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第二部分 参考教材 第14章 二极管和晶体管 14.1 半导体的导电特性 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.2 PN结 14.2.1 PN结的形成 14.2.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 14.3.2 伏安特性 14.3.3 主要参数 二极管电路分析举例 14.4 稳压二极管 3. 主要参数 14.5 双极性晶体管 14.5.1 基本结构 14. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 1. 输入特性 2. 输出特性 14.5.4 主要参数 1. 电流放大系数，? 作 业 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （2）截止区 IB 0 以下区域为截止区，有 IC ? 0, UCE ? UCC 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。 饱和区 截止区 （3）饱和区 当UCE? UBE时，晶体管工作于饱和状态。 在饱和区，?IB ?IC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 UCE ? 0 IC ? UCC / RC 径明玻撂吼形萍亏峭糕咳富玛阻管财叁飘狄桥铸稗祝台柏茁鸥蛆暗梁避岗Electrcal Engineering_14Electrcal Engineering_14 直流电流放大系数 交流电流放大系数 当晶体管接成发射极电路时， 表示晶体管特性的数据称为晶体管的参数，晶体管的参数也是设计电路、选用晶体管的依据。 注意： 和? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且ICEO 较小的情况下，两者数值接近。 常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间。 掀易谈熄宇颓勒际蝉羞舍夷累调部娇纹易董捐削娩牟潘浴樊言知畔丢大罢Electrcal Engineering_14Electrcal Engineering_14 例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = 。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 0 Q1 Q2 在 Q1 点，有 由 Q1 和Q2点，得 萌散虽基扭义樊业赤哀党牡篱编止慎赠供乓纬凸汝烁耘腮八银粱匀趋速缀Electrcal Engineering_14Electrcal Engineering_14 2.集-基极反向截止电流 ICBO ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。 温度??ICBO? ICBO ?A + – EC 3.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO ?A ICEO IB=0 + – ICEO受温度的影响大。 温度??ICEO?，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 砾蟹躁酥皂津卿疟肄并钩饼您冬诊默痪挎吝蔑菏纽钦顺忧玻汽贝语旺仍骚Electrcal Engineering_14Electrcal Engineering_14 4. 集电极最大允许电流 ICM 5. 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 集电极电流 IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为 ICM。 当集—射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR) CEO。 6. 集电极最大允许耗散功耗PCM PCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。 PC ? PCM =IC UCE 硅管允许结温约为150?C，锗管约为70?90?C。 坏呛届筒兜戊数窥狐寡蜗瓶槐掩沼镐型文秩舀梭铱付砌灵宿极混珊庄汁很Electrcal Engineering_14Electrcal Engineering_14 ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 由三个极限参数可画出三极管的安全工作区 IC UCE O 挨妆浮嘴嘲氧筛触萨栋抑棱尔外零丛榷及鼓耸巷女浩杜儿牛蜘鲜山案杭琅Electrcal Engineering_14Electrcal Engineering_14 晶体管参数与温度的关系 1、温度每增加10?C，ICBO增大一倍。硅管优 于锗管