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项目名称：硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管 推荐单位：江西省科学技术厅 项目简介： 具有节能环保意义的LED照明产业，是国内外重点发展的战略性新兴产业。国际上现有三条LED照明技术路线，分别是蓝宝石衬底、碳化硅衬底和硅衬底GaN基LED照明技术路线。其中，前两条技术路线分别是以日本和美国为主发展起来的，主要贡献者分别获得日美两国最高科技奖，蓝宝石衬底技术路线的三个主要发明人还获得了2014年度的诺贝尔物理学奖，第三条硅衬底LED技术路线是由我国发展起来的，即为本项目发明成果。 第一条技术路线是目前产业界采用的主流技术路线，第二条技术路线属“贵族”路线。这两条技术路线的核心发明专利分别被日、美等国LED大厂所垄断，对我国LED照明产业发展形成了强大的专利壁垒。为了使我国LED产业从根本上避开与前两条技术路线发生专利纠纷，本项目经过近10年的技术攻关和生产实践，发明和不断完善了第三条LED照明技术路线。 在硅衬底上制备高光效LED一直是学术界梦寐以求的目标。然而由于硅和GaN巨大的晶格失配和热失配导致的外延膜龟裂、晶体质量差，以及衬底不透明导致的出光效率低等问题长期未能解决，致使业界普遍认为，在硅上制备高光效GaN基LED是不可能的，几乎被判“死刑”。本项目经过三千多次实验，终于在国际上率先攻克了这一世界难题，所生产的硅衬底LED各项指标在同类研究中均处于国际领先地位，并与前两条技术路线水平持平。在350 mA下（电流密度35 A/cm2）硅衬底功率型蓝光（450 nm）LED光功率高达657 mW，电光转换效率达60%，封装成冷白光光通量达155 lm，光效达146 lm/W，50 mA电流下光效达到191 lm/W。 本项目从衬底加工、外延生长、芯片制造到器件封装四大环节均发明了适合硅衬底高光效蓝光LED生产的关键核心技术，自成体系。包括：(1)制作图形化分格硅衬底，(2)生长综合过渡层，(3)制备n型GaN，(4)生长有源层（量子阱），(5)生长p型GaN，(6)激活p型GaN，(7)制备反射镜及互补电极，(8)外延层转移到支撑硅基板，(9)n型GaN表面粗化，(10)氮极性的n型GaN表面制备n型电极等。其中1、2、7、8、10等单元技术为本项目的原创技术并全部获得发明专利，3、4、5、6、9项技术属借鉴了前二条路线的技术基础上的二次创新单元技术，部分获得发明专利，部分属技术诀窍（未申请专利）。本项目已经获得授权的国内外发明专利68项，其中美国发明专利19项；获得了江西省技术发明一等奖和国家工信部信息产业重大技术发明。 本项目在国际上率先实现了硅衬底LED芯片的产业化，近三年产生直接经济效益达11亿元。产品销往10多个省市340多家单位，成功地应用于路灯、射灯、矿灯、筒灯、球泡灯、手电筒、彩屏、家电数码等领域。因薄膜型LED芯片单面出光所特有的光线方向性强和空间色品质一致性好的性能，具有其它衬底多面出光芯片不可替代的优势。本项目发明的硅衬底高光效GaN基蓝光LED制造系列技术，冲破了日美等发达国家形成的LED专利壁垒，有力地提升了我国LED技术在国际上的地位。 推广应用情况： 本项目成果转让给晶能光电（江西）有限公司，南昌大学因此获得技术转让费到账现金1950万元；2008年5月实现，在国际上第一家并到目前为止唯一一家实现了硅衬底LED的批量生产，用户30多家，芯片产品成功地路灯、球泡灯、射灯、手电筒、彩屏、数码管等。 应用单位情况 应用单位名称：晶能光电（江西）有限公司 应用技术名称：硅衬底GaN基发光二极管生长与制造技术 应用起止时间：2008年2月至今 应用单位联系人/电话：王敏/经济社会效益：2012年至2014年，新增销售额11万元，新增利润1万元，新增税收万元。新增就业人数人。获奖项目名称 获奖时间 奖项名称 奖励等级 硅衬底GaN基发光二极管 2011-12 江西省技术发明奖 一等奖 江风益、方文卿、王立、熊传兵、莫春兰 江西省人民政府 在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法 2011-07 江西省专利奖 排发明专利奖第一名 江风益、方文卿、王立、莫春兰、刘和初 江西省人民政府 硅衬底氮化镓基LED材料及大功率芯片技术 2012-12 信息产业重大技术发明（2012年） - 晶能光电（江西）有限公司 中华人民共和国工业和信息化部 主要知识产权证明目录： 知识产权类别 知识产权具体名称 国家 （地区） 授权号 授权日期 证书编号 权利人 发明人 发明专利有效状态 发明专利 Method of Fabrication InGaAlN film and Light-Emitting Device on a Silicon Substrate 美国 US 78887