微波混频器技术指标与特性分析.doc

微波混频器技术指标与特性分析 一、噪声系数和等效噪声温度比 噪声系数的基本定义已在第四章低噪声放大器中有过介绍。但是混频器中存在多个频率，是多频率多端口网络。为适应多频多端口网络噪声分析，噪声系数定义改为式（9-1），其理论基础仍是式（6-1）的原始定义，但此处的表示方式不仅适用于单频线性网络，也可适用于多频响应的外差电路系统，即 （9-1） 式中 Pno——-当系统输入端噪声温度在所有频率上都是标准温度T0 = 290K时，系统传输到输出端的总噪声资用功率； Pns——仅由有用信号输入所产生的那一部分输出的噪声资用功率。 根据混频器具体用途不同，噪声系数有两种。 一、噪声系数和等效噪声温度比 1、单边带噪声系数 在混频器输出端的中频噪声功率主要包括三部分： （1） 式中 (f——中频放大器频带宽度；(m——混频器变频损耗；T0——环境温度，T0 = 293K。 （2）9-1所示。这部分噪声功率也是kT0(f／(m。 （3）Pnd表示。 这三部分噪声功率在混频器输出端相互叠加构成混频器输出端总噪声功率Pno 把Pno等效为混频器输出电阻在温度为Tm时产生的热噪声功率，即Pno = kTm(f，Tm称混频器等效噪声温度。kTm(f和理想电阻热噪声功率之比定义为混频器噪声温度比，即 按照定义公式（9-1） 在混频器技术手册中常用FSSB表示单边带噪声系数，其中SSB是Singal Side Band的缩写。Pns是信号边带热噪声（） 2、双边带噪声系数 在遥感探测、射电天文等领域，接收信号是均匀谱辐射信号，存在于两个边带，这种应用时的噪声系数称为双边带噪声系数。 此时上下两个边带都有噪声输入，因此Pns = kT0(f／(m。按定义可写出双边带噪声系数 （9-5） 式中DSB是Double Side Band的缩写。 将公式（9-4）（9-5）3dB。 为了减小镜像噪声，有些混频器带有镜频回收滤波器或镜像抑制滤波器。因此在使用商品混频器时应注意： （1） （2）3dB噪声。（） （3） 在商品混频器技术指标中常给出整机噪声系数，这是指包括中频放大器噪声在内的总噪声系数。由于各类用户的中频放大器噪声系数并不相同，因此通常还注明该指标是在中频放大器噪声系数多大时所测得的。 混频器和中频放大器的总噪声系数是 式中 Fif——中频放大器噪声系数；(m——混频器变频损耗；tm——混频器等效噪声温度比。 tm值主要由混频器性能决定，也和电路端接负载有关。tm的范围大约是 厘米波段 tm = 1.1~1.2 毫米波段 tm = 1.2~1.5 在厘米波段，由于tm ( 1，所以可粗估整机噪声是 二、变频损耗 混频器的变频损耗定义是：混频器输入端的微波信号功率与输出端中频功率之比，以分贝为单位时，表示式是 （9-8） 混频器的变频损耗由三部分组成：包括电路失配损耗((，混频二极管芯的结损耗(r和非线性电导净变频损耗(g。 1、失配损耗 失配损耗((取决于混频器微波输入和中频输出两个端口的匹配程度。如果微波输入端口的电压驻波比为(s，中频输出端口的电压驻波比为(i，则电路失配损耗是 （9-9） 混频器微波输入口驻波比(s一般为2以下。((的典型值约为0.5~1dB。 管芯的结损耗主要由电阻Rs和电容Cj引起，参见图9-2。在混频过程中，只有加在非线性结电阻Rj上的信号功率才参与频率变换，而Rs和Cj对Rj的分压和旁路作用将使信号功率被消耗一部分。结损耗可表示为 （dB） 混频器工作时，Cj和Rj值都随本振激励功率Pp大小而变化。Pp很小时，Rj很大，Cj的分流损耗大；随着Pp加强，Rj减小，Cj的分流减小，但Rs的分压损耗要增长。因此将存在一个最佳激励功率。当调整本振功率，使Rj = l／(sCj时，可以获得最低结损耗，即 （dB） 可以看出，管芯结损耗随工作频率而增加，也随Rs和Cj而增加。 表示二极管损耗的另一个参数是截止频率fc为 图9-2 混频管芯等效电路 通常，混频管的截止频率fc要足够高，希望达到。比如fc = 20fs时，将有(rmin = 0.4dB。 根据实际经验，硅混频二极管的结损耗最低点相应的本振功率大约为1~2mW，砷化镓混频二极管最小结损耗相应的本振功率约为3~5mW。 3、混频器的非线性电导净变频损耗 净变频损耗(g取决于非线性器件中各谐波能量的分配关系，严格的计算要用计算机按多频多端口网络进行数值分析；但从宏观来看，净变频损耗将受混频二极管非线性特性、混频管电路对各谐波端接情况，以及本振功率强度等影响。当混频管参数及电路结构固定时，净变频损耗将随本振功率增加