速度加快。 例如：冷加工后金属中的扩散速度比退火金属中的大，位错的影响是一个因素。 下坡扩散：原子由浓度高处流向浓度低处； 上坡扩散：原子由浓度低处流向浓度高处。 驱动力：化学位梯度的存在。 化学力 ， 流量 由热力学可知 扩散驱动力 Si增加了碳的活度，从而增加了碳的化学位，使之从含硅的一边向不含硅的一边扩散。非碳化物形成元素Co.Ni.Al.Cu等也有类似效果 （1）菲克第一定律指出扩散由高浓度向低浓度方向进行，但很多情况下扩散却由低浓度向高浓度方向进行，说明浓度梯度并非扩散的驱动力。热力学研究表明，扩散的驱动力是化学位梯度，既扩散总是向化学位减少的方向进行。 （2）在化学位驱动下由低浓度向高浓度方向进行的扩散，称为上坡扩散。 第四节：几个特殊有关扩散的实际问题 1离子晶体的扩散 2烧结 3纳米晶体材料的扩散问题 为了保持电中性，晶态化合物中的点缺陷一般是成对的复合点缺陷。 肖特基缺陷:由一对正负离子空位构成 弗兰克尔缺陷:由一个离子空位和一个同类 间隙原子构成的。 1离子晶体的扩散 （1）弗仑克尔缺陷： 在晶格热振动时， 一些能量较大的质点 离开平衡位置后，进 入到间隙位置，形成间隙质点，而在原来位置上形成空位 间隙质点+空位 特点： 间隙质点与空位总是成对出现 正离子弗仑克尔缺陷 负离子弗仑克尔缺陷 影响因素：—— 与晶体结构有很大关系 NaCl型晶体中间隙较小，不易产生弗仑克尔缺陷；萤石型结构中存在很大间隙位置，相对而言比较容易生成填隙离子。 （2）肖特基缺陷： 如果正常格点上的 质点，在热起伏过程中 获得能量离开平衡位置迁移到晶体的表面，而在晶体内部正常格点上留下空位 正负离子空位 特点： 肖特基缺陷的生成需要一个像晶界、位错或者表面之类的晶格排列混乱的区域；正离子空位和负离子空位按照分子式同时成对产生，伴随晶体体积增加 离子固体中的正负离子都是载流子carrier 。外加电场引起的电传导相当于离子的定向扩散。此时扩散系数与电导率成正比。可以通过测定其电导率获得扩散系数。 能斯脱---爱因斯坦方程 能斯脱---爱因斯坦方程： 在材料内部存在载流子浓度梯度，由此形成载流子的定向运动，形成的电流密度(单位面积流过的电流强度）为： J1=－Dq×?n/ ?x n------载流子单位体积浓度：x------扩散方向； q------离子的电荷量； D------载流子扩散系数。 在有外电场存在时，载流子产生漂移，产生的电流密度为： J2 = ?E J2=?×?V/ ? x (V:电位) 扩散与离子电导 总电流密度 : Jt=－Dq×?n/ ?x+ ? ?V/ ?x （公式1） 在热平衡状态下（电场下载流子的运动方向与扩散流的方向相反，当二者电流大小相等时即达到平衡）总电流为零 载流子的浓度分布满足波尔兹曼分布规律: n=n0exp(－qV/kT) 得： ?n/ ?x=－qn/kT×?V/ ?x 代入公式1 ?=D×nq2/kT 能斯脱---爱因斯坦方程　　 载流子浓度及迁移率确定以后，电导率可按?=nq? 确定，与上式对比可知D的表达式D =μkT/q 烧结（sintering）理论 定 义： 烧结是指高温条件下，坯体表面积减小，孔隙率降低、机械性能提高的致密化过程。 烧结驱动力： 粉体的表面能降低和系统自由能降低。 固相烧结过程及机理 初始阶段 中间阶段 最终阶段 固相烧结一般可分为三个阶段：初始阶段，主要表现为颗粒形状改