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互补金属氧化物半导体硅的研究 --CMOS 姓名：吴丽娟 班级：1113241 学号：30 相机 相机的发展史： 从1839年，法国物理学家达盖尔发明了全世界第一台照相机至今，照相机已经有了174年历史，而数码相机则是从上世纪八十年代开始出现。 ◆数码相机取代胶片机的原因： 快速高效 图像精良 调节便捷 成本低廉 像素：我们若把影像放大数倍，会发现这些连续色调其实是由许多色彩相近的小方点所组成，这些小方点就是构成影像的最小单位“像素”（Pixel） ◇ 影响像素的最重要原因之一：感光元件 ◇ 主要的感光元件分为：CCD和CMOS ◇ 像素及CMOS之间的关系： CMOS是一种特殊半导体器件，上面有很多微小光敏物质感光元件，每个感光元都称作一个像素（Pixel）。一块CMOS上包含的像素数越多，其提供的画面分辨率也就越高。 互补金属氧化物半导体硅 --CMOS CMOS （Complementary Metal Oxide Semiconductor） ◆ 简介：互补金属氧化物半导体，电压控制的一 种放大器件。是组成CMOS数字集成电路的基本单元,可在硅晶圆上制作出PMOS （p-type MOSFET）和NMOS （n-type MOSFET）元件， 由于PMOS与NMOS在特性 上为互补性，因此称为CMOS。 P-n结的形成 ● p型半导体：在一块半导体中，掺入受主杂质，3价元（如硼等）形成的 ● n型半导体：在另一端掺入施主杂志（如磷、砷、锑等） p-n结：将p型半导体和n型半导体制作在同一片硅片上， 在它们的交界面就形成了pn结，如图2.3： 空间电荷区：p区出现负离子区， n区出现正离子区，这些离子是失 去获得到电子的原子，它们不能移 动，pn结两侧的这种离子区域称 为空间电荷区。 内建电场：空间电荷区内的正负离 子形成了内建电场。随着扩散运动的 进行，空间电荷区加宽，相应内建 电场也增强。在内建电场的作用下， 界面两侧的少子发生漂移。 pn结的特性： 1.pn结的正向偏置：p端接电源正极，n端接负极。 2.pn结的反向偏置：p端接电源的负极，p端接正极。 光生伏特效应：（请大家见书p361） 当光子入射到p-n结时，如果光子能量hvEg，在pn结附近激发出点子空穴对。n区的光生空穴被拉向p区，p区的光生电子被拉向n区，结果n区积累了负电荷，p区积累了正电荷，产生光生电动势。若将外电路接通，则有电流由p区向n区。 ∽ CMOS的物理结构 CMOS=PMOS+NMOS 如图为NMOS结构简化图： 该器件制作在P型衬底上， 两个重掺杂N区形成源区 和漏区，重掺杂多晶硅区 作为栅极，一层薄SiO2绝 缘层作为栅极与衬底的隔 离。 如图（b）为CMOS的简化结构图 CMOS技术中，NMOS与PMOS器件必须在同一晶元片上（即 同一个p型衬底上）。由图（b）可知NMOS可以直接做在p型衬底上，但是如何在p型衬底上制造PMOS呢？这就要利用阱工艺了。所谓阱工艺就是将某一种类型的器件做在一个局部衬底上，这个局部衬底就被称为阱（well）。现在大多数CMOS工艺都是在P型衬底上形成n阱，然后将PMOS做在n阱中。 n阱的制造工艺流程 氧化：如果将裸露的硅晶体放在1000℃ 左右的氧化环境中，其表面会形成一层非常均匀的二氧化硅层。二氧化硅可以实现器件之间或金属层之间的电气隔离。 2.光刻：通常要去除硅晶体表面指定区域的氧化物，就是光刻工艺的完成。光刻是用光掩膜mask将电路的版图信息转移到晶片上的过程。 3.掺杂：掺杂分为扩散和离子注入。扩散是将某种杂质原子由材料表面向其内部移动的过程；离子注入是把杂质直接掺入硅晶片的技术。 4.淀积:在厚的绝缘层上淀积多晶硅的一种常用方法是化学气相沉淀（CVD） 5.刻蚀：腐蚀掉窗口处的二氧化硅的工艺 湿法刻蚀，将硅片置于化学溶液中刻蚀（精度较低） 等离子体刻蚀，用等离子体轰击晶片（精度较高） 反应离子刻蚀，用反应气体产生的离子轰击晶体（精度较高） 工作原理 根据CMOS器件的外部连接电压（通常称为偏置电压）情况不同，其工作状态通常可分为3个工作区： 即截止区、线性区、饱和区。接下来以NMOS为例，说明CMOS的工作原理。 饱和区 CMOS