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《微电子技术》课程教学大纲 (microelectronics technology) 课程编号：163990580 学 分：3 学 时：48 （其中：讲课学时：48 实验学时：0 上机学时： 0 ） 先修课程：半导体器件与集成电路 后续课程：无 适用专业：应用物理 开课部门：理学院 一、课程的性质与目标 本课程属于应用物理专业必修课。主要讲述半导体器件以及集成电路的工艺原理与工艺加工过程。通过本课程的学习主要使学生对制造半导体器件的基本工艺原理和工艺加工步骤有比较全面、系统的认识；同时，对集成电路的制造加工有基本的了解与掌握，培养学生分析和解决半导体工艺技术基础问题的能力。这门课为学生学习其它专业课以及毕业后从事半导体专业工作打下必备的理论基础，为从事实际工作提供一定的实践动手指导，为将来把基础理论与半导体技术最新需求相结合提高工作能力做好储备。 二、课程的主要内容及基本要求 第1章 半导体制造工艺基础（3学时） [知 识 点] 半导体材料、半导体器件、半导体工艺技术、基本工艺步骤。 [重 点] 半导体工艺技术。 [难 点] 基本半导体工艺步骤。 [基本要求] 1、识 记：半导体硅材料的特性、半导体器件发展的历史进程； 2、领 会：半导体工艺技术的特点； 3、简单应用：会用基本工艺步骤设计简单的器件； 4、综合应用：理解基本工艺步骤中每个工艺步骤的特点与难点，用基本工艺步骤设计制造较为复杂的半导体器件。 [考核要求] 1、半导体硅材料的特性、半导体器件发展的历史进程； 2、基本工艺步骤中一些关键难点步骤。 第2章 晶体生长（2学时） [知 识 点] 晶体结构特点、晶体生长技术、区熔法、直拉法、砷化镓晶体的生长技术、柴可拉斯基单晶炉的结构。 [重 点] 晶体生长技术中直拉法的过程和特点、区熔法。 [难 点] 晶体结构特点、砷化镓晶体的生长技术。 [基本要求] 1、识 记：半导体硅材料的几种关键结构、直拉法与区熔法的过程和特点； 2、领 会：直拉法的过程、区熔法的过程； 3、简单应用：会用半导体晶型结构分析硅的结构特点； 4、综合应用：用柴可拉斯基单晶炉采用直拉法设计加工硅单晶。 [考核要求] 1、半导体硅材料的晶体结构特点、直拉法与区熔法的特点； 2、直拉法的步骤、区熔法的过程步骤； 3、砷化镓晶体的生长技术。 第3章　硅的氧化　（5学时） [知 识 点] 硅片的标准清洗方法、热氧化的本质与过程、干氧氧化、湿氧氧化、水汽氧化的过程、氧化过程中的杂质再分布、二氧化硅的掩模特性、氧化质量、氧化层厚度特性、氧化模拟。 [重 点] 干氧氧化、湿氧氧化、水汽氧化的过程与特点、氧化的本质。 [难 点] 氧化的两个过程、几种氧化的异同点。 [基本要求] 1、识 记：干氧氧化、湿氧氧化、水汽氧化的反应方程式和各自的特性； 2、领 会：干氧氧化、湿氧氧化、水汽氧化的过程和特点； 3、简单应用：会用几种氧化基本工艺步骤设计制备二氧化硅薄膜； 4、综合应用：理解几种氧化的过程和特点，会用几个不同的氧化工艺步骤根据需要设计制造二氧化硅薄膜层。 [考核要求] 1、硅片的标准清洗方法、热氧化的本质与过程、氧化过程中的杂质再分布、二氧化硅的掩模特性； 2、干氧氧化、湿氧氧化、水汽氧化的过程步骤； 3、二氧化硅的掩模特性、氧化质量、氧化层厚度特性、氧化模拟。 第4章　光刻（6学时） [知 识 点] 光刻胶的组成、正性光刻胶和负性光刻胶的区别、光刻工艺的每个步骤、接触式曝光、接近式曝光机、投影式曝光、步进式曝光、四种曝光系统、光刻的精度。 [重 点] 光刻胶的组成、正性光刻胶和负性光刻胶的区别、光刻工艺的流程、匀胶、前烘、曝光、显影、坚膜、检测。 [难 点] 接触式曝光、接近式曝光机、投影式曝光、步进式曝光、光刻的精度。 [基本要求] 1、识 记：光刻胶的组成、正性光刻胶和负性光刻胶的区别和各自的特性、接触式曝光、接近式曝光机、投影式曝光、步进式曝光四种曝光系统和各自特点； 2、领 会：正性光刻胶和负性光刻胶的区别； 3、简单应用：会用光刻工艺的匀胶、前烘、曝光、显影、坚膜、检测工艺步骤进行光刻； 4、综合应用：理解几种几种曝光系统的特点，会用接触式曝光、接近式曝光机、投影式曝光、步进式曝光四种曝光系统进行光刻。 [考核要求] 1、光刻胶的组成、正性光刻胶和负性光刻胶的区别； 2、光刻工艺的步骤即匀胶、前烘、曝光、显影、漂洗、坚膜、检测； 3、接触式曝光、接近式曝光机、投影式曝光、步进式曝光四种曝光系统； 4、光刻的精度与哪些因素有关。 第5章　刻蚀（3学时） [知 识 点] 干法刻蚀、湿法刻蚀、IC工艺中四种