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2.3电池制造工艺扩散讲解
扩散 什么是结? 富含电子的区域(N型区)与富含空穴的区域(P型区)的分界处 结的具体位置在哪里? 电子浓度和空穴浓度相同的地方 什么是扩散? 一种材料通过另一种材料的运动,是一种自然的化学过程 是掺杂的一种工艺方法 扩散的发生条件? 一种材料的浓度必须高于另一种材料的浓度 系统内部有足够高 的能量可以使高浓度的材料进入或通过另一种材料 常见的扩散现象 气相扩散:充压喷雾罐(空气清新剂之类) 液相扩散:墨水与水混合 固相扩散:金链子与皮肤 结的扩散形成 大量的杂质气体进入密闭空间(扩散炉) 杂质气体在扩散炉内扩散(气相扩散) 因为进入的杂质气体为N型杂质原子,硅材料内部为P型杂质原子,因为浓度的关系,发生扩散过程 因为扩散到晶圆内部的N型杂质原子数量高于第一层中P型原子数量,形成N型导电层 发生从第一层向第二层的扩散 同样,第二层中的N型杂质的数量高于P型,使第二层转变为N型 向深处继续扩散 什么是同型掺杂? 所掺杂质与原有杂质相同,即在N型硅片中掺入N型杂质或在P型硅片中掺入P型杂质 掺入的杂质原子仅仅在限定区域中提高了杂质原子的浓度,不会形成结 NP结与PN结? NP结:掺杂区中N型原子浓度高 PN结:掺杂区中P型原子浓度高 扩散的工艺目的? 在硅片表面产生具体掺杂原子的数量(浓度) 在硅片表面下的特定位置处形成PN(或NP)结 在硅片表面层形成特定的掺杂原子(浓度)分布 什么是横向扩散? 在扩散过程中,只要满足扩散条件,可朝任意方向运动 横向扩散是指杂质原子的横向运动,在不希望的掺杂区进行了掺杂,或改变了工艺需要的浓度。 扩散工艺步骤 淀积(deposition) 推进氧化(drive-in-oxidation) 淀积工艺的影响因素? 特定杂质的扩散率(diffusivity) 杂质在晶圆材质的最大固溶度(maximum solid solubility) 扩散源的选择? 液态源(如溴化硼BBr3,三氯氧磷POCl3) 气态源(如三氢化砷AsH3,乙硼烷B2H6) 固态源(如硼块(含硼和氮的化合物)) 推进氧化的目的? 杂质在硅片深处的再分布 氧化硅表面 推进氧化的影响 若杂质是N型,会发生所谓的堆积效应,增加了硅表层的杂质数量。 若杂质是P型,会发生相反的效应,降低了硅表层的杂质数量。 太阳电池工艺中的扩散 扩散的目的:形成PN结 扩散装置示意图 影响扩散的因素 管内气体中杂质源的浓度 扩散温度 扩散时间 太阳电池磷扩散方法 三氯氧磷(POCl3)液态源扩散 喷涂磷酸水溶液后链式扩散 丝网印刷磷浆料后链式扩散 POCl3 的特性 POCl3是目前磷扩散用得较多的一种杂质源 无色透明液体,具有刺激性气味。如果纯度不高则呈红黄色。 比重为1.67,熔点2℃,沸点107℃,在潮湿空气中发烟。 POCl3很容易发生水解,POCl3极易挥发。 POCl3磷扩散原理 POCl3在高温下(600℃)分解生成五氯化磷(PCl5)和五氧化二磷(P2O5),其反应式如下: 生成的P2O5在扩散温度下与硅反应,生成二氧化硅(SiO2)和磷原子,其反应式如下: POCl3扩散过程中通氧气的原因? 由上一页的反应式可以看出,POCl3热分解时,如果没有外来的氧(O2)参与其分解是不充分的,生成的PCl5是不易分解的,并且对硅有腐蚀作用,破坏硅片的表面状态。但在有外来O2存在的情况下,PCl5会进一步分解成P2O5并放出氯气(Cl2)其反应式如下: 生成的P2O5又进一步与硅作用,生成SiO2和磷原子,由此可见,在磷扩散时,为了促使POCl3充分的分解和避免PCl5对硅片表面的腐蚀作用,必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气 。 POCl3含氧扩散原理? 在有氧气的存在时,POCl3热分解的反应式为: 磷扩散工艺过程? 清洗 初次扩散前,扩散炉石英管首先连接TCA装置,当炉温升至设定温度,以设定流量通TCA60分钟清洗石英管。 清洗开始时,先开O2,再开TCA;清洗结束后,先关TCA,再关O2。 清洗结束后,将石英管连接扩散源瓶,待扩散。 饱和 每班生产前,须对石英管进行饱和。 炉温升至设定温度时,以设定流量通小N2(携源)和O2,使石英管饱和,20分钟后,关闭小N2和O2。 初次扩散前或停产一段时间以后恢复生产时,需使石英管在950℃通源饱和1小时以上。 装片 戴好防护口罩和干净的塑料手套,将清洗甩干的硅片从传递窗口取出,放在洁净台上。 用石英吸笔或夹子依次将硅片从硅片盒中取出,插入石英舟。 送片 用舟叉将装满硅片的石英舟放在碳化硅臂浆上,保证平稳,缓缓推入扩散炉。 回温 打开O2,等待石英管升温至设定温度。 扩散 打开小N2,以设定流量通小N2(携源)进行扩散 关源,退舟 扩散结束后,关闭小N2和O2,将石英舟缓缓
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