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引 言 晶体管按工作原理分类: 第一节 MOSFET的基本特性 MOSFET的阈值电压 (2)理想MOS结构 （3）实际MOS结构 之二--漏源穿通击穿电压（VPT） L 较短， 较高时，漏衬间尚未雪崩击穿，但漏 pn 结耗尽区已扩展到与源区相连，称漏源击穿（VPT），VDS继续 ，源 pn结正偏，大量电子进入沟道，被强电场扫入漏区，形成较大的 ID。 MOSFET直流参数与温度特性 1）阈值电压VT 2）饱和漏极电流IDSS 对于耗尽型MOSFET，VGS=0（导通），VDS足够大时的漏电流饱和值称为饱和漏极电流 IDSS。 3）通导电阻Ron MOSFET的交流小信号参数 1）跨导gm ——漏源电压VDS一定时，漏电流的微分增量与栅源电压微分增量之比。 3）电压放大系数 推导Cgs和Cds的表达式采用准静态近似法 3）频率特性 跨导截止频率 最高工作频率 第六章 绝缘栅场效应晶体管 第二节 短沟道效应 第六章 绝缘栅场效应晶体管 第六章 绝缘栅场效应晶体管 2) 窄沟道效应 MOSFET沟道宽度Z很小时,阈电压VT随Z的减小而增大。 第六章 绝缘栅场效应晶体管 漏诱生势垒降低效应 第六章 绝缘栅场效应晶体管 热电子效应 第六章 绝缘栅场效应晶体管 栅氧化层中电子积累的影响: 第三节 微电子器件的发展方向 MOSFET的发展方向 --2.短沟道效应 1)表面DIBL效应 VFBVGSVT, 源漏区间势垒高度表面的低于体内的,电子从源区注入沟道及在沟道内的流动都发生在表面,形成亚阈电流IDsub。 (1)随沟道长L缩短,亚阈电流增加; (2)亚阈电流一直随VDS增加而增加,VT减小; (3)VGS对IDsub控制能力变弱，使MOSFET难以截止。 2）体内DIBL效应 VGSVFB，VDS不太大，源漏区间势垒高度表面的高于体内,电子从源区注入沟道及在沟道内流动都发生在体内,形成穿通电流。 以n-MOSFET为例：长沟道的VDS全降在漏结上。 短沟道时，源于漏的电力线将有一部分贯穿沟道区终止于源区，使源漏区间的势垒高度降低，称为漏诱生势垒降低效应（DIBL）。 --2.短沟道效应 ---在强电场作用下,电子在两次碰撞之间会加速到比热运动速度高许多倍的速度,由于动能很大而称为热电子,从而引起“热电子效应”。 改进：(1)两次离子注入; (2)外加衬底偏压。 问题：穿通电流受VGS控制弱；VDS很大时将导致穿通击穿。 短沟道MOSFET中产生IG的原因 (1)横向电场Ey足够大时,沟道电子在纵向电场作用下注入到栅氧化层中;A (3)耗尽区内热激发产生电子-空穴对;C (2)漏区附近强电场Ey使高能电子碰撞电离产生电子-空穴对; B IG的出现表征着热电子效应的存在,且IG的大小可用来衡量热电子效应的大小。 沟道热电子效应为主。 --2.短沟道效应 沟道长度越短,热电子效应越严重。 (1)VT正漂; (2)跨导gm下降; (3)亚阈电流IDsub增大。 (1)漏pn结采用缓变结;(2)采用偏置栅结构;(3)埋沟结构。 产生沟道热电子的原因是漏区附近极高的横向电场的存在.抑制热电子效应的措施: 苏州科技学院电子与信息学院 微电子电路基础 2010.12.22 第六章 绝缘栅场效应晶体管 1.双极型晶体管 2.场效应晶体管(Field effect transistor: FET) *20世纪三十年代:利林费尔德-场效应思想. *1962年前后:Si平面工艺和外延技术发展;表面态密度大大降低. FET按结构和工艺特点来划分 1. 结型栅场效应晶体管(JFET) 2.肖特基势垒栅场效应晶体管(MESFET) 3.绝缘栅场效应晶体管(IGFET) 与双极型晶体管相比, FET的优点: 1. 输入阻抗高; 2.噪声系数小; 3.功耗小; 4.温度稳定性好; 5.抗辐射能力强 第六章 绝缘栅场效应晶体管 结构和分类 1) 结构 2) 工作原理 3) 输出特性 (1)OA段: 线性区,VGS决定沟道电阻 * 集成电路中的都是横向MOSFET,即沟道电流是水平方向流动;分立器件中有的沟道电流是垂直方向流动的,称为纵向MOSFET. 第六章 绝缘栅场效应晶体管 --1.MOSFET的基本特性 (2)AB段: 过渡区,沟道压降影响沟道电阻 (3)BC段: 饱和区,VDSVDsat,之后沟道有效长度随VDS增大而缩短,称为有效沟道长度调变效应. (4)CD段: 击穿区,VDS≥BVDS 非饱和区 4)MOSFET类型 * N沟道增强型、耗尽型, P沟道增强型、