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低电平第2章集成门电路CMOS门电路的构成2.2CMOS门电路CMOS
* * 内容提要 MOS门电路 LSTTL门电路 BICMOS门电路 重点内容 MOS门电路 教学目标 掌握各种门电路的外部特性与主要参数 了解各种门电路逻辑电路结构 熟练掌握常用门电路芯片的逻辑功能与应用 第2章 集成门电路 外部特性 常用典型电路的结构和原理 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 学时安排及作业布置 学时安排:6学时 课后作业 习题2-13 习题2-14 习题2-15 第2章 集成门电路 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2.1 概述 几个概念 逻辑门电路 (门电路、逻辑器件) 第2章集成门电路 指用以实现基本逻辑关系和常用复合逻辑关系的电子电路 用半导体器件来实现(晶体管、场效应管) 最基本的电路:与、或、非门 Gate Circuit 是构成数字电路的基本单元之一 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2.1 概述 几个概念 第2章集成门电路 正逻辑、负逻辑 在逻辑电路中,逻辑事件的肯定与否用电平的高低表示 高电平和低电平为某规定范围的电位值,而非一固定值 “1” “1” “0” “0” 高电平 高电平 低电平 低电平 正逻辑 负逻辑 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 双极型晶体管 集成门电路 第2章集成门电路 BICMOS 门电路 单极型MOS 集成门电路 TTL(晶体管―晶体管逻辑)电路 ECL(射极耦合逻辑)电路 I2L(集成注入逻辑)电路 NMOS、PMOS LDMOS、VDMOS VVMOS、IGT (前二者组合) TTL集成门电路工作速度高,驱动能力强,但功耗大,集成度低 CMOS集成门电路功耗极低,成本低,电源电压范围宽,集成度高,抗干扰能力强,输入阻抗高,扇出能力强 上世纪80年代开始,CMOS逐渐取代TTL,成为集成电路的主导技术。现CMOS集成门电路占80%以上 分类 2.1 概述 按其内部有源器件的不同分 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2.1 概述 分类 SSI(小规模) 第2章集成门电路 LAI(大规模) MAI(中规模) 10~20等效门 按其集成度分 VLSI(超大规模) 20~100等效门 100~1000等效门 >1000等效门 常用逻辑门 触发器 编码器、译码器、数据选择器、数据分配器、加法器、计数器、移位寄存器、锁存器 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. NMOS 第2章集成门电路 LDMOS PMOS N沟道增强型场效应管构成 横向双扩散MOS管构成 常用CMOS门电路 2.2 CMOS门电路 P沟道增强型场效应管构成 CMOS NMOS、PMOS互补型电路 垂直双扩散MOS管构成 VDMOS BICMOS 绝缘栅晶体管 互补MOS和双极晶体管工艺 速度低、配接不方便 淘汰 速度较高,仍有应用 普遍使用 4000A、4000B系列… Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 第2章集成门电路 CMOS门电路的构成 2.2 CMOS门电路 CMOS非门(反相器) u1低电平 VTN截止 VTP导通 u0 高电平 ( UDD ) u1高电平( UDD ) VTP截止 VTN导通 u0低电
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