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一、填空题 1、半导体是一种导电能力介于 与 之间的物体。 2、在N型半导体中 为多数载流子， 为少数载流子。 3、当外加电压形成的外电场与PN结的内电场方向一致时，内电场会变 ，相当于阻挡层变 ，PN结处于 状态。 4、当加在二极管上的正向电压超过 电压时，电流才随正向偏压的升高而迅速增大，夺极管进入 状态，二极管正常导通后， 其两端电压近于定值，硅管约为 V，锗管约为 V。 5、利用二极管 特性，把 电变成 电的电路叫整流电路。 6、由于少数载流子数量 ，因此反向电流很小。又由于少数载流子是由 形成的，因此PN结反向电流主要取决于 ，而与 基本无关。 10、PN结具有 性能，即：加 电压时PN结导通；加 电压时PN结截止。 11、当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为 V，锗二极管的正向压降为 V。 15、2AP系列晶体二极管是 半导体材料制成的，2CP、2CZ系列晶体二极管是 半导体材料制成的。 16、晶体二极管因所加 电压过大而 ，并且出现 的现象，称为热击穿。 17、晶体三极管中有两个PN结，其中一个PN结叫做 ；另一个叫做 。 18、晶体三极管IE、IB、IC之间的关系式是 。IC/IB的比值叫 ，△IC/△IB的比值叫 。 19、硅晶体三极管的饱和压降约为 V，锗晶体三极管的饱和压降约为 V。 20、硅晶体三极管发射结的导通电压（门槛电压）约为 V，锗晶体三极管发射结的导通电压约为 V。 21、NPN型晶体三极管的发射区是 型半导体，集电区是 型半导体，基区是 型半导体。 22、若晶体三极管集电极输出电流IC=9mA，该管的电流放大系数为β=50，则其输入电流IB= mA。 23、晶体三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而增大，由于锗三极管的穿透电流比硅三极管 ，所以热稳定性 三极管较好。 24、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而 。 25、三极管的内部结构特点是：基区很 、发射区 集电区 。 26、三极管电流IE、IB、IC之间的关系是IE= ；IB、IC之间的关系是 ；IE、IB之间的关系是 。 27、ICBO表示 开路时，从 到 的反向电流； ICEO表示 开路时，从 到 的反向电流；ICBO和ICEO是表征三极管 的重要参数。ICBO与ICEO的关系是ICEO= 。 28、三极管的三个极限参数：ICM称为 ，PCM称为 ，V（BR）CEO是 开路时，加在 之间的最大允许电压。 29、温度升高后，二极管的正向压降将 ，反向电流将 。 30、三极管属于 控制型器件，属于 极型晶体管。 31、用针式万用表欧姆档的R×100Ω或R×1kΩ挡的红黑表笔分别接二极管的正负极时，电阻较小的一次，红笔接的为二极管的 。 32、NPN型中，只有当针式万用表的黑表笔接_______（基极/集电极/发射极），红表笔分别接其余两个电极时，两次测得的电阻值都很____（小/大）；否则所测得的电阻值都很____（小/大）。 二、选择题 1、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是（ ） A、少数载流子 B、多数载流子 C、既有少数载流子又有多数载流子 2、晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该晶体二极管处于（ ） A、零偏 B、反偏 C、正偏 3、面接触型晶体二极管比较适用于（ ） A、小信号检波 B、大功率整流 C、大电流开关 4、当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（ ） A、减小 B、增大 C、不变 5、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到（ ） A、R×100Ω或R×1kΩ挡 B、R×1kΩ挡 C、R×10kΩ挡 6、半导体中的空穴和自由电子