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微电子学总结
微电子学概论
微电子学的概念(简答题)
微电子学是研究在固体(主要是半导体)材料上构成的微小型化电路及系统的电子学分支
(填空、选择)
微电子学——微型电子学
核心——集成电路
集成电路的概念
集成电路:Integrated Circuit,缩写IC。是指通过一系列工艺,在单片半导体材料上(Si或GaAs)加工出许多元器件(有源和无源),这些元器件按照一定要求连接起来,作为一个不可分割的整体执行某一特定功能。
晶体管的发明
ENIAC计算机是由电子管构成的(填空、选择)
1947年12月23日,第一次观测到了具有放大作用的晶体管
历史方向
1958年 基尔比 研制出了世界上第一块集成电路, 并于1959年公布
Moore定律
狭义:集成电路产业的集成度按照每18个月翻一番的速度递增(填空)
特征尺寸是指器件中最小线条宽度,常常作为技术水平的标志。
集成电路的分类
按照器件结构类型 双极 MOS BiMOS
双极集成电路:主要由双极晶体管构成
NPN型双极集成电路
PNP型双极集成电路
金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路:主要由MOS晶体管(单极晶体管)构成
NMOS
PMOS
CMOS(互补MOS)
双极-MOS(BiMOS)集成电路:同时包括双极和MOS晶体管的集成电路为BiMOS集成电路,综合了双极和MOS器件两者的优点,但制作工艺复杂。
按照集成电路规模
小规模集成电路(Small Scale IC,SSI)
中规模集成电路(Medium Scale IC,MSI)
大规模集成电路(Large Scale IC,LSI)
超大规模集成电路(Very Large Scale IC,VLSI)
特大规模集成电路(Ultra Large Scale IC,ULSI)
巨大规模集成电路(Gigantic Scale IC,GSI)
按照结构形式
单片集成电路:
混合集成电路:
按照电路功能
数字集成电路(Digital IC):它是指处理数字信号的集成电路,即采用二进制方式进行数字计算和逻辑函数运算的一类集成电路
模拟集成电路(Analog IC):
数模混合集成电路(Digital - Analog IC)
微电子学中的空间尺度通常是以微米(?m, 1?m=10-6m)和纳米(nm, 1nm = 10-9m)为单位的。
微电子学的特点是什么?
微电子学:电子学的一门分支学科
微电子学以实现电路和系统的集成为目的,故实用性极强。
微电子学是信息领域的重要基础学科
微电子学是一门综合性很强的边缘学科
微电子学是一门发展极为迅速的学科,高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向
微电子学的渗透性极强
半导体物理和器件物理基础
什么是半导体?
金属:电导率106~104(W?cm-1),不含禁带;
半导体:电导率104~10-10(W?cm-1),含禁带;
绝缘体:电导率10-10(W?cm-1),禁带较宽;
半导体的特点:
(1)电导率随温度上升而指数上升;
(2)杂质的种类和数量决定其电导率;
(3)可以实现非均匀掺杂;
(4)光辐照、高能电子注入、电场和磁场等影响其电导率;硅:地球上含量最丰富的元素之一,微电子产业用量最大、也是最重要的半导体材料。化合物半导体:III族元素和V族构成的III-V族化合如,GaAs(砷化镓),半导体中的载流子:在半导体中,存在两种载流子,电子以及电子流失导致共价键上留下的空位(空穴)均被视为载流子。通常N型半导体中指自由电子,P型半导体中指空穴,它们在电场作用下能作定向运动,形成电流。MOS晶体管分类
答:按载流子类型分:
NMOS: 也称为N沟道,载流子为电子。
PMOS: 也称为P沟道,载流子为空穴。
按导通类型分:
增强(常闭)型:必须在栅上施加电压才能形成沟道。
耗尽(常开)型:在零偏压下存在反型层导电沟道,必须在栅上施加偏压才能使沟道内载流子耗尽的器件。
四种MOS晶体管:N沟增强型;N沟耗尽型;P沟增强型;P沟耗尽型(选择)
载流子的输运有哪些模式?对这些输运模式进行简单的描述。
答:载流子的漂移运动:载流子在电场作用下的运动
载流子的扩散运动:载流子在化学势作用下运动
讨论PMOS晶体管的工作原理,写出PMOS管的电流电压方程。
答:PMOS: 也称为P沟道,载流子为空穴。
PMOS管I~V特性 电流-电压表达式:
线性区:Isd=βp (|Vgs|-|Vtp|-|Vds|/2) |Vds|
饱和区:Isd=(βp/2)(|Vgs|-|Vtp|)2
17,MOS场效应管的工作原理
简述P沟道增强型场效应管的工作原理(必考) 看相册里的图
开启电压VGS(th)
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