北工大 12年 半导体物理 期末试卷.docxVIP

半导体物理 2012-2013学年 (2012.12.31)简答题（5*6’=30’）Si和GaAs半导体晶体的解理面分别是什么？为什么？一种半导体材料导带底Ec(k)附近和价带顶Ev(k)附近表达式为：，判断该半导体是直接带隙还是间接带隙。A、B两种半导体，A的禁带宽度为1eV，B的为1.2eV，其他各种参数均相同，求ni之比什么是载流子的迁移率，影响因素，假定半导体内存在三种散射机制。只存在第一种散射机制时的迁移率是2000 cm2/Vs，只存在第二种散射机制时的迁移率是1500 cm2/Vs，只存在第三种散射机制时的迁移率是500 cm2/Vs，求总迁移率。什么是PN结的势垒电容？与平行电容板的区别，如何降低势垒电容？ 区别：平行板电容器两极板间的距离d是一个是常数，不随电压V变化，而空间电荷宽度Xm不是一个常数，随电压V变化，因此其电容是常数。势垒电容是偏压V的函数，在一定的直流外加偏压下，当电压有微小变化时，相应的写出理想PN结电流-电压关于（J-V）公式。Pn结与肖特基结电流成分的区别。 肖特基二极管内部是由阳极金属和阴极金属等构成，在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。PN结二极管是有半导体材料组成的，阳极是P，阴极是N，中间形成PN结，当加正向电压大于死区电压二极管导通(15’)N型半导体，画n-T图，并解释画μ-T图由（1）（2）画ρ-T图，并解释（15’）一理想的MOS结构的高频测量的C-V曲线如下图（1）判断该结构中，半导体的n/p。（2）SiO2层，C=200pF，S=2x10-3cm2，求di（3）说明图中1,2,3,4,5点的半导体一侧的状态，并示意画出每点半导体一侧的能带形状，以及金属和半导体一侧的电荷分布。 15’9）要增大击穿电压，如何改变掺杂浓度？并画出能带图E-X。 （15’）室温下，一块电阻率为0.43Ω·cm的n型硅⑴ 求多子浓度和少子浓度（可查图）。⑵ 计算费米能级位置Ec-Ef。⑶制备肖特基二极管，在WAu=4.80eV，Wpt=5.3，WGa=4.0，Wcu=4.1，应选哪些金属？为什么？4) 求qVd最大的金属和其qVd，画出能带图。(10’)肖特基实验，题中给出过程。1) Δn和Δp的运动方向，为什么？2) 如何测出迁移率，是多子还是少子？附录：物理常数： 电子电荷Q1.6x10-19C波尔兹曼常数K1.38x10-23J/K电子伏特eV1.6x10-19J真空介电常数ε08.854x10-12F/mSi材料的性质（300K）：本征载流子浓度ni1.5x1010cm-3导带底等效状态密度Nc3x1019cm-3价带顶等效状态密度Nv1x1019cm-3亲和势X4.05eV禁带宽度Eg1.12 eVSi材料电阻率随掺杂浓度变化图