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沈阳职业技术学院教案用纸 第 1 周 总第 3 次 2 学时 教学班级：10通信01、02 课程：电子技术 授课教师：宁慧英 课题： 场效应管 教学方法： 引导、启发式 教具：电教设备 教学目标：掌握场效应管的结构和原理，了解其主要参数和使用注意事项。 教学重点： MOSFET的结构和工作原理 教学难点：MOSFET的结构和工作原理 主要教学内容： 1、复习提问 2、导入新课 3、场效应管的分类 4、N沟道绝缘栅场效应管 5、P沟道绝缘栅场效应管 6、主要参数和使用注意事项 7、小结 课后回顾 沈阳职业技术学院教案用纸 复习提问 三极管的结构、特点和应用 （5分钟） 新课导入 当20世纪70年代后期能源消耗被国际关注时，半导体工业以场效应晶体管（FET）做出回应，FET是既利于提高集成度又节省电能的电子器件。第一批大量生产的场效应晶体管在60年代成为现实。现在最流行的集成电路技术是CMOS（互补型金属氧化物半导体）技术，它是围绕着场效应晶体管设计和制造的发展而发展的。 （5分钟） 新课课题 场效应管 教 学 基 本 内 容 、 方 法 及 手 段 场效应晶体管是一种电压放大器件。场效应晶体管在线性/模拟电路中作为放大器以及在数字电路中作为开关元件使用。场效应晶体管有两种基本类型：结型（JFET）和金属-氧化物（MOSFET）半导体。由于MOSFET在硅超大规模集成电路中的广泛应用，下面对场效应晶体管的讨论将集中在MOSFET。 一、MOS场效应管的分类： 二、N沟道绝缘栅场效应管 1、结构和电路符号 启发讲解 （10分钟） 沈阳职业技术学院教案用纸 教 学 基 本 内 容 、 方 法 及 手 段 教学基本内容 方法及手段 2、nMOSFET 的偏压导电模式 （1） （2） （3） 启发讲解：（10分钟） 沈阳职业技术学院教案用纸 教 学 基 本 内 容 、 方 法 及 手 段 教学基本内容 方法及手段 （4） （5） 3、增强型N沟道MOS管的特性曲线 (1) 启发学生自己总结 （10分钟） 沈阳职业技术学院教案用纸 教 学 基 本 内 容 、 方 法 及 手 段 教学基本内容 方法及手段 (2) 三、PMOSFET 1、结构和电路符号 2、pMOSFET 的偏压导电模式 （1）p沟道MOS晶体管的偏置电路 启发讲解：（10分钟） 启发学生自己总结 （10分钟） 沈阳职业技术学院教案用纸 教 学 基 本 内 容 、 方 法 及 手 段 教学基本内容 方法及手段 （2）导通模式pMOS晶体管 四、主要参数和使用注意事项 1、主要参数 （1）直流参数：饱和漏电流、夹断电压、开启电压、输入电阻 （2）交流参数：跨导、极间电容 2、使用注意事项 （1）不同类型的栅源漏各极电压的极性。保证电压和电流不超过最大允许值一切测试仪器|仪表、电烙铁都必须有外接地线。绝缘栅场效应管由于输入电阻极高，故不能在开路状态下保存。漏极与源极通常制成对称的，漏极和源极可以互换使用。但是有的绝缘栅场效应管在制造产品时已把源极和衬底连接在一起了，所以这种管子的源极和漏极就不能互换。有的管子则将衬底单独引出一个管脚，形成四个管脚。一般情况P衬底接低电位，N衬底接高电位。另外，由于陶瓷封装的芝麻型管有光敏特性，使用时应注意避光。