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mos1ex06.in : Substrate and Gate Current Extraction衬底和栅极电流提取这是的MOS ATHENA / DEVEDIT的/ ATLAS接口的例子模拟衬底和栅极电流与栅极偏置使用能量平衡和碰撞电离模型。这个例子说明：过程模拟的MOS晶体管在ATHENA?工艺参数提取（如氧化层的厚度）?ATHENA和DEVEDIT之间autointerface?网格重划使用DEVEDIT?autointerface之间DEVEDIT和ATLAS?解决方案与VDS = 3.3V Vgs下坡道?最大栅和衬底电流参数提取过程模拟，工艺参数提取和电极定义为这个例子完全一样，在本节中的第一个例子。碰撞电离效应的ATLAS模拟电网的要求比前面所述的低电场的情况下更严格的，。DEVEDIT用于ATHENA结构的重新划分网格，然后再进行阿特拉斯。DEVEDIT有两种模式。图形模式允许用户绘制和交互编辑区域和杂质。这里使用的批处理模式执行这些类似的结构和网状命令。由DEVEDIT使用的语法描述在DEVEDIT手册。它可以构建从DeckBuild中命令菜单，或最常用的网格编辑一个图形会议期间提出的，可以作为保存“命令文件”从对DEVEDIT的保存菜单。imp.refine命令指定杂质regrids。这里REGRID净掺杂执行。constr.mesh命令定义的基地网。细化命令内指定在每个语句的坐标指定的箱网精炼。ATLAS模拟包含类似的语法简单的例子，在本节前面所述。电子的能量平衡方程的解决方案指定由的参数hcte.el的喜参数?指定的热载流子注入模型，使栅极电流。相当于hcte.ho和HHI孔的存在，但并不需要在NMOS模拟。碰撞电离模型选择影响报告书。的的参数lrel.el设置在这个模型中的电子弛豫时间。虽然喜模型是直接负责的栅电流，有没有“特殊”的模型模拟衬底电流。运行栅极电压高的漏极偏置扫描和碰撞电离和能量平衡，包括提供一切必要的物理。衬底电流可以简单地从日志文件中绘制的漏电流以类似的方式。无衬底电流的特殊需要提取。在此运行使用的语句提取?提取衬底和栅极电流的峰值和位置。第一峰值电流测量值。这个结果，然后用在当前的搜索找到的栅极电压，电流测量。加载和运行这个例子，选择的负载例如在DeckBuild中的按钮。这将复制输入文件到当前工作目录和任何支持文件。选择运行按钮来执行的例子。go athenaline x loc=0 spac=0.1 line x loc=0.2 spac=0.01line x loc=0.5 spac=0.01 #line y loc=0.00 spac=0.01 line y loc=0.2 spac=0.01line y loc=0.5 spac=0.05line y loc=0.8 spac=0.15 #init orientation=100 c.phos=1e14 space.mul=3#pwell formation including masking off of the nwell#diffus time=30 temp=1000 dryo2 press=1.00 hcl=3#etch oxide thick=0.02##P-well Implant# implant boron dose=8e12 energy=100 pears #diffus temp=950 time=100 weto2 hcl=3##N-well implant not shown -## welldrive starts herediffus time=50 temp=1000 t.rate=4.000 dryo2 press=0.10 hcl=3#diffus time=220 temp=1200 nitro press=1#diffus time=90 temp=1200 t.rate=-4.444 nitro press=1#etch oxide all##sacrificial cleaning oxidediffus time=20 temp=1000 dryo2 press=1 hcl=3#etch oxide all##gate oxide grown here:-diffus time=11 temp=925 dryo2 press=1.00 hcl=3####vt adjust implant implant boron dose=9.5e11 energy=10 pearson #depo poly thick=0.2 divi=10 ##from now on the situation is 2-D#etch poly left p1.x=0.35#method fermi