半导体物理_第八章_半导体表面与MIS结构.ppt

§8.5.2 表面迁移率 理想表面：表面层中原子排列有序、对称与体内原子完全相同，且表面不附着任何原子或分子的半无限晶体表面。 实际表面： 往往存在氧化膜或附着其他分子或原子，这使得表面分析更加复杂难以弄清楚。 表面态：晶格周期性在表面处中断或其它因素而引起的局（定）域在表面附近的电子状态。理想表面上形成的表面态称为达姆表面态。 表面能级：与表面态相应的能级称为表面能级。分布在禁带内的表面能级，彼此靠得很近，形成准连续的分布。 小结 小结 表面电荷层 MIS结构外加偏压之后，在绝缘层一侧的半导体表面附 近形成的电荷区称为表面电荷层。 在表面电荷层内，从表面到内部电场逐渐减弱，到另一端场强 减小到零。 表面势(Vs) 半导体表面电荷层两端的电势差称为表面势。 规定：表面电势比体内高时，Vs取正值； 表面电势比体内低时，Vs取负值。 理想MIS结构的定量分析 - 表面空间电荷层的电场、电势及电容 小结 小结 理想MIS结构的电容-电压特性 金属栅电极 绝缘层 VG VG C0 Cs 半导体 MIS结构 等效电路 理想情况即假设： ⑴ 不考虑功函数的影响； ⑵ 忽略绝缘层中的电荷； ⑶ 忽略表面态的影响； ⑷ 假定绝缘层完全不导电。 讨论MIS结构的C-V特性时，都以单位表面积的电容为准， 以P型半导体为例。 小结 Si-SiO2系统的特性和其中带电情况密切相关，其主要的带电形式有： 可动离子：主要是带正电的Na+ 、 K+ 、 Li+ 、 H+正离子； 固定电荷：位于Si-SiO2界面附近200 ?处； 界面态： Si-SiO2界面处位于禁带中的能级或能带； 电离陷阱电荷：由Ｘ射线、γ射线、电子射线等引起的电荷。 小结 Vs=2VB时，金属板上加的电压习惯上称作开启电压，用VT表示。 当反型层的厚度小到与电子的德布罗意波长相比拟时，反型电子处于量子阱中。此时反型电子沿垂直界面方向的运动发生了量子化，对应的电子能级发生分裂， 形成不连续的电子能级，但电子沿平行于界面方向的运动则不受约束。把这种电子称为二维电子气。 §8.3 MIS结构的电容-电压特性 §8.3.1 理想MIS结构的电容-电压特性 金属栅电极 绝缘层 VG VG C0 Cs 半导体 MIS结构 等效电路 1.理想情况即假设： ⑴ 不考虑功函数的影响； ⑵ 忽略绝缘层中的电荷； ⑶ 忽略表面态的影响； ⑷ 假定绝缘层完全不导电。 讨论MIS结构的C-V特性时，都以单位表面积的电容为准， 以P型半导体为例。 理想的MIS结构的电容相当于绝缘层电容和半导体空间电荷层电容的串联。 §8.3.2 功函数对C-V特性的影响 §8.3.3 绝缘层中电荷对C-V特性的影响 在实际的MIS结构中，其绝缘层中存在有电荷（通常为正电荷），存在的电荷必然对MIS结构的C-V特性产生影响，使半导体表面能带发生弯曲，同样引起C-V曲线沿电压轴平移。 为了恢复平带状态，必须在MIS结构上加一定的偏压。 §8.4 Si-SiO2系统 Si-SiO2系统的特性和其中带电情况密切相关，其主要的带电形式有： 可动离子：主要是带正电的Na+ 、 K+ 、 Li+ 、 H+正离子； 固定电荷：位于Si-SiO2界面附近200 ?处； 界面态： Si-SiO2界面处位于禁带中的能级或能带； 电离陷阱电荷：由Ｘ射线、γ射线、电子射线等引起的电荷。 §8.4.1 可动离子 §8.4.2 固定表面电荷 特征： 这种电荷不能进行充放电，密度用Qfc表示。 位于Si-SiO2界面20 nm范围以内； Qfc不明显受到氧化层厚度或硅中的杂质类型及浓度的影响； Qfc与氧化和退火条件，以及硅晶体的取向有很显著的关系。 §8.4.3 界面态 界面态不仅可以使表面势发生变化，影响器件性能，还可以起复合中心的作用，特别是在表面层出现耗尽层时，会使表面复合中心的作用变得特别有效。因此，尽量减少界面态是很重要的。 §8.4.4 陷阱电荷 §8.5 表面电导及表面迁移率 §8.5.1 表面电导 表面电导的定义： 表面电导是指在半导体表面层内沿平行于表面方向的电导率。 表面电导的大小应取决于表面层内载流子的多少以及表面迁移 率的大小。 表面层中载流子的数目，取决于表面势的大小，所以表面电导 最终也取决于表面势，或者说垂直于表面方向的电场对表面电导起着控制作用。 第八章半导体表面与MIS结构 半导体表面问题在微电子技术的科学实验和生产实践中越 来越显得关键和重要，其原因有三点： 1、半导体表面的状态可以严重地影响半导体器件的性能， 特别是影响器件的稳定性和可靠性。 2、利用半导体表面特有的效应研制出了许多非常重要的新