2-2缺的陷能级.pptVIP

估算结果与实际测量值有相同数量级 Ge： △ED ～ 0.0064 eV Si: △ED ～ 0.025 eV 上述计算中没有反映杂质原子的影响，所以类氢模型只是实际情况的一个近似。 5、杂质的补偿作用 假如在半导体中，同时存在着施主和受主杂质，半导体究竟是n型还是p型？ 要看哪一种杂质浓度大，因为施主和受主杂质之间有相互抵消的作用。 这种半导体中施主和受主杂质之间相互抵消的作用，通常称为杂质的补偿作用。 下面 表示施主杂质浓度， 表示受主杂质浓度， 表示导带中电子浓度， 表示价带中空穴浓度。 A）NDNA时： n型半导体 因 EA 在 ED 之下， ED上的束缚电子首先填充EA上的空位， 即施主与受主先相互“抵消”， 剩余的束缚电子再电离到导带上。 有效的施主浓度 ND*=ND-NA B）NAND时： p型半导体 因 EA 在 ED 之下， ED上的束缚电子首先填充EA上的空位，即施主与受主先相互“抵消”，剩余的束缚空穴再电离到价带上。 有效的受主浓度NA*=NA-ND （C） NA≌ND时 杂质的高度补偿 Ec Ev EA ED 本征激发的导带电子 本征激发的价带空穴 利用杂质补偿作用,可根据需要用扩散或离子注入方法来改变半导体中某一区域的导电类型,以制成各种器件。但高度补偿的半导体,性能很差,一般不能用来制造半导体器件。 6、深能级杂质 （1）浅能级杂质 E D EA Ec Ev △ED △EA III、V族杂质在半导体硅、锗禁带中产生浅能级 △ED《Eg， △EA《Eg （2）深能级杂质 △E D △EA EA E D Ec Ev 非III、V族杂质在半导体硅、锗禁带中也产生能级，产生的施主能级距离导带底较远，产生的受主能级距离价带顶也较远。通常称这种能级为深能级，相应的杂质称为深能级杂质。 △E D≮Eg ，△EA≮Eg 这些深能级杂质能够产生多次电离，每一次电离相应地有一个能级。在硅、锗禁带中引入若干个能级。而且有的杂质既能引入施主能级，又能引入受主能级。 例1：Au（金Ⅰ族）在Ge中 Au在Ge中共有五种可能的状态 （1） Au+； （2） Au0 ； （3） Au一 ； （4） Au二 ； （5） Au三。 Eg EC EV ED （1）Au+： Au0 – e Au+ (2)Au0 电中性态 EA2 EA1 △E= (4) Au二：Au一 + e Au二 Eg EA1 E EC V EV (3) Au一 ：Au0 + e Au一 EC （5） Au三： Au二 + e Au三 △E= EA3 EA2 EA1 EV ED 金在锗中有Au+、Au0、 Au一、Au二、Au三五种荷电状态，相应地存在着ED、 EA1、 EA2、 EA3四个孤立能级，它们都是深能级。 例2：Au（Ⅰ族）在Si中 EC EV EA ED 深能级杂质，一般情况下含量极少，而且能级较深，它们对半导体的导电电子浓度、导电空穴浓度和导电类型的影响没有浅能级杂质显著，但对载流子的复合作用比浅能级杂质强，故这些杂质也称为复合中心。 金是一种很典型的复合中心，在制造高速开关器件时，常有意掺入金以提高器件的速度。 §2-2·2 III-V族化合物中的杂质能级 III-V族化合物：IIIA族元素硼、铝、镓等和VA族元素氮、磷、砷等组成的二元化合物。成分化学比都是1：1。结晶成闪锌矿型结构。 杂质进入化合物后，或者是间隙式杂质，如C，或者是替位式杂质，如A和B。 I、II族元素，一般在砷化镓中引入受主能级，起受主作用。 等电子陷阱 （1）等电子杂质: 与基质晶体原子具有同数量价电子的杂质原子 特征：a、与本征元素同族但不同原子序数 例：GaP(磷化镓)中掺入Ⅴ族的N或Bi b、以替位形式存在于晶体中，基本上是电中性的。 （2）等电子陷阱：等电子杂质（如N或Bi）占据本征原子位置（如GaP中的P位置）后，由于与本征原子序数不同,共价半径和电负性有差别, 存在着由核心力引起的短程作用力，它们可以吸引一个导带电子（空穴）而变成负（正）离子，前者就是电子陷阱，后者就是空穴陷阱。 * 第2·2章半导体中杂质和缺陷能级 实际半导体材料偏离理想情况: 1. 原子并不是静止在具有严格周期性的格点位置,而是在平衡位置附近振动. 2. 材料并