第1章半导体发光及器件技术总结.pptVIP

简并半导体形成的PN结，在热平衡时， N区导带底被电子占据的概率 P区价带顶被电子占据的概率 N区和P区被耗尽层分割，N区自由电子不能进入P区复合。 当正偏时，外加加压减小了耗尽层厚度，当外加电压为Eg时，耗尽层消失，P区和N区接触。 粒子数反转： 当加在PN结上的正向电压超过某一值（eVEg）后，PN结的某段区域中导带底的电子数大于价带顶电子数，出现粒子数反转。该区域称为增益区(有源区) 。 粒子数反转的理解： 外电场、电子和空穴的注入、扩散、复合。 在PN结的某段区域，自由电子、空穴的浓度同时增大（电子占据导带的概率提高，占据价带的概率减小）。 当电流增加到某个值时，自由电子、空穴的浓度足够大，实现粒子数反转。 常用半导体材料的禁带宽度： Ge、 Si、 GaAs 0.66eV、1.12 eV、1.42 eV GaAs的禁带宽度： 1.42 eV 普朗克常数 h= 6.626068 × 10-34 m2 kg / s e=1.6021892×10-19C P－N 结的厚度仅几十微米； 谐振腔一般是直接利用垂直于P－N 结的两个端面（解理面） GaAs的折射率n＝3.6，反射率0.32，另一面镀全反射膜。 法布里-珀罗腔，简记为F-P腔 F-P腔：平行平面腔，它由两块平行平面反射镜组成。又称为法布里-珀罗干涉仪，简记为F-P腔。 半导体激光器是用PN结作激活区，用半导体天然解里面作为反射镜组成谐振腔，外加正向偏压作为泵浦源。 外加正向偏压将N区的电子、P区的空穴注入到PN结，实现了粒子数反转分布. 初始的光场来源于导带电子的自发辐射，方向杂乱无章，其中偏离轴向的光子很快逸出腔外，沿轴向运动的光子就成为受激辐射的外界因素， 使之产生受激辐射而发射全同光子。 这些光子通过反射镜往返反射不断通过激活物质，使受激辐射过程如雪崩般地加剧，从而使光得到放大。在反射系数小于1的反射镜中输出。 二、半导体激光器的优点和缺点 优点： 结构简单； 电流泵浦，功率转换效率高(最大可达50%)，便于调制； 缺点: 激光性能受温度影响大； 光束的发散角较大(一般在几度到20度之间)。准直器（两个半柱透镜） 1.4.2 双异质结半导体激光器 有效降低阈值电流，一方面要对载流子进行限制；另一方面，也需要一定的波导结构将光子限定在有源区附近，这可以增加光子密度，提高受激辐射的概率。 利用双异质结结构的半导体激光器可以同时实现对载流子和光子的限制。半导体双异质结是窄带隙的半导体有源层夹在宽带隙的半导体材料之间形成的结构。由于宽带隙的半导体材料相比于窄带隙的半导体材料具有更低的折射率，这就使得该结构相当于二维层状介质波导，因此可以在垂直于结平面方向上同时有效地限制载流子和光子。 由于p-p异质结和p-n异质结对注入有源层的电子和空穴分别存在势垒，阻止电子和空穴的继续漂移，电子和空穴因此在有源层大量聚集，形成粒子数反转。 另外，GaAs相比于AlGaAs具有更高的折射率，因此形成二维介质波导将光子约束在有源层中，从而降低了光子的损耗，提高了光子密度。 1、谐振腔对激光频率的约束： nL=(λ/2)K λ=2nL/K (K=1,2,3…..) f=ck/2nL (K=1,2,3) Δf=c/2nL 1.4 半导体激光器 (laser diode) 1.4.3、分布反馈及分布布拉格半导体激光器 2、法布里-珀罗（f-p）半导体激光器的缺点： 腔长一般为数百个微米，难以实现单纵模输出。满足不了光纤通信的需要（单模光纤） 3、DFB-LD的谐振： 沿有源层长度方向的折射率周期性变化（波纹状）的Bragg光栅。 4、分布反馈原理： 光沿有源层传播时，一部分在光栅波纹峰反射（折射率不同），另一部分透射。 如果邻近的反射光具有相同的相位，则叠加增强。 反射光同相相加条件： 2nL= mλ L：栅距 5、分布反馈式激光器的优点： 单纵模输出； 谱线窄； 动态特性好； 线性好。 6、其它类型的半导体激光器： 量子阱激光器: QW-LD quantum well laser 量子阱是窄带隙超薄层被夹在两个宽带隙势垒薄层之间。由一个势阱构成的量子阱结构为单量子阱，简称为SQW（Single Quantum Well）；由多个势阱构成的量子阱结构为多量子阱，简称为MQW（Multiple Quantum