第三章半导体中载流子的统计分布报告.ppt

第三章   半导体中  载流子的统计分布 教学目标、教学重点与难点 第三章 半导体中载流子的统计分布 状态密度 第三章 半导体中载流子的统计分布 费米能级EF的意义 第三章 半导体中载流子的统计分布  第三章  半导体中  载流子的统计分布 回顾：状态密度 一、杂质能级上的电子和空穴 一、杂质能级上的电子和空穴 杂质能级 最多只能容纳某个自旋方向的电子。 一、杂质能级上的电子和空穴 对于Ge、Si和GaAs： gA=4 gD=2 施主浓度:ND 受主浓度: NA：（1）杂质能级上未离化的载流子浓度nD和pA ： 一、杂质能级上的电子和空穴 （1）低温弱电离区： 特征： 1、本征激发可以忽略， p0≌0。 2、导带电子主要由电离杂质提供。 3、nD+ 《 ND 弱电离 (2)中间弱电离区： (2)中间弱电离区： （3）强电离区： 注：强电离与弱电离的区分： （4）、过渡区： （4）、过渡区： 讨论： （5）、高温本征激发区： 一般情况下的载流子统计分布（自学） n型Si中电子浓度n与温度T的关系总结： n型Si中Ef与掺杂浓度的关系总结： 代入 杂质半导体中的载流子浓度 （4）、过渡区： 显然： ，过渡区接近于强电离区。 杂质半导体中的载流子浓度 （4）、过渡区： 杂质半导体中的载流子浓度 特征：1、杂质完全电离 nD+=ND 2、本征激发提供的载流子远大于 3、杂质电离的载流子 ni ND 电中性条件 n0=p0+nD+ 电中性条件 n0=p0+nD+ 可简化为 N0=p0 杂质半导体中的载流子浓度 1. 低温弱电离区 n型Si中Ef与温度T的关系总结： 4. 本征激发区 3. 过渡区 2. 饱和电离区 杂质半导体中的载流子浓度 杂质半导体中的载流子浓度 本征半导体的载流子浓度 本征半导体的载流子浓度 本征半导体的载流子浓度 本征半导体的载流子浓度 状态密度: 状态密度就是在能带中每单位能量间隔内的量子态数 。 回顾：费米分布函数和玻耳兹曼分布函数 回顾：费米能级EF的意义 其中： —— 导带有效状态密度 1. 电子浓度no 回顾：导带电子浓度 2. 空穴浓度po 价带中的空穴浓度为： 其中 —— 价带的有效状态密度 回顾：价带空穴浓度 3、载流子浓度积 浓度积nopo及影响因素 回顾：导带电子浓度和价带空穴浓度 回顾：本征半导体的电中性条件 回顾：本征半导体的电中性条件 回顾：本征半导体的电中性条件 1 状态密度 2 费米能级和载流子的统计分布 3 本征半导体中的载流子浓度 4 杂质半导体中的载流子浓度 5 简并半导体 杂质半导体中的载流子浓度 二、n型半导体的载流子浓度 杂质半导体中的载流子浓度 杂质半导体中的载流子浓度 杂质半导体中的载流子浓度 简并度： （2）电离杂质的浓度 杂质半导体中的载流子浓度 二、n型半导体的载流子浓度 ——讨论随温度升高载流子的浓度变化 杂质半导体中的载流子浓度 电中性条件 n0=p0+nD+ 电中性条件 n0=p0+nD+ 可近似为n0=nD+ 杂质半导体中的载流子浓度 （1）低温弱电离区： 杂质半导体中的载流子浓度 思路：首先写出电中性方程，求解出Ef，则n0和p0也随之确定. （1）低温弱电离区： 杂质半导体中的载流子浓度 特征： 1、本征激发可以忽略， p0≌0。 2、导带电子主要由电离杂质提供。 3、随着温度T的增加， nD+已足够大 电中性条件 n0=p0+nD+ 电中性条件 n0=p0+nD+ 可近似为n0