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应变计的非线性度一般要求在0.05％或1％以内。　　　　　　　　（对） 电阻丝式应变传感计的横向效应可以用H=ky/kx=(n-1)ls/[2nl1+(n-1)ls]表示，可见ls（r）愈小，l1愈大，H愈小。即敏感栅愈窄，基长愈长的应变计，其横向效应引起的误差越小。　　　　　　　　　　　　　　　　　（对） 半导体色敏传感器可以用来直接测量从可见光到红外波段内单色的波长，它有两个深度相同的PN结构成。　　　　　　　　　　　　　　　　　（错） 光电二极管的光谱特性与PN结的结深有关。　　　　　　　　　　　（对） 光纤纤芯折射率低于包层的折射率。　　　　　　　　　　　　　　（错） 感湿特征量随环境温度的变化越大,环境温度变化所引起的相对湿度的误差就越小　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（错） 暗市场传感器与亮市场传感器的不同之处在于:它使用从包层进入纤芯的光产生输出信号。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（错） 压缩式压电加速度传感器中为便于装配和增大电容量常用两片极化方向相同的晶片，电学上串联输出。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（错） SAW气敏传感器中，吸附膜吸收了环境中的某种特定气体，使基片表面性质发生变化，导致SAW振荡器振荡频率发生变化，通过测量频率的变化就可检测特定气体成分的含量。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（对） 10、光敏电阻的工作原理是基于光电导效应。　　　　　　　　　　　　（对） 11、电阻应变计的第一对称形式的直流电桥的电压灵敏度不但与供电电压U有关而且与电桥电阻有关。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（错） 12、应变计的测量范围很小　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（错） 13、内光电效应分为两类，光电导效应和光生伏特效应。　　　　　　　（对） 14、光在半导体材料传播是不会产生衰减。　　　　　　　　　　　　　（错） 15、无论何种传感器，若要提高灵敏度，必然会增加非线性误差。　　　（错） 16、在光照射下，电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应，入射光强改变物质导电率的物理现象称为内光电效应。　　　　　　　　　　　（对） 17、基于光生伏特效应的光电器件有光电二极管、光电三极管和光电池。（对） 18、本征半导体（纯半导体）的Eg小于掺杂质半导体　　　　　　　　（错） 19、传感器的阈值，实际上就是传感器在零点附近的分辨力　　　　　　（错） 20、非线性误差的大小是以一拟合直线作为基准直线计算出来的，基准直线不同，所得出的线性度就不一样。　　　　　　　　　　　　　　　　　　（对） 21、湿度传感器感湿特征量之值与外加交流电压的关系称为电压特性。　（对） 22、某些晶体沿一定方向伸长或压缩时，在其表面会产生电荷（束缚电荷），这种效应称为压电效应。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（对） 23、根据敏感元件材料的不同，应变计可分为金属式和半导体式两大类　（对） 24、热敏电阻的电阻温度系数大，电阻与温度的关系近似于线性或为平滑曲线。 （对） 热电偶产生的热电动势是由两种导体的接触电动势和单一导体的温差电动势组成的。 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（对） 26、位移光纤传感器中的两个光栅，适当的减小其中一个光栅栅元宽度可使灵敏度提高，动态范围也将大大的提高。　　　　　　　　　　　　　　　（错） 27、热敏电阻的温度系数随温度减小而增大，低温时热敏电阻温度系数大，灵敏度高，高温时温度系数小，灵敏度低。　　　　　　　　　　　　　　（对） 28、一般压电材料都有一定的温度系数，温度变化引起的频偏往往超过压力变化引起的频偏，不必对温度变化引起的频偏进行补偿。　　　　　　　　（错） 29、对比波长大得多的长度变化，物理扰动P随时间变化的速率与振荡频率f成正比。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（对） 30、热敏电阻的温度系数随温度的增大而增大，所以高温时热敏电阻的温度系数大，灵敏度高。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（错） 31、等臂电桥当电源电压及电阻相对变化一定时，电桥的输出电压及其电压灵敏度与各桥臂阻值的大小无关。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（对） 32、光生伏特效应就是半导体材料吸收光能后,在PN结上产生电动势的效应。　（对） 33、CCD图像传感器是按一定规律排列的MOS电容器组成的阵列。　　　　（对） 34、压电谐振式感器可以不利用压电晶体谐振器的共振频率随被测物理量变化进行测量的。　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　（×） 35、半导体湿度传感器的响应时间分为吸湿响应时间和脱湿响应时间，大多数湿度传感器都是脱湿响应时间