微电子学总结.docVIP

  1. 1、本文档共12页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  5. 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  6. 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  7. 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  8. 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
微电子学总结

微电子学概论 微电子学的概念(简答题) 微电子学是研究在固体(主要是半导体)材料上构成的微小型化电路及系统的电子学分支 (填空、选择) 微电子学——微型电子学 核心——集成电路 集成电路的概念 集成电路:Integrated Circuit,缩写IC。是指通过一系列工艺,在单片半导体材料上(Si或GaAs)加工出许多元器件(有源和无源),这些元器件按照一定要求连接起来,作为一个不可分割的整体执行某一特定功能。 晶体管的发明 ENIAC计算机是由电子管构成的(填空、选择) 1947年12月23日,第一次观测到了具有放大作用的晶体管 历史方向 1958年 基尔比 研制出了世界上第一块集成电路, 并于1959年公布 Moore定律 狭义:集成电路产业的集成度按照每18个月翻一番的速度递增(填空) 特征尺寸是指器件中最小线条宽度,常常作为技术水平的标志。 集成电路的分类 按照器件结构类型 双极 MOS BiMOS 双极集成电路:主要由双极晶体管构成 NPN型双极集成电路 PNP型双极集成电路 金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路:主要由MOS晶体管(单极晶体管)构成 NMOS PMOS CMOS(互补MOS) 双极-MOS(BiMOS)集成电路:同时包括双极和MOS晶体管的集成电路为BiMOS集成电路,综合了双极和MOS器件两者的优点,但制作工艺复杂。 按照集成电路规模 小规模集成电路(Small Scale IC,SSI) 中规模集成电路(Medium Scale IC,MSI) 大规模集成电路(Large Scale IC,LSI) 超大规模集成电路(Very Large Scale IC,VLSI) 特大规模集成电路(Ultra Large Scale IC,ULSI) 巨大规模集成电路(Gigantic Scale IC,GSI) 按照结构形式 单片集成电路: 混合集成电路: 按照电路功能 数字集成电路(Digital IC):它是指处理数字信号的集成电路,即采用二进制方式进行数字计算和逻辑函数运算的一类集成电路 模拟集成电路(Analog IC): 数模混合集成电路(Digital - Analog IC) 微电子学中的空间尺度通常是以微米(?m, 1?m=10-6m)和纳米(nm, 1nm = 10-9m)为单位的。 微电子学的特点是什么? 微电子学:电子学的一门分支学科 微电子学以实现电路和系统的集成为目的,故实用性极强。 微电子学是信息领域的重要基础学科 微电子学是一门综合性很强的边缘学科 微电子学是一门发展极为迅速的学科,高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向 微电子学的渗透性极强 半导体物理和器件物理基础 什么是半导体? 金属:电导率106~104(W?cm-1),不含禁带; 半导体:电导率104~10-10(W?cm-1),含禁带; 绝缘体:电导率10-10(W?cm-1),禁带较宽; 半导体的特点: (1)电导率随温度上升而指数上升; (2)杂质的种类和数量决定其电导率; (3)可以实现非均匀掺杂; (4)光辐照、高能电子注入、电场和磁场等影响其电导率;硅:地球上含量最丰富的元素之一,微电子产业用量最大、也是最重要的半导体材料。化合物半导体:III族元素和V族构成的III-V族化合如,GaAs(砷化镓),半导体中的载流子:在半导体中,存在两种载流子,电子以及电子流失导致共价键上留下的空位(空穴)均被视为载流子。通常N型半导体中指自由电子,P型半导体中指空穴,它们在电场作用下能作定向运动,形成电流。MOS晶体管分类 答:按载流子类型分: NMOS: 也称为N沟道,载流子为电子。 PMOS: 也称为P沟道,载流子为空穴。 按导通类型分: 增强(常闭)型:必须在栅上施加电压才能形成沟道。 耗尽(常开)型:在零偏压下存在反型层导电沟道,必须在栅上施加偏压才能使沟道内载流子耗尽的器件。 四种MOS晶体管:N沟增强型;N沟耗尽型;P沟增强型;P沟耗尽型(选择) 载流子的输运有哪些模式?对这些输运模式进行简单的描述。 答:载流子的漂移运动:载流子在电场作用下的运动 载流子的扩散运动:载流子在化学势作用下运动 讨论PMOS晶体管的工作原理,写出PMOS管的电流电压方程。 答:PMOS: 也称为P沟道,载流子为空穴。 PMOS管I~V特性 电流-电压表达式: 线性区:Isd=βp (|Vgs|-|Vtp|-|Vds|/2) |Vds| 饱和区:Isd=(βp/2)(|Vgs|-|Vtp|)2 17,MOS场效应管的工作原理 简述P沟道增强型场效应管的工作原理(必考) 看相册里的图 开启电压VGS(th)

文档评论(0)

juhui05 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档