北京大学政学者论文集2002年制备纳米结构Ga2O3的初步探索.docVIP

制备Ga2O3纳米带的初步探索 Synthesis of Ga2O3 nanobelts 物理学院99级 贺言 王鹏 摘要 纳米结构半导体具有重要的理论研究价值和潜在的应用前景。本文试图寻找合成氧化镓纳米带的新方法，即：在常压(1atm)、一定温度(850oC)下，直接将Ga蒸发、氧化而制备，初步尝试的结果表明利用该方法可以获得Ga2O3纳米带。文中通过SEM分析了合成产物的微观形貌，并利用X射线衍射仪分析了其晶体结构，另外对纳米带的生长机制进行了定性探讨。 Abstract Nanostructured semiconductor is important for both theoretical research and future application. This paper endeavored to find a new method to fabricate Ga2O3 nanobelts. In this method, the gallium was directly evaporated and oxidized in 1atm pressure and at high temperature (850oC). The results re