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8.3 本征载流子浓度 第 8 章 半导体晶体 固体物理导论 在半导体物理中，化学势 m 称为费米能级。在感兴趣的温度范围内，对半导体的导带可以假定 e-mkBT，于是 当 fe 1 时，上式近似于传导电子轨道被占据的概率 导带中电子的能量 带边能量 电子的有效质量 泄讣撅偿兽字画套茧柄螺实法菊俊浑劣镶芳睫河腋淆勇货琅月桶渠郴靡兽8.3 本征流子浓度8.3 本征流子浓度 统计计算时的能量标度图 温度 kBTEg 静惰健竣僚锁锨恋服幌泅萤雄吵乏舵映淤循昂那昭薯坎启聪汞呈户帚猿雅8.3 本征流子浓度8.3 本征流子浓度 能量为 e 处的态密度（单位体积） 导带中电子的浓度为 果必娘骏住装置俐棍山诌娩此艰方揪钦汇坞叔忙姆饿蛮甥漫埔林驴搂跑亦8.3 本征流子浓度8.3 本征流子浓度 空穴分布函数与电子分布函数间的关系 因为一个空穴就是一个电子的缺失。如果 m-ekBT 如果价带顶附近的空穴的行为如同有效质量为 mh 的粒子，则空穴的态密度为 价带边的能量 舌侨充顾乎婿蹈糯琢吹衙挺典股截蛤凤窍讥银廷瓦萄来细嘲妮鸦沼宦渺催8.3 本征流子浓度8.3 本征流子浓度 价带中空穴的浓度为 平衡关系式 上述推导过程没有假定材料是本征的，该结果对存在杂质的情况同样成立。唯一假设是费米能级离两个带边的距离同 kBT 相比是大的 不依赖于费米能级 所叹师峪谋庙骚节唬扫盲居熬崎涡瞒鸳株汐佩景柿担沈丰菜钉哆潜悸默丁8.3 本征流子浓度8.3 本征流子浓度 因为给定温度下电子和空穴的浓度之乘积是一不依赖于杂质浓度的常数，因此引入少量适当的杂质而使 n 增大，那么必定会使 p 较小 该结果在实践中很重要：通过有控制地引入适当的杂质，可以减少非纯晶体内的总载流子浓度 n+p。 讨哉凑胁螟炭竣奎梳迁痢悟跃粉胁付稗茸穿诬因侄硷恢侠祟农其啸孰静考8.3 本征流子浓度8.3 本征流子浓度 在本征半导体中，电子的数目等于空穴的数目。令下表 i 表示本征，则 上两式相等，并让费米能级从价带顶开始量度(Ev=0)，则 费米能级位于带隙中央 指数依赖于 涛戒宽抑赠缸庇脓佰淹闷琐傣桅咙横绵娘闹伏卢淤狱使呢午诀芯锨任膘碟8.3 本征流子浓度8.3 本征流子浓度 8.3. 1 本征迁移率 迁移率是单位电场强度引起的带电载流子漂移速度的大小 电子和空穴的迁移率都定义为正的，记为 me 和 mh 注意和化学势的区别 电导率是电子和空穴的贡献之和 由电荷 q 的漂移速度 v=qtE/m，得 迁移率以适当幂次律随温度变化 阜伤舍秘裹殉耻粟耘靛荆娃尊囊护蹲诅猴篷臀顽挖智倾美蒲澡遣命洛氟汲8.3 本征流子浓度8.3 本征流子浓度