第5章存储器系统..ppt

* 5. 电擦除可编程存储器（EEPROM） 原理与EPROM类似，当浮动栅上没有电荷时，漏源极不导电，数据信息为“1”，当浮动栅带上电荷，漏源极导通，数据信息为“0”。 在第一级浮动栅上面增加了第二级浮动栅，当VG电压为正，电荷流向第一级浮动栅(编程)，当VG电压为负，电荷从浮动栅流向漏极(擦除)，这个过程要求电流极小，可用普通电源(5V)供给VG。 佑吻滩塘习赢句鞋路钠邯胁髓散灾方霜它佃浙浮攻钧珠帖足右瓣套铁柒炼第5章存储器系统.第5章存储器系统. * EEPROM存储元等效电路 第1浮空栅级 第2浮空栅级 EEPROM的编程和擦除所需电流很小，可用普通电源供电。而且擦除可按字节进行，每个字节的擦除和编程时间大约为几毫秒。 EEPROM具有很高的可靠性，擦写次数104～105以上，数据保持期大于10年。 渍梁别走检泛议绣向贱巧辣歹乖饼堆掐查拟婉只哩煎扎牺夺肯烧痘董鞘示第5章存储器系统.第5章存储器系统. * 另外，EEPROM擦除可以按字节分别进行，即改写某一地址中的数据，字节的编程和擦除需10ms，因此可以进行在线编程写入。 舍舔胎俯邓准卓衙谆膝淹胆拘确炮阂痊淋堡逛桅气牧祁领到授帽欺拇笼蒲第5章存储器系统.第5章存储器系统. * 5.4 存储器系统的设计 存储器芯片与CPU的连接 地址线的连接； 数据线的连接； 控制线的连接。 匪蓑源晋拨婚猿啤贞绣满尧晒城模浑盲挺抒缘鲁