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光束笔光刻技术 * 张贺 1132920104 Beam Pen Lithography Fengwei Huo，Gengfeng Zheng . Beam Pen Lithography. Nature Nanotechnology:2010 2010 Nano Technology 背景 远场曝光受到衍射限制 近场曝光产率低，损坏掩模，分辨率有限 基于近场扫描光学显微镜技术（NSOM）微孔阵列 · 产率低，扫描区域受限 基于扫描探针显微镜（SPM），聚合物笔光刻技术 * SPM NSOM BPL * 原理 阵列制作 蒸发镀金 PMMA粘接 分离 微孔完成 聚焦离子束 * 特点 实现近场、远场切换 ·不会损坏掩基板 大波长，小特征尺寸， 产量大、效率高 无需掩模、可形成任意图形 * 特点 400nm卤素灯 40nm光刻胶 离子束加工微孔直径50±5nm 110±11nm * 特点 产量大 效率高 15000 个“笔”每平方厘米 孔的平均尺寸在700nm 30min完成1500万点 无丢失  * 特点 无需掩模 方便、成本低 可形成任意图案 182点 500nm孔径 450±70nm * 挑战 “笔”的“可定址性”（ Addressability ） 谢谢 * 各位老师，同学们，大家下午好，今天我要介绍的加工方法是光束笔光刻技术 * 在传统的光学曝光中，远场曝光会受到衍射的限制，所以我们一直在追求更小的波长来实现更高的分辨率。在近场曝光中，会面临着曝光产率低，对掩模的损坏以及掩模厚度的约束所导致的有限分辨率。接下来我们又发明了基于近场扫描光学显微镜的曝光技术，同样面临着产率低，扫描区域受限的问题，接下来又发明了聚合物笔直写的技术，通过聚合物笔蘸分子墨实现直写的光刻技术，基于上述两种技术，我们又开发了光束笔曝光技术，既有微孔，也有聚合物的阵列 * 我们通过在透明聚合物表面镀金，脱离金字塔尖端的金层，在这一端照射，实现曝光。通过对于阵列的移动实现各种图形的曝光。这种微孔阵列的加工方式有两种，一种是通过用胶脱离，一种是通过聚焦离子束加工。我们先来看下第一种，通过光刻形成方形的聚合物阵列，之后再进行等离子轰击，形成倒三角状，然后再表面蒸镀一层金，再与胶粘接触，粘离秒面的金层，完成微孔的加工。同学们可以看一下图片，左侧是聚焦离子束，右侧是粘离得孔 * 各位老师，同学们，大家下午好，今天我要介绍的加工方法是光束笔光刻技术 * 在传统的光学曝光中，远场曝光会受到衍射的限制，所以我们一直在追求更小的波长来实现更高的分辨率。在近场曝光中，会面临着曝光产率低，对掩模的损坏以及掩模厚度的约束所导致的有限分辨率。接下来我们又发明了基于近场扫描光学显微镜的曝光技术，同样面临着产率低，扫描区域受限的问题，接下来又发明了聚合物笔直写的技术，通过聚合物笔蘸分子墨实现直写的光刻技术，基于上述两种技术，我们又开发了光束笔曝光技术，既有微孔，也有聚合物的阵列 * 我们通过在透明聚合物表面镀金，脱离金字塔尖端的金层，在这一端照射，实现曝光。通过对于阵列的移动实现各种图形的曝光。这种微孔阵列的加工方式有两种，一种是通过用胶脱离，一种是通过聚焦离子束加工。我们先来看下第一种，通过光刻形成方形的聚合物阵列，之后再进行等离子轰击，形成倒三角状，然后再表面蒸镀一层金，再与胶粘接触，粘离秒面的金层，完成微孔的加工。同学们可以看一下图片，左侧是聚焦离子束，右侧是粘离得孔 *