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三星（中国）半导体有限公司12英寸闪存芯片建设项目附属栋 塔吊基础计算书 编制： 审核： 批准 三星物产建设（上海）有限公司 目 录 一．工程概况…………………………………………………………………….2 1.1. 项目基本概况……………………………………………………………….2 1.2. 塔吊基础形式……………………………………………………………….4 编制依据…………………………………………………………………….5 三．施工部署……………………………………………………………………6 3.1. 塔吊平面布置……………………………………………………………….6 3.2. 塔吊基础施工顺序………………………………………………………….6 3.3. 主要施工机械配置计划…………………………………………………….6 塔吊基础设计………………………………………………………………7 质量保证措施……………………………………………………………….34 安全技术措施……………………………………………………………….34 备注……………………………………………………………….…………34 一．工程概况 项目基本概况： 三星（中国）半导体有限公司12英寸闪存芯片建设项目附属栋工程，场地总建筑面积为118万㎡，1期面积为44.7万㎡（1期建筑面积为36.4万㎡）；该工程名称为：三星（中国）半导体