中南大学 微电子制造学 期末复习资料.docxVIP

第一章半导体产业介绍1，列出及恒电路制造的5个重要步骤,简要描述每一个步骤.1),硅片制备:包括晶体生长,滚圆,切片及抛光.2),硅片制造:包括清洗,成膜,光刻,刻蚀及掺杂.3),硅片测试/捡选:探测,测试及捡至硅片生的每个芯片.4),装配与封装:沿着划片将硅片切割成芯片,再进行压焊和包封.5),终测:确保集成电路通过点穴和环境测试.第二章半导体材料特性1，从价电子的观察来看,周期表中的族数代表什么?原子序数和原子质量数有何不同?1）从价电子观察,周期表中族数代表价电子数.2）原子序数和原子质量数的不同原子序数:等于原子核中的原子数.特定元素的所有原子具有相同的原子序数.原子质量数:原子中质子数与中子数之和.同种元素的同位素具有相同的质子数及不同的中子数.2，选择硅作为主要半导体材料的理由1）硅的丰裕度；2）更高的熔化温度允许更宽的工艺容限；3）更宽的工作温度范围；4）氧化硅的自然生成。3，砷化镓与硅比较1）优点：材料电阻率大，抗辐射性能比硅高；2）缺点：缺乏天然氧化物，材料有脆性，成本高，有剧毒。第三章器件技术1，用于形成MOSFET栅极最常用的导体材料是什么？这种那个材料怎样制作导体？现用于MOSFET最常用的材料是多晶硅，他是一种在集成电路制造中淀积在衬底的多晶硅材料。这种材料通过渗入P型或N型杂质来制作导体。第四章硅和硅片制备1，列举得到半导体级硅的3个步骤。半导体级硅有多纯？制备SGS过程：用碳加热硅石来制备冶金级硅。SiC(s)+SiO2(s)→Si(l)+SiO（g）+CO(g)通过化学反应将冶金级硅提纯以生成三氯硅烷。Si(s)+3HCl(g)→SiHCl3(g)+H2(g)+加热利用西门子方法，通过三氯硅烷和氢气反应来产生SGS。2SiHCl3(g)+2H2(g)→2Si(s)+6HCl(g)半导体级硅具有半导体制造要求的超高纯度，它包含少于百万分之（PPM）二的碳元素和少于十亿分之（ppb）一的Ⅲ、Ⅴ族元素（主要的掺杂元素）。2，硅片中的晶体缺陷（1）缺陷密度，在工艺过程中，由于各种原因在每个平方厘米硅片上产生的缺陷数目。减少缺陷密度是提高硅片成品率的重要方面。（2）三种普遍缺陷：a，点缺陷（原子层面的局部缺陷）包括空位，间隙原子，由于化学元素杂质引入到格点里所产生的成因：晶体里杂质原子挤压晶体结构引起的应力所致b，位错（错位的晶胞）包括层级缺陷，氧化导致层积位错（OISF）等。成因：晶体生长条件、晶体内的晶格应力、制造过程中的物理损坏c，层错（晶体结构的缺陷）常见有滑移（晶体平面产生的晶体滑移）和挛晶（同一界面生长出两种不同方向的晶体），二者是晶体报废的主要原因。3，单晶硅生长1）定义：把多晶块转变成一个大单晶，给予正确的定向和适量的N型或P型掺杂；2）生长方法：a，CZ直拉法：把熔化了的半导体级硅液体变为有正确晶向并且被掺杂成n型或p型的固体硅锭。目的是实现均匀掺浓度的同时精确地复制籽晶结构。两个主要参数是拉伸速率和晶体旋转速率。工艺过程：准备：（腐蚀清洗多晶→籽晶准备→装炉→真空操作）、开炉：（升温→水冷→通气）、生长：（引晶→缩晶→放肩→等径生长→收尾）、停炉：（降温→停气→停止抽真空→开炉）优点：所生长单晶的直径较大、成本相对较低缺点：熔体与坩埚接触，易引入氧杂质，不易生长高电阻率单晶（含氧量通常10-40ppm)b，区熔法：一种无坩埚的晶体生长方法，多晶与单晶均由夹具夹着，由高频加热器产生一悬浮的溶区，多晶硅连续通过熔区熔融，在熔区与单晶接触的界面处生长单晶。c，两种方法比较CZ法是较常用的方法：价格便宜较大的晶圆尺寸 (直径300 mm )晶体碎片和多晶态硅再利用悬浮区熔法：纯度较高(不用坩埚)价格较高，晶圆尺寸较小 (150 mm)高压大功率元件4，硅片制备的基本工艺步骤晶体生长、整型处理、切片、磨片倒角、刻蚀、抛光、清洗、检查、包装。5，外延层的定义和作用1）定义：在基质衬底上按特定的结晶学生长的单晶薄膜2）作用：a，提高双极器件和集成电路的性能；b，优化pn结的击穿电压，降低集电极电阻，提高器件速度；c，降低闩锁效应。3）在某些情况下，需要硅片有非常纯的与存底有相同晶体结构（单晶）的硅表面，还要保持对杂质类型和浓度的控制，这就需要在硅表面淀积一个外延层来达到。第五章半导体制造中的化学品1，什么是酸？列出在硅片厂中常用的三种酸。酸，一种含氢并且氢在水中裂解（化学键断裂）形成水合氢离子H3O+溶液。硅片长中常用的三种酸：1）氢氧酸HF，2）盐酸HCl，3）硅酸，H2SiO42，什么是碱？列出在硅片厂中常用的三种碱碱：一类含有氢氧根的化合物，在溶液中发生水解产生氢氧根离子硅片长中常用的三种碱：NaOH、NH4OH、KOH3，气体的种类1）通用气体：氧气、氮气、氦气、氩气（纯度七个9以上）2）特