半导体物理学(第七版)PPT 2016-5.ppt

准中性区的载流子运动情况 稳态时, 假设GL=0 边界条件: 图6.4 欧姆接触边界 耗尽层边界 边界条件 欧姆接触边界 耗尽层边界(pn结定律) 耗尽层边界 P型一侧 P N 耗尽层边界(续) N型一侧 耗尽层边界处非平衡载流子浓度与 外加电压有关 准中性区载流子浓度 理想二极管方程 求解过程 准中性区少子扩散方程 求Jp(xn) 求Jn(-xp) J= Jp(xn)+ Jn(-xp) 理想二极管方程(1) 新的坐标: 边界条件: -xp xn 0 x X’ 空穴电流 一般解 电子电流 P型侧 PN结电流 PN结电流与温度的关系 与理想情况的偏差 大注入效应 空间电荷区的复合 空间电荷区的产生与复合 正向有复合电流 反向有产生电流 空间电荷区的产生与复合-1 反向偏置时, 正向偏置时, 计算比较复杂 VA愈低，IR-G愈是起支配作用 VA?Vbi时的大电流现象 串联电阻效应 q/kT Log(I) VA VA?Vbi时的大电流现象-1 大注入效应 大注入是指正偏工作时注入载流子密度等于或高于平衡态多子密度的工作状态。pn≥nno VA?Vbi时的大电流现象-2 VA?Vbi时的大电流现象-3 VA越大, 电流上升变缓 反向击穿 电流急剧增加 可逆 雪崩倍增 齐纳过程 不可逆 热击穿 雪崩倍增 齐纳过程 产生了隧穿效应 E 隧道穿透几率P： 隧道长度: 隧道击穿: VB<4Eg/q 雪崩击穿：VB>6Eg/q PN结二极管的等效电路 小信号加到PN结上 ~ + - va VA + - P N Rs G C 反向偏置结电容 也称势垒电容或过渡区电容 反向偏置结电容-1 反向偏置结电容-2 耗尽近似下线性缓变结的空间电荷区电荷总量 参数提取和杂质分布 CV测量系统 VA 1/C2 Vbi 扩散电容 非平衡载流子寿命 假定光照产生 和 ，如果光突然关闭， 和 将随时间逐渐衰减直至0，衰减的时间常数称为寿命 ，也常称为少数载流子寿命 单位时间内非平衡载流子的复合概率 非平衡载流子的复合率 复合 n型材料中的空穴 当 时， ，故寿命标志着非平衡载流子浓度减小到原值的1/e所经历的时间；寿命越短，衰减越快 费米能级 热平衡状态下的非简并半导体中有统一的费米能级 统一的费米能级是热平衡状态的标志 准费米能级 当半导体的热平衡状态被打破时，新的热平衡状态可通过热跃迁实现，但导带和价带间的热跃迁较稀少 导带和价带各自处于平衡态，因此存在导带费米能级和价带费米能级，称其为“准费米能级” 准费米能级 注： 非平衡载流子越多，准费米能级偏离 就越远。 在非平衡态时，一般情况下，少数载流子的准费米能级偏离费米能级较大 准费米能级 注： 两种载流子的准费米能级偏离的情况反映了半导体偏离热平衡状态的程度 产生和复合 产生 电子和空穴（载流子）被创建的过程 产生率（G）：单位时间单位体积内所产生的电子—空穴对数 复合 电子和空穴（载流子）消失的过程 复合率（R）：单位时间单位体积内复合掉的电子—空穴对数 产生和复合会改变载流子的浓度，从而间接地影响电流 复合 直接复合 间接复合 Auger复合 （禁带宽度小的半导体材料） （窄禁带半导体及高温情况下） （具有深能级杂质的半导体材料） 产生 直接产生 R-G中心产生 载流子产生 与碰撞电离 练习 1、一般情况下，满足小注入条件的非平衡载流子浓度比平衡载流子浓度小。 （ ） 2、寿命标志着非平衡载流子浓度减小到原值的（ ）所经历的时间。 3、简述小注入条件 4、处于非平衡态的p型半导体中， 和 哪个距 近？为什么？ 陷阱效应 当半导体处于非平衡态时，杂质能级具有积累非平衡载流子的作用，即具有一定的陷阱效应 所有杂质能级都具有陷阱效应 具有显著陷阱效应的杂质能级称为陷阱；相应的杂质和缺陷称为陷阱中心 杂质能级与平衡时的费米能级重合时，最有利于陷阱作用 扩散 粒子从高浓度向低浓度区域运动 扩散电流 半导体内总电流 扩散+漂移 扩散系数和迁移率的关系 考虑非均匀半导体 爱因斯坦关系 在平衡态时，净电流为0 连续性方程 举例 掺杂浓度分别为(a) 和