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模拟电子电路 模拟电子技术 光电工程学院 电子电路教学中心 黄丽亚 考试成绩评定 平时 10% 期中 20% 期末 70% 1-1-2 杂质半导体（掺杂半导体） 在本征半导体中掺入微量的元素（称为杂质），会使其导电性能发生显著变化。————杂质半导体。 根据掺入杂质的不同，杂质半导体可分为N型半导体和P型半导体。 一、N型半导体 说明 在本征硅（锗）中掺入少量的五价元素（如：磷、砷、锑等）就得到N型半导体。 杂质原子顶替硅原子，多一个电子位于共价键之外，受原子的束缚力很弱，很容易激发成为自由电子。 几乎一个杂质原子能提供一个自由电子，从而自由电子数大大增加。——施主杂质。 由于自由电子的浓度增加，与空穴（本征激发产生的）复合的机会也增加，因此空穴浓度相应减少。 在N型半导体中： 自由电子——多数载流子，简称多子； 空穴——少数载流子，简称少子。 三、杂质半导体的载流子浓度 多子的浓度 在杂质半导体中，杂质原子所提供的多子数远大于本征激发的载流子数。 结论：多子的浓度主要由掺杂浓度决定。 小结 1.本征半导体通过掺杂，可以大大改变半导体内载流子的浓度，并使一种载流子多，另一种载流子少。 2.多子浓度主要取决于杂质的含量，它与温度几乎无关；少子的浓度则主要与本征激发有关，因而它的浓度与温度有十分密切的关系。 1-2 PN结 PN结是半导体器件的核心，可以构