电子科大固体与半导体物理课件刘爽版第4章分解.pptVIP

一、 与 的关系 第四节 简并半导体 掺杂浓度低 费米能级处于禁带中 掺杂浓度很高 费米能级与导带底或价带顶重合， 甚至进入导带或价带 重掺杂 轻掺杂 用费米函数分析载流子分布 载流子的简并化 简并半导体 用玻耳兹曼函数 分析载流子分布 非简并半导体 * * 第四章 平衡状态下的半导体 第一节 半导体能带结构 半导体能带特点：T=0K时，最高能带满，以上空。 由价电子填充 价带 Ev T≠0K，电子激发跃迁 结果：最高能带出现空位(空穴) 上面空带有电子 由激发电子填充 导带 Ec 实际应用，只要考虑能带极值附近的关系 设导带底位于 导带底的能量 各向同性的晶体 二、K空间等能面 等能面： 空间能量相同的点构成的曲面 半径： 的球面。 各向异性的晶体，能带极值 三、常见半导体的能带结构 1、硅和锗的能带结构 导带 Si： 极小值在100六个等价方向上， 极值附近等能面为沿100方向 旋转的旋转椭球面， 导带极值位于100方向的布里 渊区中心到边界的0.85倍处。 Ge： 导带极小值在111布区边界， 极值附近等能面为沿111方向 旋转的8个旋转椭球面。 价带 价带顶位于 ，有三个带。 两个最高的在 处简并，