模拟CMOS集成电路设计-第3章-单级放大器精选.ppt

单级放大器 1.1 共源级 采用电阻负载的共源级（少，因为工艺上电阻不好制作） 带二极管接法负载的共源级（缺点是增益不大） 采用电流源负载的共源级 工作在线性区的MOS为负载的共源级（少，线性电阻影响因素很多，无法确定） 带源级负反馈的共源级 1.1.1采用电阻负载的共源级 概念： M1的栅源之间输入电压信号Vin，通过NMOS的跨导放大，在漏极得到一个小信号电流。电流通过负载电阻产生电压输出。输入栅源电压，输出栅漏电压??共源放大。 1.1.2 采用二极管连接的负载 在CMOS工艺中，制造一个有精确阻值和物理尺寸的电阻是很困难的 。所以常常要求用一个MOS管来代替图3.3 (a) 中的RD。 采用大信号分析得出的结论是一样的：即 性能改进 1.1.3 采用电流源负载的共源级 对共源放大器，有 1.1.4 工作在线性区的MOS为负载的共源级 工作在深线性区的MOS器件的特性像电阻一样,因此可以用来作为共源级的负载。 1.1.5 带源级负反馈的共源级 在模拟电路的八边形的法则中我们可知道，线性化也是一个重要的考虑因素之一。 线性化是希望我们的变量和因变量之间是一种最简单的关系，即它们的增长比例相同。也就是一种线性函数。 但我们知道漏电流和过驱动电压是一种平方关系，如何让他们也呈现出一种线性关系呢？ 本节中是通过用一个负反馈电阻串联在在晶体管的源端来实现。 1.2 源跟随器 源跟随器（共漏放大器）概念 以M1漏极为基准，以栅-漏电压为输入，以源-漏电压驱动负载。 实现阻抗转换 大信号分析 当VinVth时，M1 截止。 当Vin增加,M1导通，得出Vout=Vin-Vth 因为体效应，Vth随Vout而改变，Av 1，非线性。 小信号分析： 增益的非线性 提高增益线性度 输入阻抗 输出阻抗 共栅级 在共源放大器和源跟随器中，输入信号都是加在MOS管的栅极。把输入信号加在MOS管的源端也是可以的 。 共栅级大信号分析 共栅级小信号分析（计入晶体管的输出阻抗以及信号源的阻抗 ） 共栅极增益 共栅极增益 共栅级输入阻抗 共源共栅级 共源共栅级 共源共栅级输出阻抗 电流源负载的共源共栅级 增加L与采用共源共栅结构来提高增益的比较 共源共栅级输出阻抗 共源共栅结构有两种普遍应用的例子： 一是用来增加放大器的输出阻抗，从而提高放大器的增益。二是构成恒定的电流源，高的输出阻抗意味着更好的电流源。 共源共栅级输出阻抗 共源共栅级屏蔽特性 共源共栅晶体管“屏蔽”输入器件，使它不受输出结点电压变化的影响。这种共源共栅结构的屏蔽特性在许多电路中很有用。 共源共栅级屏蔽特性 共栅级特点 输入阻抗较低， 输出阻抗与带负反馈共源级一样 共源共栅级特点 输出阻抗高 增益高，常用来提高增益 输出电压摆幅因层叠的MOS管而有所损失，这在低电源电压运用中是致命的缺点 大信号分析 电流恒定，跨导恒定，Rs=∞： 电流偏置 PMOS源跟随器，可消除体效应所引起的非线性 它使用两个分离的n阱以消除M1的体效应，但P管的低迁移率导致它的输出阻抗 比N管的输出阻抗更高。 低频时输入电流为零，输入阻抗无限大。 直观的： 源跟随器实现大阻抗到小阻抗的转换 源跟随器的戴维南等效 用电阻模拟gmb—对源跟随器成立 戴维南等效电路--〉分压电路 （a)直接耦合的共栅级 （b）电容耦合的共栅级 比电流源负载的共源级的增益增大了 倍 所以经常用共源共栅结构来提高增益 提高增益的两种方法：1、采用共源共栅增大增益 2、在给定的偏置电流情况下通过增大输入晶体管的长度来增大增益 假设共源级的输入管的长度变为原来的四倍而宽度保持不变 过驱动电压增大为原来两倍，晶体管消耗的电压余度与共源共栅级相同 * 李凯文 2015021743 在大多数模拟电路和许多数字电路中，放大器是最基本的功能块 。 将描述四种放大器： 共源放大器； 共栅放大器； 源极跟随器； 共源共栅放大器。 先从最简化的模型着手，逐渐地在考虑沟长调制和体效应这样的二级效应。 共源级电路 (1)如果输入电压从零开始增大,M1截止, VOUT=VDD。 （2）Vin增大到超过并接近VTH时，M1饱和 当Vin继续增大，Vout继续减小，这时 还处在饱和区，直到 比 高出 即在下图中的A点，在A点满足： 从上式可以计算出Vin1-VTH,并进一步 计算出Vout (3)当VinVin1时，M1工作在线性区： （4）如果 的值足够高而进入深线性区， ，并从 下图的等价电路中可得： = 工作在线性区时跨导会下降，所以我们通常要确保 根