集成电路工艺技术发展趋势解析.ppt

* 移动 终端 智能 交通 卫星通讯 通讯 汽车 电子 光通讯 雷达 飞行器 微系统技术是航空、航天、卫星通讯、移动通讯、智能交通、物联网为代表的民用电子领域的核心支撑技术 * 四、声光电有限公司集成电路发展思路 * 利用国内外的高档FOUNDRY线，开展65纳米及以下的高档模拟集成电路设计技术研究，突破设计关键技术，建立IP库，开发高档集成电路产品，缩短与国外差距。 工艺上，以现有的6英寸线，开发6英寸0.25微米特色工艺，支撑抗加等专用集成电路产品研制与生产，满足军民需要。 * 设计技术 高档特色工艺 BCD/SOI工艺 GeSiBICMOS工艺 互补双极工艺 高性能JFET工艺 多功能集成工艺 异质材料集成 重点发展的关键技术 SIP/3D集成工艺 梯化物/Si、GaN/Si、GaAs/Si工艺 大力发展微系统 以模拟集成电路、微声/惯性、光电子技术方向为基础，通过技术融合、集成创新，努力发展主业方向--微系统技术和产品。 项目重点发展四类微系统技术，支撑电子信息装备集成化、一体化、微型化发展。 组合导航微系统（光电子、微电子、MEMS、架构、算法） 多光谱成像微系统（光电子、微光子、微电子） 射频模拟微系统(MEMS、微波、微声、微电子） 智能传感器微系统(MEMS、光电子、微电子） 已具备微系统基础和条件 子集团已具备的工艺能力 微电子专业 科研生产 能力 0.13～0.18um工艺的模拟及混合信号产品设计能力； 具备6英寸0.5um工艺加工平台 典型产品 A/D、D/A转换器：多路、12～18位、工作频率500M～2.5G； RFIC:达到X波段（8GHz～12GHz） 微声电子专业 科研生产 能力 具备0.35um、10MHz～2.4GHz声表面波器件设计及制造能力； 具备石英微型惯性器件设计及制造能力； 具备半球谐振陀螺设计及制造能力； 具备3英寸石英标准圆片工艺加工平台。 典型产品 10MHz～2.4GHz声表面波器件； 0.006 °/h半球陀螺、 5 °/h石英微机械陀螺 光电子专业 科研生产 能力 具备0.5umCCD设计及6英寸0.5um制造能力； 具备1um探测器设计及制造能力； 具备1umY波导设计及制造能力。 典型产品 6144×96元TDI多光谱器件; 640×512元InGaAs焦平面探测器 阶段成果：石英微型陀螺 对石英微机械陀螺敏感芯片的结构进行微型化设计，结合ASIC电路技术，研制出集成式石英微陀螺， LNA低噪声放大器通过片外匹配网络和天线相连，信号经共用的LNA放大后送入到两个独立通道的镜相抑制混频器MIXER，完成镜像抑制功能和下变频。混频后的信号再经带通滤波器，滤波后的信号送入VGA可变增益放大后，送入到A/D输出，输出的SIGN/MAG数字信号送到基带芯片，经基带芯片解调计算出定位信息。 XN248组合三模双通道卫星导航射频电路原理框图 阶段成果： XN248组合三模双通道卫星导航射频电路 单光谱成像多光谱探测微系统技术方案 PtSi探测器阵列与CMOS读出电路芯片级倒装焊接互连 PtSi探测器阵列与CMOS读出电路互连采用倒装焊接的方式，探测器阵列光敏元输出点与读出电路单元接口电路的输入通过In凸点相连接，读出电路为每个光敏元提供一致的偏置电压，使得PtSi二极管阵列收集的信号通过CMOS读出电路芯片读出。 In柱凸点 单光谱成像多光谱探测微系统技术方案 PtSi探测器阵列与InGaAs雪崩探测器共Si基异构集成 将PtSi探测器阵列与InGaAs雪崩二极管利用共Si基异构集成技术与Si基的信号处理电路互连，在同一信号处理电路上实现对PtSi和InGaAs两种材料不同波段信号的处理。 多光谱感知微系统 CCD感光阵列 CMOS图像传感器读出电路 第二分阶段：eCCD芯片级互连技术 2微米SOI互补双极工艺； 2微米多晶硅发射极工艺； 2微米BICMOS工艺； 0.5微米CMOS工艺； 0.5微米BICMOS工艺； 0.5微米双多晶硅自对准多晶硅发射极工艺； 0.5微米GeSi BICMOS工艺； 0.5微米SOI互补双极工艺 在MEMS深槽刻蚀技术 腐蚀出硅深槽图片（深宽比达到20：1） 硅硅键合和带图形的硅玻璃键合 60000g加速度计和气体传感器芯片图 梳状加速度传感器芯片图 温湿度传感器封装过程和封装后实物照片 单片集成加速度传感器样品照片 电阻式单片集成三轴高G加速度传感器 单片集成压力传感器芯片照片 单片集成压力传感器封装样品 C波段捷变频收发 ：C波段捷变频收发微系统依托LTCC的多层布线三维立体结构，将射频无源电路、MMIC和声表滤波器高度集成，构成了具有本振信