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碳化硅在电力电子器件上的应用摘要：本文从肖特基势垒二极管、pn结二极管、功率MOS、功率BJT、GTO以及功率模块等各种碳化硅电力电子器件研究开发的进展及其发展前景，指出碳化硅的优势不仅仅限于能提高功率开关器件的电压承受能力、高温承受能力和兼顾频率与功率的能力，还在于能大幅度降低器件的功率消耗，使电力电子技术的节能优势得以更加充分的发挥；及其在电力电子领域应用的简要介绍。1引言作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅不但击穿电场强度高、热稳定性好，还具有载流子饱和漂移速度高、热导率高等特点，可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件，应用于硅器件难以胜任的场合，或在一般应用中实现硅器件难以达到的效果。使用碳化硅制造的电力电子器件，其最高工作温度有可能超过600 ℃，可在硅器件难以承受的高温下长时间稳定工作。不仅如此，在额定阻断电压相同的前提下，碳化硅功率开关器件不但通态比电阻很低，其工作频率一般也要比硅器件高10倍以上。因此，包含微波电源在内的电力电子技术有可能从碳化硅材料的实用化得到的好处，这不仅是整机性能的改善，也有整机体积的大幅度缩小更有其对工作环境的广泛适应性[1]。2碳化硅的性质碳化硅又称碳硅石，在日常生活中根据其用途又称为金刚砂或耐火石。属于IV(A)-IV(A)族共价化合物，也是由碳和硅原子组成的唯一稳定的固态化合物。C-Si间通过Sp3键结合在一起，形成具有类似于金刚石的六面体结构，呈四面体排列，如图1，结构决定性质，碳化硅的众多优异性能，都与它的晶体结构有必然的联系，如碳化硅的高机械强度、化学稳定、耐腐蚀等性能。碳化硅属于硬质材料，其硬度仅次于金刚石。从晶体结构方面来讲SiC具有很多种同质多型体，迄今为止己多达250种以上[2]。图1 碳化硅的四面体结构碳化硅晶型很多，但大致可以归纳为两大类[4-5]：α-SiC和β-SiC。其中β-SiC为3C-SiC碳化硅众多同质异构体中唯一的立方结构晶体，称为立方碳化硅，其它六方晶系纤维锌矿结构和菱形结构的SiC统称为α-SiC。碳化硅具有严格的化学计量组成，对于β-SiC来说，Si：C=1.049，而对于α-SiC则Si：C=1.032。并且，后者沿主对称轴的位移为硅原子相邻两层之间距离的四分之一，硅原子和碳原子最小间距为0.189nm。β-SiC的键能小、晶格自由能大，所以易成核且需要的生长温度较低。同时，在碳化硅的多型体间存在着一定的热稳定性的关系：β-SiC是低温稳定型，而α-SiC则是高温稳定型[6]。表1中所列为3C-SiC与4H-SiC和6H-SiC的性能比较。表1 各类材料的性能参数性质材料Si3C-SiC4H-SiC6H-SiC电子迁移率μe（cm2/Vs）14008001000400饱和电子漂移率wsat（107cm/S）1.02.22.02.0空穴迁移率μp（cm2/Vs）60040115105带隙Eg（eV）（T5K）1.122.393.263.02击穿电场Eb（106V/cm）0.342.24介电常数εr11.89.729.79.663碳化硅电力电子器件研发进展进入新世纪以来，碳化硅电力电子器件的研发工作进展很快。图2示出历年报道的碳化硅pn结二极管和肖特基势垒二极管的阻断电压BV以及碳化硅场效应晶体管的品质因子FM(定义为器件阻断电压的平方与器件通态比电阻之比，单位W/cm2 )的最高水平随时间递增的情况。由图2可见，这些代表着电力电子器件基本性能的特征参数自1998年以来，尤其是进人新世纪以来增长很快。场效应器件的研发进展尤其明显，表明其发展潜力很大。图2 SiC器件研发进程中二极管阻断电压和场效应器件品质因子的增长就应用要求而言，电力电子器件除了要尽可能降低静态和动态损耗以外，还要尽可能地提高浪涌电流的承受能力。由于浪涌电流会引起器件结温的骤然升高，通态比电阻偏高的器件，其浪涌电流承受力必然很低。由于单极功率器件的通态比电阻随其阻断电压的提高而迅速增大，硅功率MOS只在电压等级不超过100 V时才有开关较大电流的能力，具有较好的性能价格比。尽管硅IGBT在这方面有很大的改进，但其开关速度比功率MOS低，不能满足高频应用的需要。理论分析表明，用6H-SiC和4H-SiC制造功率MOS，其通态比电阻可以比同等级的硅功率MOS分别低100倍和2000倍[7]。这就是说，如果用碳化硅制造单极器件，在阻断电压高达10 kV的情况下，其通态压降仍然会比硅双极器件低，而单极器件在工作频率等方面相对于双极器件有很多明显的优势。因此，对碳化硅电力电子器件的研究和开发，从一开始就比较集中于肖特基势垒二极管和MOSFET，并首先从肖特基势垒二极管开始了碳化硅电力电子器件的商业应用。目前，碳化硅肖特基势垒二极管的全球市场容量大约是400万美元。4碳化硅电力电子器件的应用由于