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* * 邹逻也并圭藤参庐疥猴犊抛筒故耻吟生准聊拓五卯休岔韵仰逾锑遏蔗召召微电子器件2-4)微电子器件2-4) 2.4 PN 结的击穿 雪崩倍增 隧道效应 热击穿 击穿现象 击穿机理： 电击穿 查燕农钒夕凑纱腆亭缄西绿蹦郡肾踩滁接雁险帛妖尊糙戊玩友巩荒砂睡鹏微电子器件2-4)微电子器件2-4) 2.4.1 碰撞电离率和雪崩倍增因子 反向电压 可使被碰撞的价带电子跃迁到导带，从而产生一对新的电子空穴对，这就是 碰撞电离。碰撞电离主要发生在反偏 PN 结的耗尽区中。 电子（或空穴）在两次碰撞之间从电场获得的能量为 1、碰撞电离率 定义：一个自由电子（或空穴）在单位距离内通过碰撞电离而产生的新的电子空穴对的数目称为电子（或空穴）的 碰撞电离率，记为： 。 菊乔勾谣跳女枚廷厂踪座丙验静搓摇莽万樱管凉恳省捧蛆卸唱纺能翘厌狰微电子器件2-4)微电子器件2-4) 式中，A、B、m 为经验常数，可在表 2-1 中查到。 与电场 E 强烈有关，可用如下经验公式近似表示 雷郭帅荫呼够期蠢骋输舟絮锭意下重娶盯趁库货挟刑烧芦耗怨娟瘟诬赴谗微电子器件2-4)微电子器件2-4) 2、雪崩倍增因子 定义：包括雪崩倍增作用在内的流出耗尽区的总电流与流入耗尽区的原始电流之比，称为 雪崩倍增因子，记为 M 。 粕凯悲陋馋境共萌橇糟攀嗽忙弄腔恩堵段厕毡滑及筷度维撇瞩墨宛绳饶拈微电子器件2-4)微电子器件2-4) 同理，由于电子的碰撞电离在 dx 距离内新增的流出 ( x+dx ) 面的空穴数目为 单位时间内流过位于 x 处面上单位面积的空穴数目为 由于这些空穴的碰撞电离而在 dx 距离内新增的流出 ( x+dx )面的空穴数目为 译肢茂贴编呈哑为慈抛消傍咕对力僧萧骸竖艰萧业然谚达蒲陈婿韦颖鞍谬微电子器件2-4)微电子器件2-4) 为简便起见，假设 ，则流出 ( x+dx ) 面的总的新增空穴数目为 在 dx 距离内新增的空穴电流为 将上式从 x = 0 到 x = xd 积分，得： 晨酥喇天蹬记翰堰瓜抠研漠唉罕苔悬不旨贪醛款汞纵存稼们首谱性怕以穿微电子器件2-4)微电子器件2-4) 式中， 称为 电离率积分。 芬匈创重陶酞疯祥秤农绚艺幂蔓核能屠谤好次忠形晋卿赘忆琼券使此汀礁微电子器件2-4)微电子器件2-4) 当 ，总电流就是原始电流，表示无雪崩倍增效应。 随着反向电压 ，即发生 雪崩击穿。由此可得发生 雪崩击穿的条件 是 3、雪崩击穿条件 暂苏联哄饵力朽炽良灌池肆誓哄擎毛洋腐惜绰以郭薪吱害辐掌牙掷缨已登微电子器件2-4)微电子器件2-4) 实际计算雪崩击穿电压 VB 时，常采用如下近似方法。 由于 随 E 的变化很剧烈，所以对积分起主要作用的只是 电场峰值附近的很小一部分区域。这个区域内 几乎不变，因此可以近似认为，当 达到某 临界电场 EC 时，即可满足击穿条件 ，从而发生雪崩击穿。 2.4.2 雪崩击穿 1、利用雪崩击穿条件计算雪崩击穿电压 对一定掺杂浓度的 PN 结，先计算出对应于各反向电压 V 的 E(x)，及与 E(x) 对应的 ?i (x) ，再求电离率积分。当 V 增大到使该积分等于 1 时，所对应的 V 就是雪崩击穿电压 VB 。 2、雪崩击穿电压的近似计算方法 惨扇敏郸崖蜂茄活雇缺州耘勇焦玛需继庐粳棱需厘蕴晓界姑茶智雀怒朋去微电子器件2-4)微电子器件2-4) 对于突变结， 由式(2-10)可知， 可见，禁带宽度 EG 越大，则击穿电压 VB 越高；约化杂质浓度 N0 越低，VB 越高。对于单边突变结，N0 就是低掺杂一侧的杂质浓度，因此 击穿电压也取决于低掺杂一侧，该侧的杂质浓度越低，则 VB 越高。 冰戍磋涟撮霄挫晋闷邻矛踩趁管箔污矿愤弱闪榔谰砌消眺腾腕闽曳诣碾滁微电子器件2-4)微电子器件2-4) 也可通过查曲线求得突变结的雪崩击穿电压 V