微细加工[精选].ppt

微细加工 一、微细加工定义 从广义的角度来讲，微细加工是指所有制造微小尺寸零件的加工技术。从狭义的角度来讲，微细加工主要是指半导体集成电路制造技术。 二、加工成形原理 去除加工：车削、铣削、磨削、电火花加工 结合加工： 附着：电镀、气相沉积 注入：氧化、渗碳、离子注入 连接：焊接、粘接 变形加工：锻造、铸造、液晶定向 气相沉积 化学气相沉积（CVD：Chemical Vapor Deposition)：将低温气化的物质在气化室内加热，使其在基板上反映或分解，沉积生成物于基板上的技术。沉积材料包括单晶硅、多晶硅、SiO2、Si3N4以及PSG、金属等。 物理气相沉积（PVD：physical vapor deposition）：包括真空蒸发沉积法以及溅射法等。 真空蒸发沉积是在高真空中将材料加热使其蒸发，沉积金属膜的场合较多，使用电子束加热，能够使高融点材料蒸发。 溅射是在低真空的电极间产生Ar等的等离子体，利用离子的能量将阴极的材料溅射到阳极的基板表面沉积成膜的技术，能够沉积金属、化合物、合金等许多材料。 三、微细加工方法 硅微细加工 LIGA技术 微细切削技术：微细车削、铣削、微孔加工，磨料加工 微细电加工：微细电火花加工 、微细电铸、微细电解加工 微细高能束流加工：激光加工、电子束加工、离子束加工 3.1 硅微细加工 掩膜板制作 根据需要，首先进行计算机辅助图形设计，然后按照设计好的图形经电子束曝光机制作掩膜板。常用人造石英作为掩膜板材料，其上覆盖一层硬质材料，如铬、氧化铬、氧化铁等。 基底表面材料预处理 采取打磨、抛光、脱脂、酸洗、水洗等方法，对硅材料表面进行光整和净化处理，以保证光刻胶与基底表面有良好的附着力。 涂胶 光致抗蚀剂，在基础聚合物的基础上添加抗刻蚀物质、光敏物质与保护物质。当曝光发生时，抗蚀剂发生光化学反应，聚合物分解，光敏物质脱离聚合物。同时，与其连接的保护物质也离开了基础聚合物，当显影发生时，由于整个聚合物失去了保护物质的保护，显影液与其发生反应使之溶解。而未受到曝光的部分由于保护物质的存在与显影液之间基本不发生反应，从而保留在衬底表面，聚合物中存在的抗刻蚀物质将在后道刻蚀工艺中对衬底起到保护作用。 曝光 接触式：掩膜板直接和涂有光致抗蚀剂的半导体基片接触，通过抽真空方法调节压力。高分辨率、设备简单、操作方便、生产效率高、成本低；因机械接触容易损伤模板，使用寿命短，多次使用严重影响芯片成品率。衍射效应使进一步提高光刻分辨率和对准精度有困难。 接近式：光掩膜和基片之间保持相距很近的距离，利用高度平行光束进行曝光。避免玷污和损伤；衍射效应会使分辨率变坏。 为了提高光刻分辨率，在基片平整度和机械控制精度允许条件下，应尽量保持小的间隙或减小曝光所用的波长。 光学投影成像曝光技术：用光学投影的方法将掩膜版图形的影像（以等倍方式或缩小的方式）投影在半导体基片表面上，这时掩膜版作为光学成像系统的物方，基片表面上的光致抗蚀剂层为像方。由于投影成像曝光是把掩模图形的像直接投影在光致抗蚀剂层上，从而有效地克服了光衍射效应的影响，提高了光刻分辨率与对准精度。得到接触式光刻的高分辨率，而又避免接触式光刻容易产生缺陷的弊端。 显影和坚膜 正胶的曝光部分在显影液中溶解，被去除；负胶的未曝光部分在显影液中溶解，被去除。 用定影液固定图形。 由于显影时胶层浸泡在显影液中会发生溶胀，软化，需要烘干，使胶层坚固，增强抗蚀性。 腐蚀、去胶 湿法腐蚀：利用材料的化学特性将材料在特定的溶液中溶解掉。高选择比、均匀性和对硅片损伤少；图形保真性不强，横向、过腐蚀严重，属于各向同性腐蚀。 干法腐蚀：利用气态的原子、分子与表面薄膜反应，形成挥发性物质，或直接轰击薄膜表面使之被腐蚀的工艺。能实现各向异性刻蚀，即纵向的刻蚀速率远大于横向刻蚀速率，保证细小图形转移后的保真度。 化学性干法刻蚀：利用等离子体离化反应气体，使之和被腐蚀的薄膜 反应生成可挥发的物质。 物理性干法刻蚀：借助于等离子体的加速能量，使之和被腐蚀的薄膜发生碰撞达到铣蚀的目的。 介于两者间的反应离子刻蚀（RIE）：同时利用了上述方法的优势。当前REI及其改进方式（HDRIE、ICP、ECR、MERIE等）已成为深亚微米集成电路生产中的主流腐蚀工艺。 REI是一个很复杂的过程，由刻蚀的反应气体种类、气压、流量、温度、产生等离子体的射频频率/功率等因素决定。用REI法腐蚀不同的薄膜对应不同的反应气体。 3.2 LIGA技术 3.2.1 定义 　 LIGA是德文Lithographie，Galanofor