第五章 场效应管放大电路报告.pptVIP

结型场效应管的特性小结 结型场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 双极型和场效应型三极管的比较 双极型三极管 场效应三极管 结构 NPN型 PNP型 结型(耗尽型 ) N沟道 P沟道 绝缘栅增强型 N沟道 P沟道 绝缘栅耗尽型 N沟道 P沟道 C与E一般不可倒置使用 D与S可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移 控制 电流控制电流源CCCS(β) 电压控制电流源VCCS(gm) 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小， 输入电阻 几十到几千欧姆 几兆欧姆以上 静电影响 不受静电影响 易受静电影响 集成工艺 不易大规模集成 适宜大规模和超大规模集成 5.3场效应管放大电路 一.偏置电路及静态分析 1.直流偏置电路 1)自偏压电路(仅适合耗尽型) Rg将0电位引向g点, VGS=0时,有偏电流流过 VGS= -IDRS 2)分压式电路(全适用) VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2) VGS= VG－VS= VG－IDR 调整电阻的大小，可获得： UGS 0 UGS = 0 UGS 0 （1）简单的共源极放大电路（N沟道） 直流通路 共源极放大电路 2.静态工作点的确立 (VGS,ID,VDS) （1）简单的共源极放大电路（N沟道） 假设工作在饱和区，即 验证是否满足 如果不满足，则说明假设错误 须满足VGS VT ，否则工作在截止区 再假设工作在可变电阻区 即 假设工作在饱和区 满足 假设成立，结果即为所求。 解： 例： 设Rg1=60k?，Rg2=40k?，Rd=15k?， 试计算电路的静态漏极电流IDQ和漏源电压VDSQ 。 VDD=5V， VT=1V， （2）带源极电阻的NMOS共源极放大电路 饱和区 需要验证是否满足 二 图解分析 由于负载开路，交流负载线与直流负载线相同 三.FET放大电路小信号分析法 1. FET的小信号模型 低频模型 2.用小信号分析FET放大电路 三极管与场效应管三种组态对照表： ①电压放大倍数(无CS时) ②输入电阻 ③输出电阻 1) 共源极放大电路 RL RD + uo ? + ui ? RG2 G S D RG3 RG1 + ugs ? gmugs id ii 有CS时: 解：例5.2.2的直流分析已求得： （例5.2.5） s 放大电路分析 s 2) 共漏极放大电路 Vs=0 T IT 放大电路分析 共漏 例5.2.6 3)共栅极放大电路 + Vi _ + Vo _ R Rd vDD g s + Vi _ + Vo _ R Rd g s d d Ro≈Rd 动态分析： Ri=Rg=10M Ri2= rbe2+(1+ ? )Re1 =37.1k Ri3= rbe3 +(1+ ? )Re3//RL =156k + vi - Q1 Q2 Q3 Rg 10M Rs 2k Rd 15k RC2 12k Re1 200 Re2 20k Re3 3.6k RL 2k C1 C2 VCC 15V + vo - 例:多级放大电路 *5.4 砷化镓金属-半导体场效应管 本节不做教学要求，有兴趣者自学 5.5 各种放大器件电路性能比较 场效应管放大电路与三极管放大电路比较 1、共源电路与共射电路均有电压放大作用，而 且输出电压与输入电压相位相反。 2、共漏电路与共集电路均没有电压放大作用，且输出电压与输入电压同相位。 3、场效应管电路最突出的优点是，共源、共漏和共栅电路的输入电阻高于相应的共射、共集和共基电路的输入电阻。 4、场效应管的低频跨导一般比较小，所以放大能力比三极管差，因而共源电路的电压增益往往小于共射电路的电压增益。 解： 画中频小信号等效电路 例题 放大电路如图所示。已知 试求电路的中频增益、输入电阻和输出电。 例题 则电压增益为 由于 则 end 根据电路有 作 业 5.1.1 5.3.3 5.1.2 5.3.4 5.3.5 5.2.1 5.3.8 5.2.3 5.5.1 5.2.5 5.2.9 * * 模 拟 电 子 技 术 . 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 . 结型场效应管（JFET） *砷化镓金属-半导体场效应管 . 各种放大器件电路性能比较 . 场效应管放大电路 场效应管:是一种利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，是仅由一种载流子参与导电的半导体器件。 参与导电的载流子来划分: 电子作为载流子的N沟