第三章CCD的基本原理报告.ppt

一个完整的CCD器件由光敏元、电荷转移栅、移位寄存器及一些辅助输入、输出电路组成。 CCD工作时，在设定的积分时间内，光敏元对光信号进行取样，将光的强弱转换为各光敏元的电荷量。取样结束后，各光敏元的电荷在转移栅信号驱动下，转移到CCD内部的移位寄存器相应单元中。移位寄存器在驱动时钟的作用下，将信号电荷顺次转移到输出端。输出信号可接到示波器、图像显示器或其他信号存储、处理设备中，可对信号再现或进行存储处理。 CCD类型 表面沟道CCD（SCCD）：电荷包存储在半导体与 绝缘体之间的界面，并沿界面传输； (即转移沟道在界面的CCD器件) 体沟道CCD或埋沟道CCD （BCCD）：电荷包存储 在离半导体表面一定深度的体内，并在半导体体内 沿一定方向传输。 (用离子注入方法改变转移沟道的结构，从而使势能极小值 脱离开界面而进入衬底内部，形成体内的转移沟道) CCD基本结构 1.MOS 光敏元：构成CCD的基本单元是MOS(金 属—氧化物—半导体)结构。 MOS电容器组成的光敏元及数据面的显微照片 CCD光敏元显微照片 彩色CCD显微照片（放大7000倍） 1.当栅极G施加正偏压UG之前（UG=0），P型半导体中的空穴（多数载流子）的分布是均匀的； 2.当栅极电压加正向偏压（UGUth）后，空穴被排斥，产生耗尽区，偏压继续增加，耗尽区进一步向半导体内延伸； 3.当UGUth时，半导体与绝缘体界面上的电势（表面势ФS）变得如此之高，以至于将半导体体内的电子（少数载流子）吸引到表面，形成电荷浓度极高的极薄反型层，反型层电荷的存在说明了MOS结构具有存储电荷的功能。 4.当UG突然由0变到Uth时，轻掺杂P型半导体表面不能立即建立反型层，此时势阱最深，存储电荷可能性最大； 5. 如果此时注入信号电荷（或者随着时间的增加，周围的电子逐渐填入势阱内），随着电子填入耗尽层内，表面势将降低，耗尽区变窄，势阱变浅，存储电荷的能力变小。 所以，势阱中容纳电荷（电子）的多少取决于势阱的深浅，而势阱的深浅又取决于 UG。 UG→大，势阱→深。 假定开始有一些电荷存储在偏压为10V的第二个电极下面的势阱里，其他电极上均加有大于阈值的较低电压（例如2V）。设a图为零时刻，经过一段时间后，各电极的电压发生变化，第二个电极仍保持10V，第三个电极上的电压由2V变为10V，因这两个电极靠的很近（几个微米），它们各自的对应势阱将合并在一起。原来在第二个电极下的电荷变为这两个电极下势阱所共有。如图b＆c。若此后第二个电极上的电压由10V变为2V，第三个电极电压仍为10V，则共有的电荷转移到第三个电极下的势阱中，如图e。由此可见，深势阱及电荷包向右移动了一个位置。 通过将按照一定规则变化的电压加到CCD各电极上，电极下的电荷包就能沿半导体表面按一定方向移动。通常把CCD电极分为几组，并施加同样的时钟脉冲。如图f，为三相时钟脉冲，这种CCD称为三相CCD。 CCD电极间隙必须很小，否则会被电极间的势垒所间隔。 产生完全耦合条件的最大间隙一般由具体电极结构，表面态密度等因素决定。间隙长度应小于3um。 以电子为信号电荷的CCD称为N型沟道CCD，而以空穴为信号电荷的CCD称为P型沟道CCD。 1、电荷的注入 (1)光注入 当光照射CCD硅片时，在栅极附近的半导体体内产生电 子——空穴对，其多数载流子被栅极电压排开，少数载 流子则被收集在势阱中形成信号电荷。它又可分为正面 照射式＆背面照射式。其光注入电荷： 1、转移效率＆转移损失率 转移效率：一次转移后，到达下一个势阱中的电荷 与原来势阱中的电荷之比。 2、工作频率f （1）下限：为避免由于热产生的少数载流子对注入信号的干扰，注入电荷从一个电极转移到另一个电极所用的时间t必须小于少数载流子的平均寿命t0，即 tt0。 对于三相CCD, t 为： t=T/3=1/(3f), 故，f1/(3t0)。 噪声主要来自： 电荷注入器件引起的噪声； 电荷转移过程中，电荷量变化引起的噪声(转移噪声)； 检测时产生的噪声(输出噪声)。 线阵CCD外形 面阵CCD 面阵CCD外形 200万和1600万像素的面阵CCD 面阵CCD外形 面阵CCD外形 （2）上限：当工作频率升高时，若电荷本身从 一个电极转移到另一个电极所需的时间t大于驱 动脉冲使其转移的时间T/3,那么信号