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2012年半导体会议预安排(按时间顺序)
序号 标准名称 起草单位 备注 2月份 锗粒 南京中锗科技股份有限公司 讨论 太阳能电池用锗单晶片和锗衬底片 南京中锗科技股份有限公司 讨论 硅抛光回收片 宁波立立电子股份有限公司 讨论 Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法 中国科学院半导体研究所 讨论 Ⅲ族氮化物外延片晶格参数测试方法 中国科学院半导体研究所 讨论 LED发光用氮化镓 中国科学院半导体研究所 讨论 LED外延芯片用磷化镓衬底规范 中国科学院半导体研究所 讨论 LED外延芯片用砷化镓衬底规范 中国科学院半导体研究所、国瑞、协鑫硅材料等 讨论 氮化物LED外延片内量子效率测试方法 中国科学院半导体研究所 讨论 改良西门子法制备多晶硅企业安全标准化实施指南 东方电器集团峨嵋半导体材料有限公司 讨论 碳化硅单晶抛光片 北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所 讨论 碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法 北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所 讨论 3月份 羧乙基锗倍半氧化物 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 讨论 高纯三氧化二镓 南京金美镓业有限公司 高纯三氧化二镓化学分析方法 化学光谱法测定杂质含量 峨嵋半导体材料研究所 单晶炉碳/碳复合材料保温筒 湖南金博复合材料科技有限公司 单晶炉碳/碳复合材料导流筒 湖南金博复合材料科技有限公司 氢化炉碳/碳复合材料U形发热体 湖南金博复合材料科技有限公司 高纯铟化学分析方法硅钼蓝吸光光度法测定硅量 北京有色金属研究总院 讨论 高纯铟化学分析方法 罗丹明B吸光光度法测定铊量 北京有色金属研究总院 讨论 高纯铟化学分析方法 苯芴酮-溴代十六烷基三甲胺吸光光度法测定锡量 北京有色金属研究总院 讨论 高纯铟化学分析方法 电感耦合等离子体质谱法测定高纯铟中 Cu、Pb、Zn、Sn、Cd、Mg、Al、Ni、Ag 北京有色金属研究总院 讨论 高纯铟化学分析方法 电感耦合等离子体质谱法测定高纯铟中 Cu、Pb、Zn、Sn、Cd、Mg、Al、Ni、Ag、Fe 北京有色金属研究总院 讨论 高纯镉 峨嵋半导体材料研究所 讨论 高纯镉化学分析方法 银、铝、铜、铁、镁、镍、铅、锡、锌、铬、锑、铋、镓含量的测定 辉光放电质谱法 峨嵋半导体材料研究所 讨论 4月份 硅片字母数字标志规范 有研半导体材料股份有限公司 讨论 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算方法 有研半导体材料股份有限公司 讨论 多晶硅还原炉和氢化炉尾气成分的测定方法 四川新光硅业科技有限责任公司、乐山乐电天威硅业科技有限责任公司 讨论 氯硅烷中碳杂质的测定方法 四川新光硅业科技有限责任公司、乐山乐电天威硅业科技有限责任公司 讨论 硅粉化学分析方法 硼、磷含量的测定 乐山乐电天威硅业科技有限责任公司、四川新光硅业科技有限责任公司 讨论 电子级多晶硅 东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司 讨论 5月份(上旬) 蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法 协鑫光电科技(江苏)有限公司、中科院上海光机所 讨论 蓝宝石单晶衬底抛光片规范 协鑫光电科技(江苏)有限公司、中科院上海光机所 讨论 蓝宝石单晶晶锭 协鑫光电科技(江苏)有限公司、中科院上海光机所 讨论 蓝宝石晶锭应力测试方法 协鑫光电科技(江苏)有限公司、中科院上海光机所 讨论 蓝宝石衬底片翘曲度测试方法 协鑫光电科技(江苏)有限公司 讨论 蓝宝石衬底片弯曲度测试方法 协鑫光电科技(江苏)有限公司 讨论 太阳能级硅片厚度及总厚度变化测试方法 东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司 讨论 太阳能电池级硅片翘曲度和波纹测试方法 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 讨论 太阳能电池级硅片切割线痕和表面粗糙度测量方法 瑟米莱伯贸易(上海)有限公司 讨论 5月份(下旬) 锗粒 南京中锗科技股份有限公司 预审 太阳能电池用锗单晶片和锗衬底片 南京中锗科技股份有限公司 预审 硅抛光回收片 宁波立立电子股份有限公司 预审 Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法 中国科学院半导体研究所 预审 Ⅲ族氮化物外延片晶格参数测试方法 中国科学院半导体研究所 预审 LED发光用氮化镓 中国科学院半导体研究所 预审 LED外延芯片用磷化镓衬底规范 中国科学院半导体研究所 预审 LED外延芯片用砷化镓衬底规范 中国科学院半导体研究所、国瑞、协鑫硅材料等 预审 氮化物LED外延片内量子效率测试方法 中国科学院半导体研究所 预审 改良西门子法制备多晶硅企业安全标准化实施指南 东方电器集团峨嵋半导体材料有限公司 预审
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