第40讲第二十四章半导体存储器（一）（2010年新版）..docVIP

第24章 半导体存储器 24.1 只读存储器ROM 24.1.1 ROM的一般结构和工作原理 （1）ROM的内部结构 由地址译码器和存储矩阵组成，下图所示是ROM的内部结构示意图。 图 ROM的内部结构示意图 (a) (b) 图二极管ROM电路 地址译码器将输入的地址转换为相应的控制信号，并以此从存储矩阵指定单元中选出数据送至输出缓冲器。由于存储单元数量众多，无法直接将每个存储单元输入/输出直接引出。所以给每个存储单元确定一个地址，只有被输入地址代码选中存储单元的数据才能与公共的输入输出端口连接，进行数据传递。 输出缓冲器在提高存储器带负载能力的同时，实现对输出状态的三态控制。 图（a）为二极管组成的ROM电路，具有两位地址输入、四位数据输出。地址译码器由二极管与门构成，存储矩阵由二极管组成的编码器构成。输出一个代码称为一个“字”。 A1、A0称为地址线；W3—W0称为字线；D3—D0称为位线。 （2）输出信号表达式 与门阵列输出表达式： 或门阵列输出表达式： （3）ROM输出信号的真值表 （4）功能说明 从存储器角度看，A1A0是地址码，D3D2D1D0是数据。上表说明：在00地址中存放的数据是0101；01地址中存放的数据是1010，10地址中存放的是0111，11地址中存放的是1110。 从函数发生器角度看，A1、、A0是两个输入变量，D3、D2、D1、、D0是4个输出函数。表中说明：当变量A1、、A0取值为00时，函数D3＝0、D2＝1、D1＝0、、D0＝1；当变量A1、、A0取值为01时，函数D3＝1、D2＝0、D1＝1、、D0＝0；…。 从译码编码角度看，与门阵列先对输入的二进制代码A1A0进行译码，得到4个输出信号W0、W1、W2、W3，再由或门阵列对W0～W3 4个信号进行编码。表说明：W0的编码是0101；W1的编码是1010；W2的编码是0111；W3的编码是1110。 24.1.2 ROM的种类 （1）不可编程ROM（存储信息不能改写）MROM的内容是由生产厂家按用户要求在芯片的生产过程中写入的，写入后不能修改。MROM采用二次光刻掩膜工艺制成，首先要制作一个掩膜板，然后通过掩膜板曝光，在硅片上刻出图形。由存储体的电路结构和读出信息可知，当字母和位线的交叉处有二极管，相当于信息为1，否则信息为0 （2）可编程只读存储器 EPROM是采用浮栅技术生产的可编程存储器，它的存储单元多采用N沟道叠栅MOS管，信息的存储是通过MOS管浮栅上的电荷分布来决定的，编程过程就是一个电荷注入过程。编程结束后，尽管撤除了电源，但是，由于绝缘层的包围，注入到浮栅上的电荷无法泄漏，因此电荷分布维持不变，EPROM也就成为非易失性存储器件了。 当外部能源（如紫外线光源）加到EPROM上时，EPROM内部的电荷分布才会被破坏，此时聚集在MOS管浮栅上的电荷在紫外线照射下形成光电流被泄漏掉，使电路恢复到初始状态，从而擦除了所有写入的信息。这样EPROM又可以写入新的信息 24.2 随机存取存储器RAM 24.2.1 RAM的基本工作原理 随机存取存储器简称RAM，也叫做读/写存储器，既能方便地读出所存数据，又能随时写入新的数据。RAM的缺点是数据的易失性，即一旦掉电，所存的数据全部丢失。 RAM的基本结构 由存储矩阵、地址译码器、读写控制器、输入/输出控制、片选控制等几部分组成。 图 RAM的结构示意框图 存储矩阵 RAM的核心部分是一个寄存器矩阵，用来存储信息，称为存储矩阵。 下图所示是1024×1位的存储矩阵和地址译码器。属多字1位结构，1024个字排列成32×32的矩阵，中间的每一个小方块代表一个存储单元。为了存取方便，给它们编上号，32行编号为X0、X1、…、X31，32列编号为Y0、Y1、…、Y31。这样每一个存储单元都有了一个固定的编号（Xi行、Yj列），称为地址。 图 1024×1位RAM的存储矩阵 读/写控制 访问RAM时，对被选中的寄存器，究竟是读还是写，通过读/写控制线进行控制。如果是读，则被选中单元存储的数据经数据线、输入/输出线传送给CPU；如果是写，则CPU将数据经过输入/输出线、数据线存入被选中单元。 一般RAM的读/写控制线高电平为读，低电平为写；也有的RAM读/写控制线是分开的，一根为读，另一根为写。 输入/输出 RAM通过输入/输出端与计算机的中央处理单元（CPU）交换数据，读出时它是输出端，写入时它是输入端，即一线二用，由读/写控制线控制。输入/输出端数据线的条数，与一个地址中所对应的寄存器位数相同，例如在