忆阻器与SPICE模型非线性掺杂漂移[精选].doc

忆阻器与SPICE模型非线性掺杂漂移 原型在惠普实验室制造描述。结果表明，迄今边界条件建模方法需要符合实际电路元件的行为。忆阻器的SPICE模型，非线性边界条件的其他修改。它的功能计算机模拟。 ΔR ”被控制。掺杂层的正常宽度x通过电容Cx的电压被模拟，它可以在状态方程（4）的右边作为一个积分器。掺杂层X0正常宽度的初始状态被模拟成电容的初始电压，是由忆阻器的初始阻值RINIT而决定的，根据公式（6 ）衍生而来： 该模型是用来实现一个有一定参数的SPICE的分支电路的，这些参数可以把下面的值传递到子电路中，这些值包括初始的RINIT电阻， Roff和Ron电阻，薄膜的宽度D ，掺杂流动性和窗口函数的指数p。下面提到的SPICE的子电路的清单包括了传统的窗口函数，这个窗口函数是根据Joglekar模型[5]提出来的，这个清单对任何描述非线性漂移的修改都是公开的，其中包括了由实验获得的数据的重要性。 SPICE模型也可以补充用于定义忆阻器的积分值的直接计算，即电压（通量）和电流（电荷）的时间积分。这些量是属于SPICE分析的结果，可作为内部控制源Eflux和Echarge的电压。 4，SPICE分析 建立边界模型效应的悬而未决的问题 忆阻器的成熟的SPICE模型的测试在惠普实验室中的硬开关条件下被制作出来，它指出了两个问题，和所谓的边界效应有一定的联系，同时也涉及到的定义窗口函数f（5）的方式。 第一个问题是，在设置忆阻器到终端状态RON或ROFF的时候，没有外部刺激可以改变这种状态到另一个值。换句话说，这样的忆阻器将注定永远持有其现有状态。这一结论的直接导致了状态方程（4）以及窗口函数的零值在任意一个边界状态。 根据现有的信息，来自惠普实验室的忆阻器“记住”了两个层之间的边界的X坐标，而不是通过它的电荷量。这个坐标在忆阻器的活动区域内仅仅只对电荷是成正比的。然而，窗函数（5）的第二个问题存在于建模过程中，忆阻器作为一个组件，它完整的记下了所有通过它的电荷。这个结论也同样可以从状态方程（4）中得到，如下：窗口函数（5）如果只有一个变量x的函数，那么电荷 是必要将忆阻器的状态从X0传送到 X1 ，当从X1返回到X0状态的时候相同大小但是正负相反的电荷是必须的。 当忆阻器在一个时间间隔之内通过一个恒定电流进行工作时，例如：把一分钟作为时间间隔，一分钟之后，有必要恢复在此之前忆阻器运作的状态，不管忆阻器在电流流过的时候是不是总是保持着最终的状态，这种延迟可以被由电流驱动的忆阻器的SPICE仿真完全确认。不太幸运的是，这样的一个忆阻器的操作规则是不会在目前的文献被参考的。 从上面的结果来看，窗口函数可以被认为是忆阻器精确的存储电荷量的一个措施：记忆效应在边界丢失。当电流方向逆转的时候，无论过去是怎么样的，边界都会开始向相反的方向移动，这就是是丢失，即沿着另一条曲线。 上述建模的行为和对一个真正的电路元件的操作的需求之间的矛盾可以通过设计一个可以修改的窗函数进行解决，这个窗函数模拟出了一个事实，那就是到达薄膜界限和离开薄膜界限的边界速度是不同的。 下面的函数（10）以及图 6中的曲线符合了上述的要求： 其中p是一个正整数，i是忆阻器的电流， 如果它增加了掺杂层的宽度，电流被认为是正向的，或X→ （趋近于）1 。函数（10）是在任何一个边界的时候都是零。增加P的值可以产生一个在x = 0和X = 1 的时候很陡峭一直到0 的平坦的窗口函数。 我们迄今为止的结果表明，所有从[1]中得出的结论都可以通过上述办法来证明，但是，被在图5（C）中的对称的磁滞回线环的非线性离子漂移控制的硬件开关效果除外 。另一方面，这种情况真正的被模仿是通过根据Joglekar的一般利用率在上述分析的问题的窗口函数。它已经证明了，忆阻器的模型的后续发展应包括在一个窗口函数的适当修改，而不是只依赖于状态变量x，然而，要让这个发展加快速度，还期望尽快的增加有关非线性离子漂移的详细信息。 结论 忆阻器的SPICE模型，它的建立是在状态方程和方程建模的边界效应的基础上的，它提供了与迄今公布的实验的一部分协议的结果。应该注意的是，在一些具体制度的运作和实际电路元件的预期行为模式的行为之间的差异可能是由于建模非线性掺杂漂移电流的方法。这就是为什么忆阻器的SPICE模型是这样设计以至于它能够这么容易的修改描述边界效应的非线性关系。当有关数据是由制造商指定的时候，是可以做这样的修改的。该模型的实用性被放大是基于这样一个事实，那就是忆阻器的样本在很长一段时间之内将有可能不可用。今天，很多机构都参与到忆阻器的基本功能的研究中来。 从第四部分的SPICE仿真结果来看，它指出了对这个研究可能会有重大意义的这个有趣的仿真模拟实验是有一定的可操作性的。 致谢 略