晶硅太阳能电池及前沿技术.docxVIP

晶硅太阳能电池特点晶硅电池包括单晶硅和多晶硅，在硅系列太阳能电池中，单晶硅太阳能电池的转换效率无疑是最高的，技术也最成熟，在大规模应用和工业生产中仍旧占据主导地位。虽然晶体硅太阳能电池被广泛应用，但晶体硅的禁带宽度Eg=1.12eV，太阳能光电转换理论效率相对较低；硅材料是间接能带材料，在可见光范围内，硅的光吸收系数远远低于其它太阳能光电材料，如同样吸收95％以上的太阳光，GaAS太阳电池只需要5～10μm，而硅太阳电池在150～200μm以上，才能有效地吸收太阳能；高性能单晶硅电池是建立在高质量单晶硅材料和相关成熟的加工工艺基础上。提高转换效率主要是靠单晶硅表面微结构处理和分区掺杂工艺。由于受单晶硅材料价格及相应繁琐的电池工艺影响，致使单晶硅成本据高不下；硅太阳电池尺寸相对较小，若组成光伏系统，要用数十个相同的硅太阳电池连接起来，造成系统成本较高。这些因素严重影响了其广泛应用。为解决单晶硅太阳能电池的制造过程复杂、能耗大的缺点，用浇铸法或晶带法制造的多晶硅太阳能电池的开发取得了进展。但是多晶硅材料质量比单晶硅差，有许多晶界存在，电池效率比单晶硅低；晶向不一致，表面织构化困难。但多晶硅太阳能电池经过不断的努力，目前其能量转换效率与单晶硅太阳能电池已基本上在同一个数量级。特别是多晶硅电池可以制成方形，在制作太阳能电池组件时面积利用率高。今后，在如何开发新技术以得到低价格的多晶硅材料，如何得到高效率、大面积多晶硅太阳能电池等方面还有许多工作可做。晶硅太阳能的发展趋势高效电池是光伏的突围之匙，近年来晶硅太阳能电池的转换效率取得重大进展，浆料及丝网印刷技术进步最快；但随之而来的是银的消耗日益突出，其成本已占到电池成本的17%左右，如图2－4为量产太阳能电池的转换效率。图2－4量产太阳能电池的转换效率晶体硅电池发展的趋势是低成本、高效率，这是光伏技术的发展方向。低成本的实现途径包括效率提高、成本下降及组件寿命提升三方面。效率的提高依赖工艺的改进、材料的改进及电池结构的改进。成本的下降依赖于现有材料成本的下降、工艺的简化及新材料的开发。组件寿命的提升依赖于组件封装材料及封装工艺的改善。因而，晶体硅电池发电的平价上网时间表除了与产业规模的扩大有关外，最重要的依赖于产业技术（包括设备和原材料）的改进。仅靠工艺水平的改进对电池效率的提升空间已经越来越有限，电池效率的进一步提升将依赖新结构、新工艺的建立。具有产业化前景的新结构电池包括选择性发射极电池、异质结电池、背面主栅电池及N型电池等。这些电池结构采用不同的技术途径解决了电池的栅线细化、选择性扩散、表面钝化等问题，可以将电池产业化效率提升2～3个百分点。为了进一步降低成本、提高效率，各国光伏研究机构和生产商不断改善现有技术，开发新技术。如新南威尔士大学研究了近20年的先进电池系列PESC、PERC、PERL电池，2001年，PERL电池效率达到24.7％，接近理论值，是迄今为止的最高记录。后来由此衍生了南京中电的SE电池与尚德的PLUTO电池，PLUTO电池的本质即是将实验室PERL电池进行量产，SE电池可以算是尚德PLUTO电池的一个简化版，它们都是从PE系列电池演变而来，因为无论是PESC、PERC，还是PERL电池均含有SE电池最典型的选择性发射极技术，SE技术只选取PE系列收益最明显、同时产业化相对容易的前表面结构部分。相对于尚德PLUTO是对PERL技术的“高仿”电池，中电SE电池可视为“低仿”，如图2－5 PERL电池结构是PERL电池结构图。图2－5 PERL电池结构PERL电池具有高效率的原因在于：(1)电池正面采用“倒金字塔”，这种结构受光效果优于绒面结构，具有很低的反射率，从而提高了电池的短路电流JSC.(2)淡磷、浓磷的分区扩散。栅指电极下的浓磷扩散可以减少栅指电极接触电阻；而受光区域的淡磷扩散能满足横向电阻功耗小，且短波响应好的要求;(3)背面进行定域、小面积的硼扩散P+区。这会减少背电极的接触电阻，又增加了硼背面场，蒸铝的背电极本身又是很好的背反射器，从而进一步提高了电池的转化效率;(4)双面钝化。发射极的表面钝化降低表面态，同时减少了前表面的少子复合。而背面钝化使反向饱和电流密度下降，同时光谱响应也得到改善；但是这种电池的制造过程相当繁琐，其中涉及到好几道光刻工艺，所以不是一个低成本的生产工艺。其他如SunPower公司开发出一种采用丝网印刷工艺的低成本背面点接触电池，效率已达22%；三洋公司生产的HIT电池，研发效率可达23.7%；德国Konstanz ISEC采用n型ZEBRA IBC技术研发的双面电池得到了21.1%效率，背面的光照可得到20%额外的输出功率。太阳电池硅片技术发展趋势是薄片化，降低硅片厚度是减少硅材料消耗、降低晶硅太阳电池成本的有效技术措施，是