熔体生长法-直拉法-1摘要.ppt

熔体生长法—正常凝固法—奇克劳斯基法 硅单晶生长为例(奇克劳斯基法，即提拉法) 主要内容 硅的基本情况 高纯硅的制备 直拉法生产硅单晶 晶锭的处理 制备三氯氢硅 工业上常用方法：干燥氯化氢气体和硅粉(粗硅或工业硅)反应，制得三氯氢硅 工业硅→酸洗→粉碎→选符合粒度要求硅粉(80-120目)→送入干燥炉→热氮气流干燥→送入沸腾炉 炉底通入适量的干燥HCl(直接合成)，进行三氯氢硅合成 酸洗：依次用盐酸，王水(浓盐酸：浓硝酸=3：1)，混合酸(HF+H2SO4)处理，最后用蒸馏水洗至中性，烘干后得到含量为99.9%的工业粗硅 上方液体，易挥发组分汽化→液相转入气相；下方蒸汽放出潜热→冷凝为液体 充分多的塔板→气体沿塔上升→不易挥发组分从气相向液相转移→最上一块板出来的蒸汽是易挥发组分→冷凝后得纯度较高的镏出液 液相从塔顶到塔底→易挥发组分的浓度下降，难挥发组分浓度增大→最后全是难挥发组分液体 从而达到分离提纯混合液体的目的 精镏后SiHCl3→送入挥发器 氢气分二路，一路进还原炉；另一路通入SiHCl3液体中，使SiHCl3挥发，与直接进入的氢气汇合→经喷头进入还原炉 氢与SiHCl3的混合气体→连续的进入还原炉→还原反应，在载体上→沉积出多晶硅 尾气中的SiHCl3需回收→尾气从还原炉底部排出→ 经热交换器预冷→进入尾气回收器→冷凝回收 再经气液