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微电子器件设计作业—MOSFET 考虑一个理想N沟和P沟MOSFET互补对，要将其设计为偏置相同时的I—V曲线也相同。器件有相同的氧化层厚度tox=25nm，相同的沟道长度L=2μm，假设二氧化硅层是理想的。N沟器件的沟道宽度为W=20μm，μn=600cm2/Vs，μp=220 cm2/Vs，且保持不变。（a）确定p型和n型衬底掺杂浓度。（b）阈值电压是多少？（c）p沟器件的沟道宽度是多少？ 设计方案 分析 但实际工业生产中，NMOS和PMOS均做在同一晶片上，即共用同一衬底。在互补MOS技术中，同时用到了NMOS和PMOS，而PMOS器件的实现可以通过将所有的掺杂类型取反。 对于本设计来说： 互补对：指NMOS和PMOS特性的绝对值相等； 偏置相同：指二者所加偏压的绝对值相同，当所加偏置电压相同时I—V、ID—VDS 和ID—VGS曲线都分别相同。也即是两个MOS管的阈值电压和偏置相同时的跨导gm均相等。 迁移率：由于实际中的有效迁移率受诸多因素（栅电压、衬底浓度不均匀等）的影响,如果要精确确定器件的特性,需要大量的误差计算,以及结合实际实验和设备的有关测量进行准确设计。因此在本设计中，迁移率视为恒定的有效迁移率,。同时，忽略温度的影响, 掺杂浓度对载流子有散射作用。在MOS管的反型层中，当表面感生电荷密度小于10e12cm-2时，电子和空穴的有效迁移率均是常数，为半导体内迁移率的一半。 模型：因为N沟和P沟MOSFET沟道长度相等，均为L=2μm,属于长沟道器件，该设计整体选定长沟道MOS器件模型。 确定各参数 1、确定p型和n型衬底掺杂浓度 （1）、计算P型衬底掺杂浓度 衬底浓度时采用半导体载流子扩散模型。根据要求，形成反型层后电子迁移率μn=600cm2/Vs。由于在MOS管的反型层中，表面感生电荷密度小于10e12cm-2时，电子和空穴的有效迁移率是常数，为半导体内迁移率的一半，则半导体内电子迁移率μn=1200cm2/Vs。 利用半导体载流子扩散模型： （2.115） 可以计算出：P型衬底浓度为Nap=1.48×1016 / cm3 （2）、计算N型衬底掺杂浓度 形成反型层后的空穴迁移率μp=220 cm2/Vs,半导体内迁移率那么就为μp=440 cm2/Vs. 利用半导体载流子扩散模型： （2.116） 则，P型衬底中n阱的衬底经补偿效应后的有效浓度为: Nd=2.15×1017 / cm3 即，Nan=（2.15+0.148）×1017 / cm3=2.20×1017/ cm3 综上，p型衬底掺杂浓度Nap=1.48×1016 / cm3 n型衬底掺杂浓度Nan=2.20×1017/ cm3 2、确定阈值电压 （1）、NMOS 阈值电压为： 平带电压Vfb： 根据设计要求，控制硅-氧界面中的电荷很低，可忽略硅-氧界面中的电荷，则 即， 对于P型衬底： （2.181） 根据相关参数取值：ni=1.06×1010/ cm3 q=1.6×10-19C 解得：=-0.56-0.37=-0.93 V, 且，=50÷250×6.9 fF / um2=1.38×10-7 F / cm2 = 1.04×10-12F / cm 解得：=0.44V 初始阈值电压为：=-0.93+0.74+0.44=0.25V 但是，需要调整阈值电压至0.7V,由于初始阈值电压比目标阈值电压低，可以向沟道区注入带正电荷的杂质以补偿反型层电子来实现，一般掺P，由磷原子替代硅而形成+1价电荷。 掺入的杂质浓度为：Qzn= =3.88×1011 / cm3 （2）PMOS 同上NMOS，可得阈值电压为： 对于N型衬底： （2.182） 根据相关参数取值：ni=1.06×1010/ cm3 q=1.6×10-19C 解得：=0.56+0.44=1.00 V, （PMOS管采用型硅衬底此值负=50÷250×6.9 fF / um2=1.38×10-7 F / cm2 = 1.04×10-12F / cm 解得，=1.82V （PMOS管采用型硅衬底此值负 初始阈值电压为：=1.00-0.88-1.82=-1.7V 同理，调整阈值电压至-0.7V，初始阈值电压比目标阈值电压低，可向沟道区掺P以使沟道形成正电荷反型层，降低阈值电压。 掺入的杂质浓度为：Qzp= =8.63×1011 / cm3 综上，初始阈值电压为： N沟器件：=0.25V P沟器件：=-1.7V 阈值电压最终调为： N沟器件：=0.7V P沟器件：=0.7V 3、确定p沟器件的沟道宽度 由前面分析，偏置相同时跨导gm相等,以NMOS器件工作在饱和区，跨导为：