微电子器件原理-第四组实验报告1.docx

重庆师范大学SiGe薄膜材料电阻率与掺杂浓度的关系研究课程名称：微电子器件原理院 系：物理与电子工程学院时 间：2014-2015学年度第1学期专 业：电子信息科学与技术年 级：2012 级 培养层次：本 科 学生姓名： 学 号： 成 绩： 功率二极管结温的实验测试及仿真研究年级：2012级 专业：电子信息科学与技术 指导老师： 龙兴明实验报告1 实验方法与目的：利用前向电压法的结温测量，研究二极管的结温与前向电流、热层温度的变化关系。2 实验设备：实验名称：T-3 LED结温热阻测试系统，如图下所示。图1 T-3 LED结温热阻测试系统3 实验原理LED 热性能的测试首先要测试 LED 的结温,即工作状态下 LED 的芯片的温度。关于LED 芯片温度的测试,理论上有多种方法,如红外光谱法、波长分析法和电压法等等，本实验使用的是电压法。电压法测量LED 结温的主要思想是：特定电流下LED 的正向压降 Vf 与 LED 芯片的温度成线性关系，所以只要测试到两个以上温度点的Vf 值,就可以确定该 LED 电压与温度的关系斜率，即电压温度系数K值，K值可由公式K=Vf/Tj求得。求得K值后，就可以通过测量实时的Vf 值，计算出芯片的温度(结温)Tj。对于用电压法测量结温的仪器有几个基本的要求：3.1 电压法测量结温的基础是特定的测试电流下的 Vf 测量,而?LED?芯片由于温度变化带来的电压变化是毫伏级的,所以要求测试仪器对电压测量的稳定度必须足够高,连续测量的波动幅度应小于 1mV。3.2 这个测试电流必须足够小,以免在测试过程中引起芯片温度变化;但是太小时会引起电压测量不稳定,有些?LED?存在匝流体效应会影响 Vf 测试的稳定性,所以要求测试电流不小于 IV 曲线的拐点位置的电流值。3.3 由于测试LED?结温是在工作条件下进行的,从工作电流(或加热电流)降到测试电流的过程必须足够快和稳定,Vf 测试的时间也必须足够短,才能保证测试过程不会引起结温下降。4 实验步骤正确连接好实验设备，注意在接入LED灯时正负极。4.1 IV曲线测试 测试IV曲线是为了确保连接设备的准确性。测量时设置热沉温度为25℃不变化，电流从1mA到70mA，步进1mA，共测得70组不同If(mA)下的Vf（mV)，得到IV特性曲线。图2 ：ED的IV曲线IV曲线呈指数关系，说明设备连接正常。4.2 K系数测试测量将电流设置为1mA，烤箱温度为30℃—90℃，步进温度20℃,测试过程中保持电流恒定。测量LED的正向电压（Vf1,Vf2，Vf3，Vf4）,这时可近似认为：K=(V1-V0)/(Ta2-Ta1)。图3：K系数测量实验结果如上图所示，经整理后如下表所示： 表1：K系数测量数据ID（mv）(℃)11740550316707904.3 LED结温测试将电流设置为15mA到35mA，步进5mA，每个电流都分别测量热沉温度为30℃，50℃，70℃，90℃时的四组数据，共计20组不同温度与电流下的数据。图4：电流15mA-30℃图为I=15mA，温度为30℃时的数据，完整的数据见附件一，根据图片上的数据整理出下面的表格：表2：LED结温测试数据 Tin(℃)IF（mA）305070901533.153.273.193.32534.454.374.394.62535.555.575.495.83035 36.8 38.156.858.176.778.19798.55 实验结果分析 由表2中数据，利用matlab工具，经过二次插值，绘出不同温度下，结温随工作电流变化的曲线，可以直观的看出其变化。图5：结温数据作图由图5可知，当热沉温度相同时，工作电流不同时，相对应的热参数和电参数会有不同的变化，当电流逐渐增大时，结温、耗散功率也逐渐增大，呈正比例关系。并由表2可知，当电流不变，温度增加时，测量误差变化不大；当温度不变，电流增大时，测量的误差也变得越来越大，可见，影响LED芯片的温度主要因素是通过LED芯片的电流强度。附件：Matlab 程序：second=30:20:90;y1=[33.1, 53.2, 73.1, 93.3];y2=[34.4, 54.3, 74.3, 94.6];y3=[35.5, 55.5, 75.4, 95.8];y4=[36.8, 56.8, 76.7, 97];y5=[38.1, 58.1, 78.1, 98.5];t=interp1(second,y1,h,spline); t=interp1(second,y2,h,spline); t=interp