- 1、本文档共6页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
电子公司IC设计基础笔试题.doc
电子公司IC设计基础笔试题
电子公司ic设计基础笔试题:
1、fpga和asic的概念,他们的区别。(未知)
答案:fpga是可编程asic。
asic:专用集成电路,它是面向专门用途的电路,专门为一个用户设计和制造的。根据一个用户的特定要求,能以低研制成本,短、交货周期供货的全定制,半定制集成电路。与门阵列等其它asic(application specific ic)相比,它们又具有设计开发周期短、设计制造成本低、开发工具先进、标准产品无需测试、质量稳定以及可实时在线检验等优点
2、我们公司的产品是集成电路,请描述一下你对集成电路的认识,列举一些与集成电路
相关的内容(如讲清楚模拟、数字、双极型、cmos、mcu、risc、cisc、dsp、asic、fpga
等的概念)。(仕兰微面试题目)
3、什么叫做otp片、掩膜片,两者的区别何在?(仕兰微面试题目)
4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种?(仕兰微面试题目)
5、描述你对集成电路设计流程的认识。(仕兰微面试题目)
6、简述fpga等可编程逻辑器件设计流程。(仕兰微面试题目)
7、ic设计前端到后端的流程和eda工具。(未知)
8、从rtl synthesis到tape out之间的设计flow,并列出其中各步使用的tool.(未知)
9、asic的design flow。(威盛via 2003.11.06 上海笔试试题)
10、写出asic前期设计的流程和相应的工具。(威盛)
11、集成电路前段设计流程,写出相关的工具。(扬智电子笔试)先介绍下ic开发流程:
1.)代码输入(design input)
用vhdl或者是verilog语言来完成器件的功能描述,生成hdl代码
语言输入工具:summit visualhdl
mentor renior
图形输入: composer(cadence);
viewlogic (viewdraw)
2.)电路仿真(circuit simulation)
将vhd代码进行先前逻辑仿真,验证功能描述是否正确
数字电路仿真工具:
verolog: cadence verolig-xl
synopsys vcs
mentor modle-sim
vhdl : cadence nc-vhdl
synopsys vss
mentor modle-sim
模拟电路仿真工具:
***anti hspice pspice,spectre micro microwave: eesoft : hp
3.)逻辑综合(synthesis tools)
逻辑综合工具可以将设计思想vhd代码转化成对应一定工艺手段的门级电路;将初级仿真中所没有考虑的门沿(gates delay)反标到生成的门级网表中,返回电路仿真阶段进行再仿真。最终仿真结果生成的网表称为物理网表。
12、请简述一下设计后端的整个流程?(仕兰微面试题目)
13、是否接触过自动布局布线?请说出一两种工具软件。自动布局布线需要哪些基本元素?(仕兰微面试题目)
14、描述你对集成电路工艺的认识。(仕兰微面试题目)
15、列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18指的是什么?(仕兰微面试题目)
16、请描述一下国内的工艺现状。(仕兰微面试题目)
17、半导体工艺中,掺杂有哪几种方式?(仕兰微面试题目)
18、描述cmos电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果?(仕兰微面试题目)
19、解释latch-up现象和antenna effect和其预防措施.(未知)
20、什么叫latchup?(科广试题)
21、什么叫窄沟效应? (科广试题)
22、什么是nmos、pmos、cmos?什么是增强型、耗尽型?什么是pnp、npn?他们有什么差
别?(仕兰微面试题目)
23、硅栅coms工艺中n阱中做的是p管还是n管,n阱的阱电位的连接有什么要求?(仕兰微
面试题目)
24、画出cmos晶体管的cross-over图(应该是纵剖面图),给出所有可能的传输特性和转
移特性。(infineon笔试试题)
25、以interver为例,写出n阱cmos的process流程,并画出剖面图。(科广试题)
26、please explain how we describe the resistance in semiconductor. compare
the resistance of a metal,poly and diffusion in tranditional cmos
文档评论(0)