NMOS器件制作流程..doc

1．启动exceed； 2．启动C:\ISE\BIN\GENESISEe，也可为其添加一个快捷方式。 3．启动后，出现窗口如图2 。 图1 启动exceed 图2 ISE7.0启动界面 图3 ISE7.0启动界面 4.打开ISE project窗口（双击project图标，左上角），在左边树状图中单击Example_Library_7.0.lnk, NMOS, 选中Id_Vd_curves,单击工具栏中的复制图标（下图第三个图标），弹出窗口如图4 所示，点击“Yes All”，“Id_Vd_curves”就被复制到 “COPYED_OBJECT_【计算机名】”目录下了，此时会在根目录下新建一个文件夹。（如图6） 图4 点击yes 图5 工具栏 图6 复制后的Id_Vd_curves，第一个文件夹为新建文件夹 5.选中复制出来的文件，单击工具栏地7个图标（工具栏见图二）激活文件。激活后文为黄色。（见图6） 6.关闭上图窗口6，双击主窗口左边第二个图标“Status”，出现子窗口如图7 所示。该窗口右边有9个按钮，其中“edit”配置器件结构的描述、模拟过程、结果显示等所有输入文件，“Run all”即开始模拟，“Abort”可以中断模拟。“Deselect”取消该工程的激活状 态，等等。 图7 Status 窗口 6.点击 cleaner up按钮，出现如下图弹出窗口，点击ok。文件变为绿色。 图8 clean up窗口 7.点击edit文件周围会出现一个黑框。此时进入“Id_Vd_curves”工程的修改状态。 图9 激活后的文件 7．双击主窗口左边的“Tool Flow”图标，出现工具使用流程窗口，如图8 所示。该窗口左边显示了本工程使用的工具和使用流程，右边是本集成环境可以使用的工具，我们可以把右边的工具拖入到左边的流程中，完成自己的设计。“Id_Vd_curves”这个工程使用了三个工具，另外设置了一个全局参数。该工程的模拟流程为：MDraw 把输入的器件二维剖面结构调用Mesh 工具产生模拟用的离散化网格，然后Dessis 模拟器件的工作，统计数据，得到电流、电场等结果，最后用Inspect把模拟结果用曲线图显示出来，另外也可以用picasso 来观察器件内部的电场、电流分布等情况。 图10 tool flow窗口 8.先选中左侧流程图中的mydraw图标，在点击toolsflow 菜单栏中的的edit，出现下拉菜单。 图11 选中input 选项 9.选中input项，此时会出现如下窗口。 图12 选中 boundary选项 10.选中boundary 项启动mydraw 窗口。 图13 mydraw 启动窗口 11．可以同时启动两个mydraw窗口，以便借鉴例子的参数。 12.点击mydraw 窗口菜单栏file项选择new选项，新建一个文件。 图14新建文件 图15 新建的文件 13.新建后右边作图区清空，我们重新画一个NMOS的二维截面图。画硅基MOS 器件的 流程一般是： A． 作出器件所在的体（单晶硅）； B． 作出栅极下的二氧化硅层； C． 作出栅极（多晶硅）； D． 作出各个接触点（contact）； E． 作出表面上方的硅绝缘层（可省略）； F． 对各个区域掺杂。 14.选择要画的区域使用的材料。点击菜单上的“material”，会弹出很多材料供选择， 点击其中的“Silicon”，选择器件所在的体为单晶硅，如图16 所示。 图16 材料选择 15.选择左上按钮中的“Add Rectangle”，画体硅矩形（如图16）。为了精确定义 体硅区域，我们选中左下选项中的“Exact Coordinates”，如图17 所示。 图17精确画图 16.在右边作图区任意拖一个框，此时弹出一个对话框，它会让你填写你所画矩 形的精确信息，填写内容如图18 所示。我们可以将边界坐标定义为区域需要的尺寸大小。 图18 衬底尺寸设置 17.确定后，作图区出现体硅的图形，如图19 所示。 图19 衬底截面图 18. 如果产生的图形位置不便于观察，可以选中左边的“Zoom”按钮放大观察，也可以 点击其下面的“Zoom Out”按钮缩小观察。如果图形位置不正，可以点击菜单中“View” －“Zoom Reset”，图形会自动调整到最佳观察位置。 如果产生的图形不合适，可以选中左边的“Delete”按钮，然后再单击作图区中的图 形块就可以将该块删除。 如果想修改区域边界，选中左边的“Move Point”按钮，并确保“Exact Coordinates” 项选中。此时将鼠标放在一个边界点上，就会弹出一个对话框（如图20），此时可以修改该 点坐标，修