微机原理第五章摘要.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * Cache的分级体系结构 一级Cache：容量一般为8KB---64KB 一级Cache集成在CPU片内。L1 Cache分为指令Cache和数据Cache。使指令和数据的访问互不影响。指令Cache用于存放预取的指令。数据Cache中存放指令的操作数。 二级Cache：容量一般为128KB---2MB 在PentiumⅡ之后的微处理器芯片上都配置了二级Cache，其工作频率与CPU内核的频率相同。 * Cache的分级体系结构 系统中的二级Cache CPU L1 Cache L2 Cache 速度和存储容量兼备 提高存取速度 主 存 提供存储容量 * IBM PC/XT存储器的空间分配 00000H 9FFFFH BFFFFH FFFFFH RAM区 640KB 保留区 128KB ROM区 256KB * 本章主要应掌握的知识点 译码电路设计 半导体存储器系统设计 SRAM存储器系统设计 EPROM和EEPROM与系统的连接及其读操作或读、写操作。 * 第5章应注意的几点 基本概念： 不同半导体存储器的特点及应用场合 Cache的基本概念 系统设计： 存储器芯片与系统的连接 译码电路及其他控制信号 存储器扩展技术 能够设计出所需要的内存储器 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 1. 存储器扩展 用多片存储芯片构成一个需要的内存空间； 各存储器芯片在整个内存中占据不同的地址范围； 任一时刻仅有一片（或一组）被选中。 存储器芯片的存储容量等于： 单元数×每单元的位数 字节数 字长 扩展单元 扩展字长 * 2. 存储器扩展方法 位扩展 字扩展 字位扩展 扩展字长 扩展单元数 既扩展字长也扩展单元数 * 位扩展 构成内存的存储器芯片的字长小于内存单元 的字长时——需进行位扩展。 位扩展：每单元字长的扩展。 * 位扩展例 用8片2164A芯片构成64KB存储器。 LS158 A0~A7 A8~A15 2164A 2164A 2164A DB AB D0 D1 D7 0000H FFFFH .… * 位扩展方法： 将每片的地址线、控制线并联，数据线分 别引出。 位扩展特点： 存储器的单元数不变，位数增加。 * 字扩展 地址空间的扩展 芯片每个单元中的字长满足，但单元数不满足。 扩展原则： 每个芯片的地址线、数据线、控制线并联。 片选端分别引出，以使每个芯片有不同的地址范围。 * A0～A10 DB AB D0～D7 A0~A10 R/W CS 2K×8 D0～D7 A0～A10 2K×8 D0～D7 D0～D7 A0~A10 CS 译码器 Y0 Y1 高位地址 R/W 字扩展示意图 * 字扩展例 用两片64K×8位的SRAM芯片构成容量为128KB的存储器 两芯片的地址范围分别为： 20000H～2FFFFH 30000H～3FFFFH * 字扩展例 G1 G2A G2B C B A Y2 Y3 MEMR MEMW A19 A18 A17 A16 74LS138 高位地址： 芯片1： 0 0 1 0 芯片2： 0 0 1 1 A19 A18 A17 A16 芯片1 芯片2 * 字位扩展 设计过程： 根据内存容量及芯片容量确定所需存储芯片数； 进行位扩展以满足字长要求； 进行字扩展以满足容量要求。 若已有存储芯片的容量为L×K，要构成容量为M ×N的存储器，需要的芯片数为： （M / L） ×（N / K） * 字位扩展例 用32Kb芯片构成256KB的内存。 * §5.3 只读存储器（ROM） EPROM EEPROM （紫外线擦除） （电擦除） * 一、EPROM * 1. 特点 可多次编程写入； 掉电后内容不丢失； 内容的擦除需用紫外线擦除器。 * 2. EPROM 2764 8K×8bit芯片 地址信号：A0 —— A12 数据信号：D0 —— D7 输出信号：OE 片选信号：CE 编程脉冲输入：PGM 其引脚与SRAM 6264完全兼容. * 2764的工作方式 数据读出 编程写入 擦除 标准编程方式 快速编程方式 编程写入： 每出现一个编程负脉冲就写入一个字节数据 * 二、EEPROM * 1. 特点 可在线编程写入； 掉电后内容不丢失； 电可擦除。 * 2. 典型EEPROM芯片98C64A 8K×8bit芯片； 13根地址线（A0 —— A12）； 8