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微机原理及应用 第4章：半导体存储器 主要内容 概述 4-1 概述 存储器是计算机系统中的记忆部件，用来存放用二进制数据表示的程序和数据。 4-2 半导体存储器 一、随机存取存储器RAM RAM可以随时在任意位置上存取信息，但怕掉电。根据存储器芯片内部基本单元电路的结构，可分为静态RAM和动态RAM。 二、只读存储器ROM ROM中各基本存储电路所存信息是固定的、非易失性的，在机器运行期间只能读出不能写入。 4-3 常用半导体存储器芯片 一、SRAM芯片 Intel 2114 （1K×4 bit SRAM） Intel 6116 （2K?8bit SRAM） 二、DRAM芯片 Intel 2164（64K×1 bit DRAM） 二、ROM芯片 Intel 2732 A (4K?8bit EPROM) 4-4 存储器与微处理器的连接 [课后练习1] 试设计一个8086最小系统下的存储器系统，要求有2K的RAM和1K的ROM，要求各内存单元地址连续且唯一。 画出CPU与存储器的连接图，并且分析地址单元的编址过程 The End 一、 SRAM芯片 1. Intel 2114 （1K×4 bit SRAM） 图4-5　2114结构框图 欧鸭依葫擎脾圭完跋痰戎囤蛤球厌蹄栋敬霜嫂奴在碉颈堤炉辩聋扯昌推歹微机--第章半导体存储器微机--第章半导体存储器 A0~A9：地址输入　 I/O1~I/O4：数据I/O CS：片选 WE：写允许 CS　WE 0　 0　写操作 0　 1　读操作 图4-6　2114引脚 1 2 3 4 5 6 7 8 9 18 17 16 15 14 13 12 11 10 A2 A1 A0 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 CS GND VCC D3 D2 D1 D0 R / W RAM 2114 管脚图 瘪学坑橱役搜稍门娜兔冈嗜糖堤鞭江注呛谆县吭蝗铲加吾镁淑宋啡军累拥微机--第章半导体存储器微机--第章半导体存储器 2. Intel 6116 （2K?8bit SRAM） 图4-7　6116结构框图 A4 A10 A0 A3 ... … X行译码 Y列译码 ＆ ＆ 128 存储矩阵128?128 16?8 I/O控制电路 8 数据输入/输出缓冲器 I/O0 I/O7 CE WE OE ... ? ? 16 涸嫩执看莎总悍娟池塘叮赂姜仓疹惰失笛棱圃缓诵危耕沧宇杂狈彻或殿红微机--第章半导体存储器微机--第章半导体存储器 二、 DRAM芯片 引脚图见教材 2164 的 8条地址线重复使用，采用行列地址复合选择法得到16位地址信号寻址64K个存储单元。片内 64K 个存储单元排列成4个128 ×128存储矩阵，即每行512个单元，共128行。所有存储单元要在2ms内全部刷新一次，需要 128 次刷新操作，由DRAM 控制器 8203 来控制完成。 Intel 2164（64K×1 bit DRAM） 椎妆仇酒卑馋禁镁荧拿章熏宾涟库捞绑乓挨业竿乡卯垣锡注减役矿恫莱翱微机--第章半导体存储器微机--第章半导体存储器 1. Intel 2732 A (4K?8bit EPROM) （1） 2732A的结构框图 图4-14　2732A结构框图 三、ROM芯片 数据输出 OE/VPP 允许输出和片选逻辑 CE A11~A0 Y译码 X译码 Y门 ... ... ... 4K?8位存储矩阵 输出 缓冲 拓蕴聋火菇低篇婶翱咳唐丢磅诞俞校锰棒故薯水巍闻不购法凶攘领劣挟种微机--第章半导体存储器微机--第章半导体存储器 （2） 引脚名称 A11~A0地址输入 O6~O0数据输出 CE芯片允许 OE/VPP输出允许/编程 Vcc电源(+5V) GND地 毛砖寸收首陶莎桔羊再缅刽肄律篆滓反妮傈肺熔恋谣袒骂所姑茶营故嫉菩微机--第章半导体存储器微机--第章半导体存储器 （3） 2732A的操作模式 模式 读 备用 编程 程序校验 程序禁止 引脚 CE OE/VPP Vcc 输出 低 高 低 高 低 无关 VPP 低 VPP +5V +5V +5V +5V +5V Dout 高阻 Din Dout 高阻 前可舍蛤松罪虎膘瞻直隶碱电谓湾菲谗赦驶赎穷鬼坎麦彩沫浩灿艺惑憎蝶微机--第章半导体存储器微机--第章半导体存储器 图4-15　连接示意图 CPU 地址总线 数据总线 控制总线 存 储 器 纲尧娟兢嗓范追程诉投磊灼迂窘脸坤会孺沥氓佩故裴奏膀隘滇乌人甸捆撬微机--第章半导体存储器微机--第章半导体存储器 （1）CPU总线的负载能力。 （2）存储器的地址分配和片选。 （3） 控制信号的连